맞춤기술찾기

이전대상기술

질화물갈륨계 수직 발광다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015170116
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자는 기판; 상기 기판 상부에 형성된 p형 오믹 전극층; 상기 전극층 상부에 형성된 p형의 GaN계 III-V족 화합물 반도체층; 상기 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 n형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층; 및 상기 n형 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 n형 오믹 전극층으로 구성되며, 상기 p형 오믹 전극층은 Ag를 기반으로 반사도가 70% 이상인 고반사 전극을 포함한 것이고 상기 n형 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체층은 준광결정과 표면 조화를 이용하여 표면 변환이 이루어진 층을 포함한 것이다. 본 발명은 고반사 p형 전극, 준광결정 및 표면 조화가 함께 결합되어 질화갈륨계 수직 발광다이오드 제조 공정에 적용한 경우, 그렇지 않은 경우에 비하여 발광다이오드의 표면 광출력이 9배 이상 증가한다는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/16 (2014.01)
CPC H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01)
출원번호/일자 1020090116122 (2009.11.27)
출원인 포항공과대학교 산학협력단, 서울바이오시스 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0059402 (2011.06.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.27)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 서울바이오시스 주식회사 대한민국 경기도 안산시 단원구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인에이아이피 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, AIP빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울바이오시스 주식회사 대한민국 경기도 안산시 단원구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0733445-10
2 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction
2009.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0092046-86
3 보정요구서
Request for Amendment
2009.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0092044-95
4 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2009.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0742037-06
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0033681-62
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0771999-85
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-5126387-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5089977-41
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5110518-03
12 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1150122-01
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0823887-53
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0086736-23
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0086754-45
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0438954-28
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.08.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0762955-94
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0762940-10
19 등록결정서
Decision to grant
2016.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0861307-19
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상부에 형성된 p형 오믹 전극층; 상기 p형 오믹 전극층 상부에 형성된 p형 질화갈륨계 화합물 반도체층; 상기 p형 질화갈륨계 화합물 반도체층 상부에 형성된 n형 질화갈륨계 화합물 반도체층; 및 상기 n형 질화갈륨계 화합물 반도체층 상부에 형성된 n형 오믹 전극층을 포함하며, 상기 p형 오믹 전극층은 Ag를 기반으로 한 고반사 전극이며, 상기 n형 질화갈륨계 화합물 반도체층은 표면에 2㎛ 주기의 준광결정을 포함함과 아울러, 상기 화합물 반도체층 표면에 표면 조화가 적용된 질화물갈륨계 수직 발광다이오드
2 2
청구항 1에 있어서,상기 고반사 전극은 Ag 또는 Ag alloy를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물갈륨계 수직 발광다이오드
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 고반사 전극은 Ni/Ag/Ru/Ni/Au 전극인 것을 특징으로 하는 질화물갈륨계 수직 발광 다이오드
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 고반사 전극의 총 두께 중 Ag층 자체의 두께는 500 내지 5000Å인 것을 특징으로 하는 질화물갈륨계 수직 발광 다이오드
5 5
삭제
6 6
청구항 1에 있어서,상기 n형 오믹 전극층은 Ti, Ta, Al, Cr 또는 Au를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물갈륨계 수직 발광다이오드
7 7
기판 상부에 p형 오믹 전극층을 형성하는 단계; 상기 p형 오믹 전극층 상부에 p형 질화갈륨계 화합물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 p형 질화갈륨계 화합물 반도체층 상부에 n형 질화갈륨계 화합물 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 n형 질화갈륨계 화합물 반도체층 상부에 n형 오믹 전극층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 p형 오믹 전극층은 Ag를 기반으로 한 고반사 전극으로 형성되며, 상기 n형 질화갈륨계 화합물 반도체층의 표면은 2㎛ 주기의 준광결정 형성 단계 및 표면 조화(surface roughening) 단계의 프로세스를 거치는 질화물갈륨계 수직 발광다이오드의 제조 방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 고반사 전극은 Ag 또는 Ag alloy를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물갈륨계 수직 발광다이오드의 제조 방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 고반사 전극은 Ni/Ag/Ru/Ni/Au 전극인 것을 특징으로 하는 질화물갈륨계 수직 발광 다이오드의 제조 방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 고반사 전극의 총 두께 중 Ag층의 두께는 500 내지 5000Å인 것을 특징으로 하는 질화물갈륨계 수직 발광 다이오드의 제조 방법
11 11
청구항 7에 있어서, 상기 p형 오믹 전극층을 형성하는 단계는 낮은 접촉 저항을 얻기 위해 산소 분위기 열처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물갈륨계 수직 발광 다이오드의 제조 방법
12 12
삭제
13 13
청구항 7에 있어서,상기 준광결정 형성 단계는 광리소그래피 패터닝 및 건식 식각을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물갈륨계 수직 발광다이오드의 제조 방법
14 14
청구항 7에 있어서,상기 표면 조화 단계는 강염기성 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 질화물갈륨계 수직 발광다이오드의 제조 방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 표면 조화 단계는 자외선 조사를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물갈륨계 수직 발광다이오드의 제조 방법
16 16
청구항 15에 있어서,건식 식각을 이용하여 상기 n형 질화갈륨계 화합물 반도체층의 표면 조화를 향상시키는 것을 특징으로 하는 질화물갈륨계 수직 발광다이오드의 제조 방법
17 17
청구항 7에 있어서,상기 n형 오믹 전극층을 형성하는 단계는 Ti, Ta, Al, Cr 또는 Au을 이용하는 것을 특징으로 하는 질화물갈륨계 수직 발광다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102668136 CN 중국 FAMILY
2 US08860070 US 미국 FAMILY
3 US20120286287 US 미국 FAMILY
4 WO2011065766 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2011065766 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102668136 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102668136 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2012286287 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8860070 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2011065766 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
6 WO2011065766 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.