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ＳＴＤＰ 기능 셀을 위한 시냅스, ＳＴＤＰ 기능 셀 및 ＳＴＤＰ 기능 셀을 이용한 뉴로모픽 회로

  • 기술번호 : KST2015169439
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항값이 가변되는 멤리스터 등과 같은 메모리 소자의 채널과 트랜지스터의 채널이 직렬로 연결되도록 구성한 시냅스를 통해 정보를 전달하는 통신 모드 및 시냅스의 세기를 변화시키는 학습 모드를 시간적으로 분리시킴으로써 특정 시냅틱 뉴런의 상태를 다른 시냅틱 뉴런의 간섭 없이 변경할 수 있다.
Int. CL G06N 3/063 (2006.01) G11C 11/54 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110054972 (2011.06.08)
출원인 삼성전자주식회사, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0136015 (2012.12.18) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.08)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심재윤 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 류현석 대한민국 경기도 화성시
3 이준행 대한민국 경기도 화성

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0429081-44
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0548844-60
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0835999-63
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0098773-18
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0098772-62
9 등록결정서
Decision to grant		 2018.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0319220-02
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
STDP(Spike-Timing-Dependent Plasticity) 기능 셀을 위한 시냅스에 있어서,저항값이 가변되는 메모리 소자; 및상기 메모리 소자에 연결되는 트랜지스터 를 포함하고, 상기 시냅스는 상기 메모리 소자와 연결된 제1 단자를 통해 프리 시냅틱 뉴런과 연결되고, 상기 트랜지스터의 소스 단자와 연결된 제2 단자를 통해 포스트 시냅틱 뉴런과 연결됨으로써 상기 메모리 소자의 채널이 상기 트랜지스터의 채널과 서로 직렬로 연결되도록 하고, 상기 시냅스는상기 프리 시냅틱 뉴런에서 상기 포스트 시냅틱 뉴런으로 정보를 전달하는 통신 모드, 및 상기 메모리 소자의 양단에 인가되는 전압의 전압 차에 따라 상기 시냅스의 가중치를 변화시키는 학습 모드 중 어느 하나의 동작 모드로 동작하는, 시냅스
2 2
제1항에 있어서,상기 메모리 소자의 저항값은 상기 메모리 소자의 양단 간에 걸리는 전압에 의존하는 시냅틱 가중치에 따라 가변되는 시냅스
3 3
제1항에 있어서,상기 메모리 소자는 상기 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되는 시냅스
4 4
제1항에 있어서,상기 메모리 소자와 레지스터의 소스 단자에는 동일한 전압이 인가되는 시냅스
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 시냅스는시간 분할 다중화 방식에 기초하여 상기 동작 모드를 상기 통신 모드 또는 상기 학습 모드 중 어느 하나로 스위칭 하는 시냅스
7 7
제6항에 있어서,상기 시냅스는 상기 통신 모드에서 상기 프리 시냅틱 뉴런에서 발화된 스파이크에 의해 발생한 신호를 상기 포스트 시냅틱 뉴런으로 전달함으로써 상기 정보를 전달하고,상기 학습 모드에서 상기 프리 시냅틱 뉴런으로부터 전달된 정보에 기초하여 상기 메모리 소자의 저항값을 가변함으로써 상기 시냅스의 신호 세기를 변화시키는 시냅스
8 8
제6항에 있어서,상기 시냅스는 상기 통신 모드에서 상기 제1 단자를 상기 프리 시냅틱 뉴런의 VDD에 스위칭 하고, 상기 제2 단자를 상기 포스트 시냅틱 뉴런의 캐패시터에 스위칭 하는 시냅스
9 9
제6항에 있어서,상기 시냅스는 상기 학습 모드에서 상기 제1 단자를 상기 프리 시냅틱 뉴런의 펄스 쉐이퍼의 출력에 스위칭 하고, 상기 제2 단자를 상기 포스트 시냅틱 뉴런의 펄스 쉐이퍼의 출력에 스위칭 하는 시냅스
10 10
STDP(Spike-Timing-Dependent Plasticity) 기능을 갖는 뉴로모픽 회로를 위한 STDP 기능 셀에 있어서,저항값이 가변되는 메모리 소자 및 상기 메모리 소자에 연결되는 트랜지스터를 포함하는 시냅스-상기 시냅스는 제1 단자 및 제2 단자를 포함함-;상기 시냅스의 제1 단자를 통해 상기 메모리 소자와 연결되는 프리 시냅틱 뉴런; 및 상기 시냅스의 제2 단자를 통해 상기 트랜지스터의 소스 단자와 연결되는 포스트 시냅틱 뉴런을 포함하고,상기 시냅스는 상기 메모리 소자와 연결된 제1 단자를 통해 프리 시냅틱 뉴런과 연결되고, 상기 트랜지스터의 소스 단자와 연결된 제2 단자를 통해 포스트 시냅틱 뉴런과 연결됨으로써 상기 메모리 소자의 채널이 상기 트랜지스터의 채널과 서로 직렬로 연결되도록 하고,상기 시냅스는상기 프리 시냅틱 뉴런에서 상기 포스트 시냅틱 뉴런으로 정보를 전달하는 통신 모드, 및 상기 메모리 소자의 양단에 인가되는 전압의 전압 차에 따라 상기 시냅스의 가중치를 변화시키는 학습 모드 중 어느 하나의 동작 모드로 동작하는, STDP 기능 셀
11 11
제10항에 있어서,상기 메모리 소자의 저항값은 상기 메모리 소자의 양단 간에 걸리는 전압에 의존하는 시냅틱 가중치에 따라 가변되는 STDP 기능 셀
12 12
제10항에 있어서, 상기 프리 시냅틱 뉴런(pre-synaptic neuron) 및 상기 포스트 시냅틱 뉴런 각각은스파이크를 발화하는 전기적 뉴런 회로;상기 전기적 뉴런 회로가 상기 스파이크를 발화(firing)하는 시점을 디지털 코드로 기록하는 스파이크 타임 레코더; 및상기 디지털 코드를 기초로 상기 스파이크의 펄스 형태를 복원하는 펄스 쉐이퍼를 포함하고,상기 스파이크 타임 레코더 및 상기 펄스 쉐이퍼는클럭에 동기화 되어 동작하는 STDP 기능 셀
13 13
제12항에 있어서,상기 펄스 쉐이퍼는상기 디지털 코드를 순차적으로 쉬프트 시켜 상기 스파이크의 펄스 형태로 합(sumation)하는 이산 시간 FIR 필터를 포함하는 STDP 기능 셀
14 14
제12항에 있어서,상기 STDP 기능 셀은시간 분할 다중화 방식에 기초하여 상기 동작 모드를 상기 통신 모드 또는 상기 학습 모드 중 어느 하나로 스위칭 하는 STDP 기능 셀
15 15
제14항에 있어서,상기 시냅스는 상기 통신 모드에서 상기 제1 단자를 상기 프리 시냅틱 뉴런의 VDD에 스위칭 하고, 상기 제2 단자를 상기 포스트 시냅틱 뉴런의 캐패시터에 스위칭 하는 STDP 기능 셀
16 16
제14항에 있어서,상기 시냅스는 상기 학습 모드에서 상기 제1 단자를 상기 프리 시냅틱 뉴런의 펄스 쉐이퍼의 출력에 스위칭 하고, 상기 제2 단자를 상기 포스트 시냅틱 뉴런의 펄스 쉐이퍼의 출력에 스위칭 하는 STDP 기능 셀
17 17
제14항에 있어서,상기 STDP 기능 셀은상기 동작 모드가 상기 통신 모드이면, 상기 메모리 소자의 저항값이 상기 학습 모드로 동작하는 경우의 저항값보다 높아지도록 하고,상기 동작 모드가 상기 학습 모드이면, 상기 메모리 소자의 저항값이 상기 통신 모드로 동작하는 경우의 저항값보다 낮아지도록 하는 STDP 기능 셀
18 18
STDP(Spike-Timing-Dependent Plasticity) 기능 셀을 이용한 뉴로모픽 회로에 있어서,저항값이 가변되는 메모리 소자 및 상기 메모리 소자에 연결되는 트랜지스터를 포함하고, 격자 구조에 따라 배치된 복수의 시냅스들;복수의 프리 시냅틱 뉴런들 - 상기 격자 구조에서 동일한 행에 위치한 시냅스들은 상기 복수의 프리 시냅틱 뉴런들 중 어느 하나의 프리 시냅틱 뉴런에 동일하게 연결됨 -; 및복수의 포스트 시냅틱 뉴런들 - 상기 격자 구조에서 동일한 열에 위치한 시냅스들은 상기 복수의 포스트 시냅틱 뉴런들 중 어느 하나의 포스트 시냅틱 뉴런에 동일하게 연결됨 -;을 포함하고,상기 복수의 시냅스들 각각은상기 메모리 소자와 연결된 제1 단자를 통해 프리 시냅틱 뉴런과 연결되고, 상기 트랜지스터의 소스 단자와 연결된 제2 단자를 통해 포스트 시냅틱 뉴런과 연결됨으로써 상기 메모리 소자가 상기 트랜지스터와 서로 직렬로 연결된 채널을 가지도록 하고, 상기 복수의 시냅스들 각각은상기 프리 시냅틱 뉴런에서 상기 포스트 시냅틱 뉴런으로 정보를 전달하는 통신 모드, 및 상기 메모리 소자의 양단에 인가되는 전압의 전압 차에 따라 상기 시냅스의 가중치를 변화시키는 학습 모드 중 어느 하나의 동작 모드로 동작하는 뉴로모픽 회로
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제18항에 있어서,상기 메모리 소자의 저항값은 상기 메모리 소자의 양단 간에 걸리는 전압에 의존하는 시냅틱 가중치에 따라 가변되는 뉴로모픽 회로
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제18항에 있어서,상기 복수의 시냅스들 각각은시간 분할 다중화 방식에 기초하여 상기 동작 모드를 상기 통신 모드 또는 상기 학습 모드 중 어느 하나로 스위칭 하는 뉴로모픽 회로
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1 EP02718933 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
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3 US09087302 US 미국 FAMILY
4 US20120317063 US 미국 FAMILY
5 WO2012169726 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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3 EP2718933 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 US2012317063 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US9087302 US 미국 DOCDBFAMILY
6 WO2012169726 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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