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반도체 전극, 상대전극, 및 전해질을 포함하는 염료감응형 태양전지에 있어서, 상기 반도체 전극은 산화물 반도체를 포함하는 다공성 박막에 염료가 흡착되고, 이온층이 형성되며, 여기서, 상기 이온층은 할로겐 이온층인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 이온층은 요오드 이온층, 브롬 이온층, 또는 이들의 혼합 이온층인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 이온층은 금속 산화물의 표면에 흡착된 반응형 화합물이 전해질의 할로겐이 결합하여 형성된 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지
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제4항에 있어서, 상기 반응형 화합물은 염료와 공흡착된 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지
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제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 반응형 화합물은 하기 화학식 (1) 내지 (4) 중에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지:여기서, R1은 수소, 또는 탄소원자 1-10의 알킬기이며, A는 탄소원자, 질소원자, 산소원자, 실리콘원자, 또는 인원자이며, n은 자연수 1-40이고, m은 0 또는 자연수 1-10이며, B는 탄소원자, 질소원자, 산소원자, 실리콘원자 및 인원자 중 하나 이상을 포함하는 연결자
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제6항에 있어서, 상기 반응형 화합물은 부트-3-에노익산, 펜트-4-에노익산, 헥스-4-에노익산, 헵트-4-에노익산, 논-9-에노익산, 말로닉산 모노비닐에스터, 썩시닉산 모노비닐에스터, 헵탄디오익산 모노비닐에스터, 4-옥소-헥스-5-에노익산, 아크릴릭산 카르복시메틸 에스터, 메타크릴로일-4-아미노부티릭산, 6-아크릴로일아미노-헥사노익산, 9-아크릴로일아미노-노나노익산, 6-(2-메틸-아크릴로일아미노)-헥사노익산, 9-(2-메틸-아크릴로일아미노)-노나노익산, 14-아크릴로일록시-테트라데카노익산, 14-(2-메틸-아크릴로일록시-테트라데카노익산), 4-(4-비닐-페닐)부티릭산, 4-(4-비닐-페녹시)-프로피오닉산, 6-(4-비닐-페닐)헥시릭산, 6-(4-비닐-페녹시)-헥사노닉산에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지
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제1전극; 상기 제1 전극의 상대전극; 및산화/환원 쌍을 포함하는 전해질;을 포함하여 이루어지고,상기 제1 전극에는 산화물 반도체 미립자를 포함하는 다공성 박막이 형성되고, 상기 다공성 박막의 표면에는 염료와 상기 전해질의 할로겐 분자와 결합하여 이온층을 형성하는 화합물이 공 흡착된 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지
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제8항에 있어서, 상기 이온층은 요오드 이온층인 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지
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제9항에 있어서, 상기 요오드 이온층은 3가 요오드 이온과 산화물 반도체의 접촉을 제한하는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지
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제8항에 있어서, 이온층을 형성하는 화합물은 일측에 산화물 반도체에 흡착되는 흡착기와 타측에 할로겐 결합기를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지
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제11항에 있어서, 상기 흡착기는 카르복실기 산, 아실할라이드, 알콕시실릴, 할라이드실릴, 인을 1 종 또는 2종 이상 포함하며, 상기 할로겐 결합기는 이중 결합인 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지
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표면에 전해질의 할로겐과 결합하여 할로겐 이온층을 형성하는 화합물이 흡착된 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 전극
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제13항에 있어서, 상기 화합물은 염료와 함께 공 흡착된 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 전극
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제13항에 있어서, 상기 화합물은 일측에 카르복실기 산, 아실할라이드, 알콕시실릴, 할라이드실릴, 인을 1 종 또는 2종 이상 포함하는 흡착기가 형성되며 타측에 할로겐과 결합하는 이중 결합이 형성된 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 전극
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제13항에 있어서, 상기 산화물 반도체 전극은 TiO2 미립자로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 전극
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태양광 흡수 염료를 반응형 화합물과 함께 금속 산화물 반도체 미립자에 공흡착시킨 제1전극을 제조하는 단계; 상대전극을 제조하는 단계; 상기 제1전극과 상대전극 사이에 할로겐/할로겐화물을 산화/환원쌍으로 하는 전해질을 주입하는 단계를 포함하고, 상기 반응형 화합물은 할로겐과 반응하여 할로겐 이온층을 형성하는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 할로겐 이온층은 요오드 이온층인 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지 제조 방법
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제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 이온층은 전해질에 포함된 할로겐이 반응형 화합물의 이중결합과 반응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지 제조 방법
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태양 전지의 효율을 높이기 위해서, 금속 산화물 반도체층의 표면에 이온층을 형성하여 금속 산화물 반도체와 산화물의 접촉을 저해하는 것을 특징으로 하는 방법
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