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나노갭 및 나노갭 센서의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015170646
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노갭과 나노갭 센서의 제조방법 및 상기 방법에 따라 제작된 나노갭과 나노갭 센서에 관한 것으로서, 반도체 제조 공정을 이용한 이방성 식각에 의하여 달성되는 나노갭 및 나노갭 센서의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조 방법에 의하면, 저렴한 비용으로 간편하게 나노갭 및 나노갭 센서를 대량 생산할 수 있다.나노갭, 실리콘, 이방성 식각, 에천트, 산화 공정, 나노바이오센서, SOI
Int. CL H01L 21/302 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC G01N 33/5438(2013.01) G01N 33/5438(2013.01) G01N 33/5438(2013.01) G01N 33/5438(2013.01) G01N 33/5438(2013.01) G01N 33/5438(2013.01)
출원번호/일자 1020060072981 (2006.08.02)
출원인 한국생명공학연구원
등록번호/일자 10-0849384-0000 (2008.07.24)
공개번호/일자 10-2007-0043591 (2007.04.25) 문서열기
공고번호/일자 (20080731) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050099585   |   2005.10.21
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.02)
심사청구항수 40

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생명공학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정봉현 대한민국 대전광역시 서구
2 김상규 대한민국 충남 태안군
3 박혜정 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주) 미코바이오메드 경기도 성남시 수정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0556695-40
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0439633-45
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0737632-65
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.10.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0737631-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0073520-45
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2008-5054980-73
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0264811-15
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0327956-26
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0327955-81
10 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0293488-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-0007152-08
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 기판 상에 마스크 물질을 증착하는 단계;b) 증착된 마스크 물질 상부에 포토 레지스터를 도포하는 단계;c) 도포된 포토 레지스터를 현상하는 단계;d) 마스크 물질을 제거하여 식각될 부분을 노출시키는 단계; 및e) 노출된 부분을 이방성 식각하는 단계를 포함하는 나노갭의 제조 방법으로서,상기 제조되는 나노갭의 크기는 하기 수학식 1에 따라 기판의 두께 및 마스크 패턴의 폭을 결정함으로써 조절되는 것인 나노갭 제조 방법:[수학식 1]wm = wo + 2cotan(θ) × z상기 식에서, θ는 식각 각도, z는 기판의 두께, wm 은 마스크 물질의 패턴 폭, 그리고 wo 은 제조되는 나노갭의 폭이다
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 실리콘 산화물, 글래스, 세라믹 또는 금속 중 어느 하나로 이루어진 기판인 나노갭 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 금속 기판은 금, 은, 크롬, 티타늄, 백금, 구리, 팔라디움, ITO (indium tin oxide), 또는 알루미늄 중 어느 하나로 이루어지는 것인 나노갭 제조 방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 또는 실리콘 산화물 기판인 나노갭 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 기판의 단면이 V자 형태로 식각되는 것인 나노갭 제조 방법
6 6
제 4 항에 있어서, 실리콘 기판이 단결정 실리콘 기판인 나노갭 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 실리콘 기판이 <100> 타입인 나노갭 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 이방성 식각 가능한 에천트로 식각하는 것인 나노갭 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 에천트가 KOH, TMAH, EDP 중 어느 하나인 나노갭 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 이방성 식각은 건식 식각에 의한 것인 나노갭 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제 1 항에 있어서, 마스크 물질이 실리콘 질화막(Si3N4)인 나노갭 제조 방법
13 13
삭제
14 14
제 1 항에 있어서, 포토 레지스터의 현상은 자외선 노광을 수행함으로써 이루어지는 것인 나노갭 제조 방법
15 15
제 1 항에 있어서, 마스크 물질을 제거하여 식각되는 부분을 노출시키는 단계는 활성이온식각에 의하여 수행되는 것인 나노갭 제조 방법
16 16
제 1 항에 있어서, 마스크 물질을 제거하여 식각되는 부분을 노출시킨 후 잔여 포토 레지스터를 제거하는 단계를 더 포함하는 나노갭 제조 방법
17 17
제 1 항에 있어서, 기판 식각 후 기판 상의 잔여 마스크 물질을 제거하는 단계를 더 포함하는 나노갭 제조 방법
18 18
제 17 항에 있어서, 잔여 마스크 물질은 습식 또는 건식 식각에 의해 제거되는 것인 나노갭 제조 방법
19 19
제 18 항에 있어서, HF 를 이용한 습식 식각에 의해 잔여 마스크 물질을 제거하는 나노갭 제조 방법
20 20
제 1 항에 있어서, 제조된 나노갭의 폭을 줄이기 위한 산화공정을 더 포함하는 나노갭 제조 방법
21 21
제 20 항에 있어서, 산화 공정은 건식 또는 습식 산화 공정에 의해 이루어지는 것인 나노갭 제조 방법
22 22
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조되는 나노갭
23 23
제 22 항의 나노갭에 전극을 형성하는 것을 포함하는 나노갭 센서의 제조 방법
24 24
제 23 항에 있어서, 전극은 금, 은, 크롬, 티타늄, 백금, 구리, 알루미늄, 팔라디움, ITO 또는 이들의 합금 중 어느 하나를 나노갭 상에 증착시켜 형성되는 것인 나노갭 센서의 제조 방법
25 25
제 23 항에 있어서, 전극 형성은 전자빔 증착에 의해 수행되는 것인 나노갭 센서의 제조 방법
26 26
제 23 항에 있어서, 전극 형성 후 패시베이션 공정을 더 포함하는 나노갭 센서의 제조 방법
27 27
제 26 항에 있어서, 패시베이션 공정은 Al2O3 또는 SiO2를 나노갭 센서의 센서 부분을 제외한 나머지 부분에 증착시키는 것인 나노갭 센서의 제조 방법
28 28
제 26 항에 있어서, 패시베이션 공정은 전자빔 증착에 의해 수행되는 것인 나노갭 센서의 제조 방법
29 29
제 23 항의 방법에 따라 제조되는 나노갭 센서
30 30
제 29 항에 있어서, 분석대상물의 전기적 특성 변화를 감지하는 것인 나노갭 센서
31 31
제 29 항에 있어서, 분석대상물의 화학적 특성 변화를 감지하는 것인 나노갭 센서
32 32
제 29 항에 있어서, 분석대상물의 전기화학적 특성 변화를 감지하는 것인 나노갭 센서
33 33
제 29 항에 있어서, 분석대상물의 생물학적 특성 변화를 감지하는 것인 나노갭 센서
34 34
제 29 항에 있어서, 분석대상물이 나노갭 센서의 전극에 부착되는 것인 나노갭 센서
35 35
제 34 항에 있어서, 분석대상물이 나노갭 센서의 전극 표면에 부착된 링커를 통해 전극에 부착되는 것인 나노갭 센서
36 36
제 29 항에 있어서, 분석대상물이 세포, DNA, 항원 또는 항체, 효소 또는 효소의 기질, 또는 단백질 중 어느 하나인 나노갭 센서
37 37
제 36 항에 있어서, 상기 항원이 전립선암 표지물질인 PSA인 나노갭 센서
38 38
제 29 항에 있어서, 전극 표면에 항체의 결합을 위한 링커가 부착된 나노갭 센서
39 39
제 38 항에 있어서, 상기 링커가 N-말단에 시스테인이 태그된 단백질-G 또는 상기 단백질-G의 항체 결합 영역을 포함하는 단편인 나노갭 센서
40 40
제 39 항에 있어서, 상기 링커는 N-말단에 3 개의 시스테인이 태그된 단백질-G의 B1 및 B2 영역을 포함하는 단편인 나노갭 센서
41 41
제 38 항에 있어서, 상기 링커에 결합된 항체를 포함하는 나노갭 센서
42 42
제 39 항에 있어서, 전극이 금으로 이루어진 나노갭 센서
43 43
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1 CN101156228 CN 중국 FAMILY
2 EP01938364 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP21521332 JP 일본 FAMILY
4 US08557567 US 미국 FAMILY
5 US20090215156 US 미국 FAMILY
6 WO2007046582 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 CN101156228 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101156228 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2009521332 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2009521332 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2009521332 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2009215156 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US8557567 US 미국 DOCDBFAMILY
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