1 |
1
디스플레이 패널의 기판을 보호하는 보호막으로서,상기 기판의 상부에 형성되어 그 표면에 산소 공공을 가지는 제 1 박막과,상기 제 1 박막의 상부에 형성된 제 2 박막과,상기 제 2 박막의 상부에 형성되어 상기 제 2 박막과의 계면에 상기 산소 공공을 가지는 제 3 박막을 포함하는 보호막
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제 2 박막은, 산화막인 것을 특징으로 하는 보호막
|
3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 산화막은, 금속 산화막 또는 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 보호막
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 제 3 박막은, 0
|
5 |
5
디스플레이 패널의 기판을 보호하는 보호막을 형성하는 방법으로서,상기 기판의 상부에 제 1 박막을 형성하는 단계와,상기 제 1 박막의 상부에 제 2 박막을 형성하는 단계와,상기 제 2 박막의 상부에 제 3 박막을 형성하는 단계와,상기 제 3 박막의 상부에서 에너지를 조사하여 상기 제 1 및 제 3 박막으로부터 산소를 분해시켜 상기 산소가 상기 제 2 박막과 반응하여 상기 제 1 및 제 3 박막의 상기 제 2 박막과의 계면에 산소 공공이 형성되도록 하는 단계를 포함하는 보호막 형성 방법
|
6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 제 1 박막을 형성하는 단계 또는 상기 제 3 박막을 형성하는 단계는, 전자선 증착법, 이온 플레이팅법, RF 반응성 스퍼터링법 중 어느 하나의 박막 형성법을 이용하여 형성하며,상기 제 2 박막을 형성하는 단계는, 상기 제 1 박막 또는 상기 제 3 박막의 형성 시와 동일한 박막 형성법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
|
7 |
7
제 5 항에 있어서,상기 제 2 박막을 형성하는 단계는, 금속막 또는 반도체막을 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
|
8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 금속막의 형성은, In, Ti, Ta, Nb, Y, Al, V, Zr, Cr 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
|
9 |
9
제 7 항에 있어서,상기 반도체막의 형성은, Si 또는 Ge 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
|
10 |
10
제 5 항에 있어서,상기 산소 공공을 형성하는 단계는, 상기 제 1 박막 및 제 3 박막의 산소를 상기 제 2 박막과 반응시켜 상기 제 2 박막을 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
|
11 |
11
제 5 항에 있어서,상기 산소 공공을 형성하는 단계는, 상기 제 3 박막에 레이저를 조사하여 상기 제 2 박막에 흡수시키고, 흡수된 레이저의 에너지가 주위의 상기 제 1 및 제 3 박막으로 분산되어 분산된 레이저의 에너지에 의해 상기 제 1 및 제 3 박막으로부터 상기 산소가 분해되도록 하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
|
12 |
12
삭제
|
13 |
13
제 11 항에 있어서,상기 레이저는, 200∼400㎚의 파장으로 조사하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
|
14 |
14
제 11 항에 있어서,상기 레이저는, ArF, KrCl, KrF, XeCl, XeF 중 어느 하나의 레이저를 이용하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
|