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반도체 집적 회로 장치의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015172180
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 집적 회로 장치의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다층 적층 공정에서 발생하는 위치 오차결함을 제거함으로써 제품 집적도와 신뢰도가 향상되며, 제조가 용이하고 생산성이 향상된 반도체 집적 회로 장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 기판; 및 상기 기판상에 적층되며, 일 면 상에 다이 범프(die bump)가 구비되고, 상기 일 면과 대향하는 타 면상에 상기 다이 범프(die bump)와 대응되는 형상의 마이크로 딤플(micro dimple)이 형성된 복수 개의 실리콘 레이어(silicon layer)를 포함하는 반도체 집적 회로 장치를 제공한다. 반도체, 집적 회로 장치, 실리콘 레이어, 관통형 실리콘 비아, 화학기계적 연마.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01)
CPC H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01)
출원번호/일자 1020090061026 (2009.07.06)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1066745-0000 (2011.09.15)
공개번호/일자 10-2011-0003653 (2011.01.13) 문서열기
공고번호/일자 (20110921) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.06)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정해도 대한민국 부산광역시 금정구
2 정문기 대한민국 부산광역시 서구
3 이현섭 대한민국 부산광역시 서구
4 이영균 대한민국 인천광역시 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성현 대한민국 부산광역시 연제구 중앙대로 ****, *층 (거제동)(아너스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0409575-70
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0418751-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0066068-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0115197-57
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0318716-68
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0318719-05
8 등록결정서
Decision to grant
2011.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0494455-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
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번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계; 일 면 상에 다이 범프(die bump)가 구비되고, 상기 일 면과 대향하는 타 면상에 상기 다이 범프(die bump)와 대응되는 형상의 마이크로 딤플(micro dimple)이 형성된 실리콘 레이어(silicon layer)를 복수 개 구비하되, 실리콘 다이(silicon die)에 비아 홀(via hole)을 형성하는 단계와, 상기 비아 홀(via hole)에 충진재를 충진하는 단계와, 상기 충진재의 일 단부에 다이 패드(die pad)를 형성하는 단계와, 상기 다이 패드 상에 다이 범프를 형성하는 단계 및, 상기 충진재의 타 단부에 마이크로 딤플을 형성하는 단계를 포함하는 단계; 및 상기 기판상에 상기 복수 개의 실리콘 레이어들을 적층하는 단계를 포함하되, 상기 마이크로 딤플을 형성하는 단계는, 다이의 두께를 조절하는 공정(Thinning)에서의 후면(backside) 그라인딩(Grinding) 후 실리콘 레이어와 충진재 간의 계면의 분리를 위한 화학기계적연마(Chemical Mechanical Polishing: CMP)에서 재료의 연마차(Removal Selectivity)에 의해 발생되는 디싱(dishing)이 형성되는 부분을 중심으로 식각(etching) 공정을 수행하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판상에 상기 복수 개의 실리콘 레이어들을 적층하는 단계는, 서로 이웃하여 적층된 두 개의 상기 실리콘 레이어 중 어느 일 측 실리콘 레이어의 상기 마이크로 딤플에 타 측 실리콘 레이어의 상기 다이 범프가 삽입되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 각각의 상기 실리콘 레이어에서, 상기 기판과 마주보는 면 상에는 상기 마이크로 딤플이 형성되고, 상기 마이크로 딤플이 형성된 면과 대향하는 면에는 상기 다이 범프가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 충진재의 일 단부에서 돌출 형성되는 상기 다이 범프와, 상기 충진재의 타 단부에 함몰 형성되는 상기 마이크로 딤플은 동일한 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치의 제조방법
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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패밀리정보가 없습니다
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