| 1 |
1
CdS-TiO2-WO3의 삼성분계 하이브리드 물질을 포함하는 반도체 복합체
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 반도체 복합체에서 Cd, Ti 및 W의 원자비는 4 : 1 : 1 내지 0
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 반도체 복합체는 X-선 회절 측정시 아나타제 및 루틸 TiO2 상, 큐빅 CdS 상 및 단사정계 WO3 상을 나타내는 것인 반도체 복합체
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 반도체 복합체는 광학적 밴드갭이 2
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 반도체 복합체는 490 내지 550nm의 흡수 엣지를 갖는 것인 반도체 복합체
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 반도체 복합체는 결정질인 반도체 복합체
|
| 7 |
7
텅스텐산을 함유하는 졸 용액에 이산화티탄을 첨가하여 겔 용액을 제조하고; 상기 겔 용액을 열처리하여 TiO2-WO3 이성분계 물질을 제조하고; 상기 TiO2-WO3 이성분계 물질을, 카드뮴 화합물이 용해된 수용액에 첨가하고; 얻어진 생성물에 황화물을 첨가하여 가수분해시키는 공정을 포함하는 반도체 복합체의 제조 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 열처리 공정은 400 내지 600℃에서 실시하는 것인 반도체 복합체의 제조 방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 상기 TiO2-WO3 이성분계 물질에서 텅스텐산과 이산화티탄의 혼합비는 1 : 3 내지 2 : 1 몰비인 반도체 복합체의 제조 방법
|
| 10 |
10
제7항에 있어서,상기 카드뮴 화합물은 카드뮴 아세테이트, 카드뮴 클로라이드, 카드뮴 나이트레이트 또는 이들의 조합인 제조 방법
|
| 11 |
11
제7항에 있어서,상기 황화물은 황화나트륨, 황화암모늄, 황 또는 이들의 조합인 제조 방법
|
| 12 |
12
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 반도체 복합체를 포함하는 광전환 소재
|
