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불휘발성 메모리 장치를 제어하도록 구성되는 컨트롤러의 동작 방법에 있어서:매핑 패턴을 저장하는 단계;정보 비트들을 극 부호화하여 부호어(code word)를 생성하는 단계;상기 저장된 매핑 패턴을 읽는 단계;상기 매핑 패턴을 반복하여 반복된 매핑 패턴을 생성하는 단계; 그리고상기 반복된 매핑 패턴에 따라, 상기 부호어의 각 비트를 상기 불휘발성 메모리 장치의 멀티 비트 데이터 중 특정 비트에 매핑하는 단계를 포함하고,상기 매핑 패턴을 저장하는 단계는:복수의 패턴들을 생성하는 단계;상기 복수의 패턴들을 각각 반복하여 복수의 반복된 패턴들을 생성하는 단계;상기 복수의 반복된 패턴들의 에러율들을 각각 계산하는 단계; 그리고상기 계산된 에러율들에 따라, 상기 복수의 패턴들 중 하나의 패턴을 상기 매핑 패턴으로 저장하는 단계를 포함하는 동작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 반복된 매핑 패턴의 길이는 상기 부호어의 길이와 동일한 동작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 매핑하는 단계는,상기 반복된 매핑 패턴에 따라, 상기 부호어의 각 비트를 최하위 비트 또는 최상위 비트에 매핑하는 단계를 포함하는 동작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 매핑하는 단계는,상기 반복된 매핑 패턴에 따라, 상기 부호어의 각 비트를 최하위 비트, 중간 비트(CSB, Central Significant Bit), 또는 최상위 비트에 매핑하는 단계를 포함하는 동작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 매핑된 부호어를 멀티 비트 쓰기 데이터로 상기 불휘발성 메모리 장치에 전송하는 단계를 더 포함하는 동작 방법
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제 5 항에 있어서,상기 불휘발성 메모리 장치로부터 멀티 비트 읽기 데이터를 수신하는 단계;상기 반복된 매핑 패턴에 기반하여 상기 멀티 비트 읽기 데이터를 읽어진 부호어로 변환하는 단계; 그리고상기 읽어진 부호어를 디코딩하는 단계를 더 포함하는 동작 방법
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극 부호화된 부호어를 불휘발성 메모리 장치의 멀티 비트들에 매핑하는 매핑 패턴을 선택하는 매핑 패턴 선택 방법에 있어서:복수의 패턴들을 생성하는 단계;상기 복수의 패턴들을 각각 반복하여 복수의 반복된 패턴들을 생성하는 단계;상기 복수의 반복된 패턴들의 에러율들을 각각 계산하는 단계; 그리고상기 계산된 에러율들에 따라, 상기 복수의 반복된 패턴들 중 하나의 반복된 패턴을 선택하는 단계를 포함하는 매핑 패턴 선택 방법
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제 7 항에 있어서,상기 에러율들을 각각 계산하는 단계는 상기 멀티 비트들의 확률 밀도 함수들에 기반하여 수행되는 매핑 패턴 선택 방법
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제 8 항에 있어서,상기 에러율들을 각각 계산하는 단계는,상기 멀티 비트들의 확률 밀도 함수들에 기반하여, 극 부호화기의 입력단의 비트들의 에러율들을 각각 계산하는 단계를 포함하는 매핑 패턴 선택 방법
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제 9 항에 있어서,상기 극 부호화기의 입력단의 비트들의 에러율들 중 적어도 하나의 에러율이 기준값보다 클 때, 해당 반복된 패턴은 비선택되는 매핑 패턴 선택 방법
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