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플라스마 질화법을 이용한 반도체 소자의 금속 실리사이드형성 방법

  • 기술번호 : KST2015169994
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체소자의 에피택셜(epitaxial) 금속 실리사이드(metal silicide) 콘택트형성 방법에 대한 내용을 제공한다. 산화(oxide) 막을 제거한 반도체 기판 위에 암모니아 플라스마를 이용하여 질화물 확산 조절막을 형성시킨 뒤 금속 박막을 증착하고, Ti 산화 방지막을 순차적으로 형성시킨다. 열처리과정 중에 질화물 확산 조절막을 통하여 실리콘 기판으로 확산하는 금속물질의 확산을 조절하여, 실리콘 기판 위에서 실리사이드를 에피택셜 박막 형태로 형성시킨다.이때 암모니아 플라스마의 노출시간을 조절함으로써, 질화물 확산 조절막의 두께를 정확하게 조절할 수 있으며, 이를 통해 에피택셜 금속 실리사이드의 두께 및 균질도를 정확하게 조절할 수 있다.실리사이드, 반도체 소자 전극, 에피택셜, 암모니아 플라스마, 질화물 확산 조절 막, 질화막
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01)
출원번호/일자 1020070073333 (2007.07.23)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0872801-0000 (2008.12.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.23)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이한보람 대한민국 서울 강서구
2 구길호 대한민국 충남 서천군
3 박찬경 대한민국 경북 포항시 남구
4 김형준 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0531029-78
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0041351-48
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0394104-50
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0617419-00
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0617393-01
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0606378-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
실리콘 기판상에 질화물 박막을 형성하고, 상기 질화물 박막 상에 금속 박막을 형성하고, 형성된 박막을 열처리하여 금속 실리사이드를 형성함에 있어서,상기 질화물 박막을 플라스마 질화법을 통해 형성하며,상기 금속 박막 상에는 열처리 과정에 따른 산화를 방지하기 위한 티타늄(Ti) 산화 방지막을 형성하되, 상기 티타늄 산화 방지막은 상기 금속 박막 증착 후 공기 노출 후에 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 플라스마는 암모니아 플라스마인 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 박막은 PVD 또는 CVD법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드 제조방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 박막은 코발트(Co), 니켈(Ni), 또는 티타늄(Ti)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드 제조방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 열처리는 700 ~ 900℃의 온도범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드 제조방법
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.