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플라스마 원자층 증착법을 이용한 반도체 콘택트용 금속실리사이드 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169081
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 제조 공정 중에서 콘택트(contact)를 형성하는데 적용되는 단결정 금속 실리사이드를 효율적으로 형성하는 방법에 관한 것으로서, 층간 막(interlayer)을 형성하기 위한 별도의 공정 없이 한 번의 공정으로 층간 막과 금속 박막을 순차적으로 형성시킬 수 있는 반도체 소자의 콘택트용 에피텍셜 금속 실리사이드의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, PE-ALD법을 이용한 금속 실리사이드 제조방법으로서, 금속 박막을 형성하는 금속 전구체와 층간 막(interlayer)을 형성하도록 하는 가스 플라스마를 반도체 기판상에 순차적으로 반복 주입하여 금속 박막과 층간 막을 형성하고, 상기 금속 박막의 산화를 방지하기 위한 산화 방지막을 증착한 후 열처리를 하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드 제조방법을 제공한다.금속 실리사이드, PE-ALD
Int. CL H01L 21/24 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01)
출원번호/일자 1020070091902 (2007.09.11)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0872799-0000 (2008.12.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이한보람 대한민국 서울 강서구
2 손종역 대한민국 부산 해운대구
3 김형준 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0657459-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0027349-27
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0444327-31
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0617445-87
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0617476-92
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0606339-34
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
PE-ALD법을 이용한 금속 실리사이드 제조방법으로서, 금속 박막을 형성하는 금속 전구체와 층간 막(interlayer)을 형성하도록 하는 가스 플라스마를 반도체 기판상에 순차적으로 반복 주입하여 금속 박막과 층간 막을 형성하고, 상기 금속 박막의 산화를 방지하기 위한 산화 방지막을 증착한 후 열처리를 하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 가스 플라스마는 암모니아 플라스마 또는 산소 플라스마인 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 층간 막과 금속 박막은, 가열된 반도체 기판상에 금속 전구체를 투여하여 흡착시키는 제1 단계와, 퍼징 가스를 통해 흡착되지 않은 금속 전구체를 제거하는 제2 단계와, 상기 가스 플라스마를 투여하는 제3 단계와, 퍼징 가스를 통해 가스 플라스마를 제거하는 제4 단계로 이루어진 사이클을 반복하여 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 전구체는 유기 금속 또는 할로겐화 금속인 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드 제조방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 박막은 코발트(Co) 또는 니켈(Ni) 박막인 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드 제조방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 산화 방지막은 티타늄(Ti) 산화 방지막인 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.