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STDP 동작을 위한 시냅스 회로 및 시냅스 회로를 포함하는 뉴로모픽 시스템

  • 기술번호 : KST2015169828
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항값이 가변되는 멤리스터(memristor) 및 멤리스터에 연결되고, 적어도 두 개의 입력 신호들이 인가되는 트랜지스터를 포함하고, 멤리스터의 저항값은 트랜지스터에 인가되는 적어도 두 개의 입력 신호들의 시간 차이에 의존하여 가변되는 STDP(Spike-Timing-Dependent Plasticity) 동작을 위한 시냅스 회로가 제공된다.
Int. CL G06N 3/063 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020130061924 (2013.05.30)
출원인 삼성전자주식회사, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0141778 (2014.12.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.24)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준석 대한민국 경기도 화성시
2 심재윤 대한민국 경북 포항시 남구
3 류현석 대한민국 경기 화성

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0483212-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0509723-65
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2019-0042821-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0199521-16
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0554119-01
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2020-0554118-55
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2020.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0708273-83
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-1227351-29
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2020.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-1227350-84
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
STDP(Spike-Timing-Dependent Plasticity) 동작을 위한 시냅스 회로에 있어서, 저항값이 가변되는 멤리스터(memristor); 및상기 멤리스터에 연결되고, 적어도 두 개의 입력 신호들이 인가되는 트랜지스터를 포함하고, 상기 멤리스터의 저항값은 상기 트랜지스터에 인가되는 상기 적어도 두 개의 입력 신호들의 시간 차이에 의존하여 가변되는 시냅스 회로
2 2
제1항에 있어서,상기 멤리스터의 저항값은 상기 적어도 두 개의 입력 신호들의 시간 차이로 인한 전압의 변화에 따라 가변되는 시냅스 회로
3 3
제1항에 있어서,상기 멤리스터의 저항값은 상기 트랜지스터의 게이트 단자에 인가되는 제1 입력 신호와 상기 트랜지스터의 소스 단자에 인가되는 멤브레인 전압(membrane voltage)에 기초한 제2 입력 신호 간의 시간 차이로 인한 전압의 변화에 의존하여 가변되는 시냅스 회로
4 4
제3항에 있어서, 상기 멤리스터에 흐르는 전류의 방향은상기 제1 입력 신호와 상기 제2 입력 신호가 입력되는 시간 차이로 인한 전압 차이에 의존하는 시냅스 회로
5 5
제3항에 있어서, 상기 멤리스터에 흐르는 전류량은 상기 제1 입력 신호와 상기 제2 입력 신호가 입력되는 시간 차이로 인한 전압 차이에 의존하는 시냅스 회로
6 6
제3항에 있어서,상기 시냅스는 상기 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 상기 제1 입력 신호를 제공하는 제1 단자 및 상기 트랜지스터의 소스 단자에 연결되어 상기 제2 입력 신호를 제공하는 제2 단자를 더 포함하고,상기 제1 단자를 통해 프리 시냅틱 뉴런과 연결되고, 상기 제2 단자를 통해 포스트 시냅틱 뉴런과 연결되는 시냅스 회로
7 7
제6항에 있어서, 상기 포스트 시냅틱 뉴런은휴지 전압(Vrest)을 기준으로 발화(firing)하는 스파이크(spike)를 생성하는 시냅스 회로
8 8
제7항에 있어서, 상기 포스트 시냅틱 뉴런은 N-MOS 트랜지스터 및 P-MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 N-MOS 트랜지스터 및 상기 P-MOS 트랜지스터는 서로 직렬로 연결되며, 상기 N-MOS 트랜지스터의 소스 단자에는 상기 휴지 전압을 공급하는 휴지 전압원이 연결되고, 상기 P-MOS 트랜지스터의 소스 단자에는 커패시터(capacitor)가 연결되는 시냅스 회로
9 9
제1항에 있어서,상기 멤리스터와 상기 트랜지스터의 소스 단자에는 서로 다른 전압이 인가되는 시냅스 회로
10 10
제1항에 있어서, 상기 멤리스터는 상기 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되는 시냅스 회로
11 11
제1항에 있어서, 상기 멤리스터의 채널은 상기 트랜지스터의 채널과 서로 직렬로 연결되는 시냅스 회로
12 12
제1항에 있어서, 상기 트랜지스터는 N-MOS 트랜지스터를 포함하는 시냅스 회로
13 13
STDP(Spike-Timing-Dependent Plasticity) 동작을 위한 시냅스 회로를 포함하는 뉴로모픽 시스템에 있어서, 저항값이 가변되는 멤리스터 및 상기 멤리스터에 연결되고, 적어도 두 개의 입력 신호들이 인가되는 트랜지스터를 포함하는 시냅스-상기 시냅스는 제1 단자 및 제2 단자를 포함함-; 상기 트랜지스터의 게이트 단자와 연결되어 제1 입력 신호를 제공하는 상기 시냅스의 제1 단자를 통해 상기 멤리스터와 연결되는 프리 시냅틱 뉴런; 및상기 트랜지스터의 소스 단자와 연결된 제2 입력 신호를 제공하는 상기 시냅스의 제2 단자를 통해 상기 멤리스터와 연결되는 포스트 시냅틱 뉴런을 포함하고, 상기 멤리스터는 상기 트랜지스터에 인가되는 적어도 두 개의 입력 신호들의 시간 차이로 인한 전압의 변화에 따라 상기 저항값이 가변되는 뉴로모픽 시스템
14 14
제13항에 있어서,상기 멤리스터의 저항값은 상기 트랜지스터의 게이트 단자에 인가되는 제1 입력 신호와 상기 트랜지스터의 소스 단자에 인가되는 멤브레인 전압(membrane voltage)에 기초한 제2 입력 신호 간의 시간 차이로 인한 전압의 변화에 의존하여 가변되는 뉴로모픽 시스템
15 15
제14항에 있어서, 상기 멤리스터에 흐르는 전류의 방향은상기 제1 입력 신호와 상기 제2 입력 신호가 입력되는 시간 차이로 인한 전압 차이에 의존하는 뉴로모픽 시스템
16 16
제14항에 있어서, 상기 멤리스터에 흐르는 전류량은 상기 제1 입력 신호와 상기 제2 입력 신호가 입력되는 시간 차이로 인한 전압 차이에 의존하는 뉴로모픽 시스템
17 17
제13항에 있어서, 상기 포스트 시냅틱 뉴런은휴지 전압(Vrest)을 기준으로 발화(firing)하는 스파이크(spike)를 생성하는 뉴로모픽 시스템
18 18
제17항에 있어서, 상기 포스트 시냅틱 뉴런은 N-MOS 트랜지스터 및 P-MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 N-MOS 트랜지스터 및 상기 P-MOS 트랜지스터는 서로 직렬로 연결되며, 상기 N-MOS 트랜지스터의 소스 단자에는 상기 휴지 전압을 공급하는 휴지 전압원이 연결되고, 상기 P-MOS 트랜지스터의 소스 단자에는 커패시터(capacitor)가 연결되는 뉴로모픽 시스템
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1 US09805302 US 미국 FAMILY
2 US20140358834 US 미국 FAMILY

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1 US2014358834 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9805302 US 미국 DOCDBFAMILY
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