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노광장치, 상기 노광 장치를 이용한 2차원 홀로그래픽리소그래피 방법 및 광결정 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015169093
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 노광장치, 상기 노광 장치를 이용한 2차원 홀로그래픽 리소그래피 방법 및 광결정 형성 방법을 제공한다. 이 장치는 스테이지, 상기 스테이지 상에 수직으로 놓여진 제 1 거울면 및 상기 스테이지 상에 수직으로 놓여지고, 상기 제 1 거울면과 경사각을 갖는 제 2 거울면을 포함한다. 상기 스테이지, 상기 제 1 거울면 및 상기 제 2 거울면에 평행광이 입사되고, 상기 평행광을 발생시키는 광발생부를 포함한다. 상기 제 1 거울면, 상기 제 2 거울면 및 상기 스테이지 상의 기판 상에 평행광을 동시에 입사하여 등간격의 2차원 간섭무늬를 갖는 노광광으로 상기 포토레지스트를 노광한다. 상기 포토레지스트를 현상한다. 제 1 평행광, 제 2 평행광 및 제 3 평행광에 의해 형성된 등간격의 2차원 간섭무늬를 갖는 노광광으로 상기 포토레지스트를 노광한다. 상기 포토레지스트를 현상하여 등간격의 2차원 노광 패턴을 형성하고, 상기 노광 패턴을 마스크로 사용하여 상기 기판 상에 등간격의 2차원 광결정 패턴을 형성한다.광결정, 간섭무늬
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020070045020 (2007.05.09)
출원인 삼성전자주식회사, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1322255-0000 (2013.10.21)
공개번호/일자 10-2008-0099465 (2008.11.13) 문서열기
공고번호/일자 (20131025) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.03)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정문영 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한해욱 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김정회 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0344546-29
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0735631-73
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0600398-24
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0600397-89
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0038068-88
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0164180-99
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0420851-19
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0516295-06
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0516296-41
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
14 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0523352-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;수평성분의 상호간 각이 120도인 제 1 평행광, 제 2 평행광 및 제 3 평행광에 의해 형성된 등간격의 2차원 간섭무늬를 갖는 노광광으로 상기 포토레지스트를 노광하는 단계;상기 포토레지스트를 현상하여 등간격의 2차원 노광 패턴을 형성하는 단계; 및상기 노광 패턴을 마스크로 사용하여 상기 기판 상에 등간격의 2차원 광결정 패턴을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 기판 표면에 대해 TE편광 및 TE편광 성분을 모두 포함하거나, TE편광 성분만 포함하는 상기 제 1 평행광, 상기 제 2 평행광 및 상기 제 3 평행광으로 2차원적으로 배열된 다크 영역을 갖는 간섭무늬를 형성하여, 노광 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 광결정 형성 방법
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청구항 11에 있어서,상기 포토레지스트막은 포지티브형으로 형성하고,상기 광결정 패턴을 형성하는 단계는,상기 노광 패턴을 마스크로 사용하여 상기 기판 상에 금속막을 증착하는 단계; 및상기 노광 패턴을 제거하여, 상기 노광 패턴에 대응된 홀들을 갖는 금속 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 형성 방법
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청구항 11에 있어서,상기 포토레지스트막을 형성하기 전에 상기 기판 상에 금속막을 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 포토레지스트막은 네거티브형으로 형성하고,상기 광결정 패턴을 형성하는 단계에서 상기 노광 패턴을 마스크로 사용하여 상기 금속막을 식각하여 2차원 배열된 홀들을 형성하는 것을 특징으로 하는 광결정 형성 방법
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기판 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;상기 기판 표면에 대해 TM편광 성분을 포함하며, 수평성분의 상호간 각이 120도인 제 1 평행광, 제 2 평행광 및 제 3 평행광에 의해 2차원적으로 배열된 밝은 영역들을 갖는 간섭 무뉘를 갖는 노광광으로 상기 포토레지스트막을 노광하는 단계;상기 포토레지스트를 현상하여 등간격의 2차원 노광 패턴을 형성하는 단계; 및상기 노광 패턴을 마스크로 사용하여 상기 기판 상에 등간격의 2차원 광결정 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 광결정 형성 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.