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대상 트랜지스터를 포함하는 전류 소스; 및상기 대상 트랜지스터의 게이트와 전기적으로 연결되고, 상기 전류 소스가 활성화(active) 모드로 동작하는 경우, 상기 대상 트랜지스터의 게이트에 양의 전압을 인가하고, 상기 전류 소스가 비활성화(inactive) 모드로 동작하는 경우, 상기 대상 트랜지스터의 게이트에 음의 전압을 인가하는 전류 소스 제어 회로를 포함하는 음의 전압을 이용한 저전력 회로
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2
제1항에 있어서,상기 전류 소스 제어 회로는커패시터를 포함하고,상기 전류 소스는 상기 커패시터의 양단에 인가되는 전압에 의존하여 상기 활성화 모드 또는 상기 비활성화 모드 중 어느 하나로 진입하는 음의 전압을 이용한 저전력 회로
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제1항에 있어서,상기 전류 소스 제어 회로는제1 서브 제어 회로, 제2 서브 제어 회로 및 상기 제1 서브 제어 회로와 상기 제2 서브 제어 회로를 전기적으로 연결하는 커패시터를 포함하고,상기 제1 서브 제어 회로 및 상기 제2 서브 제어 회로는 상기 활성화 모드 또는 상기 비활성화 모드에 의존하여 상기 커패시터의 양단에 인가되는 전압을 결정하는 음의 전압을 이용한 저전력 회로
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제3항에 있어서,상기 제1 서브 제어 회로는제1 스위치 트랜지스터;상기 제1 스위치 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제2 스위치 트랜지스터; 및상기 제1 스위치 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압을 상기 제2 스위치 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압으로 인버팅하는 인버터를 포함하는 음의 전압을 이용한 저전력 회로
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5
제4항에 있어서,상기 활성화 모드에서 상기 제1 스위치 트랜지스터는 턴-온되며, 상기 제2 스위치 트랜지스터는 턴-오프되고,상기 비활성화 모드에서 상기 제1 스위치 트랜지스터는 턴-오프되며, 상기 제2 스위치 트랜지스터는 턴-온되는 음의 전압을 이용한 저전력 회로
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6
제3항에 있어서,상기 제2 서브 제어 회로는직렬로 연결된 적어도 하나의 제3 스위치 트랜지스터;상기 적어도 하나의 제3 스위치 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제4 스위치 트랜지스터; 및상기 적어도 하나의 제3 스위치 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압을 상기 제4 스위치 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압으로 인버팅하는 인버터를 포함하는 음의 전압을 이용한 저전력 회로
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7
제6항에 있어서,상기 활성화 모드에서 상기 적어도 하나의 제3 스위치 트랜지스터는 턴-온되며, 상기 제4 스위치 트랜지스터는 턴-오프되고,상기 비활성화 모드에서 상기 적어도 하나의 제3 스위치 트랜지스터는 턴-오프되며, 상기 제4 스위치 트랜지스터는 턴-온되는 음의 전압을 이용한 저전력 회로
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8
제6항에 있어서,상기 제2 서브 제어 회로는직렬로 연결된 둘 이상의 제3 스위치 트랜지스터들을 포함하고,상기 둘 이상의 제3 스위치 트랜지스터들 각각의 게이트에는 동일한 전압이 인가되는 음의 전압을 이용한 저전력 회로
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| 9 |
9
대상 트랜지스터를 포함하는 전류 소스; 및상기 대상 트랜지스터의 게이트와 전기적으로 연결되고, 상기 전류 소스가 활성화(active) 모드로 동작하는 경우, 상기 대상 트랜지스터의 게이트에 양의 전압을 인가하고, 상기 전류 소스가 비활성화(inactive) 모드로 동작하는 경우, 상기 대상 트랜지스터의 게이트에 음의 전압을 인가하는 전류 소스 제어 회로를 포함하고,상기 전류 소스 제어 회로는커패시터;스위치 신호 및 인버팅된 스위칭 신호를 기초로 상기 커패시터의 한 노드의 전압을 결정하는 제1 서브 제어 회로; 및상기 스위치 신호 및 상기 인버팅된 스위칭 신호를 기초로 상기 커패시터의 다른 노드의 전압을 결정하는 제2 서브 제어 회로를 포함하며,상기 전류 소스는 상기 커패시터의 다른 노드의 전압에 의존하여 상기 활성화 모드 또는 상기 비활성화 모드 중 어느 하나로 진입하는 음의 전압을 이용한 저전력 회로
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10
제9항에 있어서,상기 전류 소스가 상기 활성화 모드로부터 상기 비활성화 모드로 천이되는 경우, 상기 커패시터의 양단에 걸리는 전압이 인버팅됨으로써 상기 대상 트랜지스터의 게이트에 음의 전압이 인가되는 음의 전압을 이용한 저전력 회로
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11
제9항에 있어서,상기 제1 서브 제어 회로는상기 스위칭 신호를 수신하는 제1 스위치 트랜지스터; 상기 제1 스위치 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 상기 인버팅된 스위칭 신호를 수신하는 제2 스위치 트랜지스터를 포함하고,상기 커패시터의 어느 한 노드는 상기 제1 스위치 트랜지스터의 드레인 또는 상기 제2 스위치 트랜지스터의 소스와 연결되는 음의 전압을 이용한 저전력 회로
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12
제9항에 있어서,상기 제2 서브 제어 회로는상기 스위칭 신호를 수신하는 적어도 하나의 제3 스위치 트랜지스터; 상기 적어도 하나의 제1 스위치 트랜지스터 중 어느 하나의 드레인과 연결되고, 상기 인버팅된 스위칭 신호를 수신하는 제4 스위치 트랜지스터를 포함하고,상기 커패시터의 다른 한 노드는 상기 적어도 하나의 제1 스위치 트랜지스터 중 어느 하나의 드레인 또는 상기 제4 스위치 트랜지스터의 소스와 연결되는 음의 전압을 이용한 저전력 회로
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제12항에 있어서,상기 제2 서브 제어 회로는직렬로 연결된 둘 이상의 제3 스위치 트랜지스터들을 포함하고,상기 둘 이상의 제3 스위치 트랜지스터들 각각의 게이트에는 동일한 전압이 인가되는 음의 전압을 이용한 저전력 회로
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14
제9항에 있어서,상기 커패시터의 커패시턴스는 동적으로 조절되는 음의 전압을 이용한 저전력 회로
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