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보호막 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015169329
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요약 본 발명은 디스플레이 패널의 기판을 보호하는 보호막 및 그 형성 방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 형성되어 그 표면에 산소 공공을 가지는 제 1 박막과, 제 1 박막의 상부에 형성된 제 2 박막과, 제 2 박막의 상부에 형성되어 제 2 박막과의 계면에 산소 공공을 가지는 제 3 박막을 포함하며, 플라즈마 방전 개시 전압을 크게 낮출 수 있어 플라즈마 디스플레이 패널의 전력 소모를 크게 줄일 수 있다.PDP, 다층 보호막, MgO막, 레이저 조사, 산화막, 산소 공공
Int. CL H01J 11/40 (2006.01) H01J 9/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070007812 (2007.01.25)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0886828-0000 (2009.02.26)
공개번호/일자 10-2008-0039175 (2008.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20090305) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060105677   |   2006.10.30
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.25)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 서울특별시 강남구
2 유학기 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0075938-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.08.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0053657-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0615098-02
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2007.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0895817-76
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0003505-49
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0042874-29
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0042875-75
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2008.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0247238-55
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.07.07 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2008-0488628-42
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0488629-98
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0561253-17
13 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2008.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0561252-72
14 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.12.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0055990-17
15 등록결정서
Decision to grant
2009.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0003377-72
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
디스플레이 패널의 기판을 보호하는 보호막으로서,상기 기판의 상부에 형성되어 그 표면에 산소 공공을 가지는 제 1 박막과,상기 제 1 박막의 상부에 형성된 제 2 박막과,상기 제 2 박막의 상부에 형성되어 상기 제 2 박막과의 계면에 상기 산소 공공을 가지는 제 3 박막을 포함하는 보호막
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 2 박막은, 산화막인 것을 특징으로 하는 보호막
3 3
제 2 항에 있어서,상기 산화막은, 금속 산화막 또는 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 보호막
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 3 박막은, 0
5 5
디스플레이 패널의 기판을 보호하는 보호막을 형성하는 방법으로서,상기 기판의 상부에 제 1 박막을 형성하는 단계와,상기 제 1 박막의 상부에 제 2 박막을 형성하는 단계와,상기 제 2 박막의 상부에 제 3 박막을 형성하는 단계와,상기 제 3 박막의 상부에서 에너지를 조사하여 상기 제 1 및 제 3 박막으로부터 산소를 분해시켜 상기 산소가 상기 제 2 박막과 반응하여 상기 제 1 및 제 3 박막의 상기 제 2 박막과의 계면에 산소 공공이 형성되도록 하는 단계를 포함하는 보호막 형성 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 제 1 박막을 형성하는 단계 또는 상기 제 3 박막을 형성하는 단계는, 전자선 증착법, 이온 플레이팅법, RF 반응성 스퍼터링법 중 어느 하나의 박막 형성법을 이용하여 형성하며,상기 제 2 박막을 형성하는 단계는, 상기 제 1 박막 또는 상기 제 3 박막의 형성 시와 동일한 박막 형성법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 제 2 박막을 형성하는 단계는, 금속막 또는 반도체막을 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 금속막의 형성은, In, Ti, Ta, Nb, Y, Al, V, Zr, Cr 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 반도체막의 형성은, Si 또는 Ge 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
10 10
제 5 항에 있어서,상기 산소 공공을 형성하는 단계는, 상기 제 1 박막 및 제 3 박막의 산소를 상기 제 2 박막과 반응시켜 상기 제 2 박막을 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
11 11
제 5 항에 있어서,상기 산소 공공을 형성하는 단계는, 상기 제 3 박막에 레이저를 조사하여 상기 제 2 박막에 흡수시키고, 흡수된 레이저의 에너지가 주위의 상기 제 1 및 제 3 박막으로 분산되어 분산된 레이저의 에너지에 의해 상기 제 1 및 제 3 박막으로부터 상기 산소가 분해되도록 하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
12 12
삭제
13 13
제 11 항에 있어서,상기 레이저는, 200∼400㎚의 파장으로 조사하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
14 14
제 11 항에 있어서,상기 레이저는, ArF, KrCl, KrF, XeCl, XeF 중 어느 하나의 레이저를 이용하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04976494 JP 일본 FAMILY
2 JP22501996 JP 일본 FAMILY
3 US07915153 US 미국 FAMILY
4 US20090087997 US 미국 FAMILY
5 WO2008054102 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2010501996 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2010501996 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2010501996 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP4976494 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2009087997 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US7915153 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2008054102 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.