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2개의 트랜지스터(M1,M2) 각각의 드레인 단자와 게이트 단자가 연결되고, 소오스 단자가 접지되는 전류 미러형 구조를 갖는 커런트 미러단(M1,M5)(M2,M6)과,
상기 커런트 미러단을 갖는 트랜지스터(M5,M6)의 게이트 단자에 연결되는 'LO'신호로 상기 커런트 미러단(M1,M5)(M2,M6)을 통해 입력된 신호의 주파수를 올리거나 내려 출력 신호를 출력하는 스위칭 단(M3)(M4)(M7)(M8)로 구성되는 것을 특징으로 하는 저전압 믹서 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 단은
게이트 단자로 '+LO'신호 또는 '-LO'신호를 각각 입력받아 서로 다른 위상에서 스위칭되며, 상기 커런트 미러단 중 트랜지스터(M1,M2)의 게이트 단자와는 드레인 단자(또는 소오스 단자)가 연결되고, 다른 트랜지스터(M5,M6)의 게이트 단자와는 소오스 단자(또는 드레인 단자)가 각각 연결되는 제 1 스위칭 트랜지스터(M3,M4)와,
게이트 단자로 '+LO'신호 또는 '-LO'신호를 각각 입력받아 서로 다른 위상에서 스위칭되며, 상기 트랜지스터(M5,M6) 중 어느 하나의 게이트 단자와는 드레인 단자(또는 소오스 단자)가 연결되고, 상기 트랜지스터(M5,M6) 중 다른 하나의 게이트 단자와는 소오스 단자(또는 드레인 단자)가 서로 교차되게 연결되는 제 2 스위칭 트랜지스터(M7,M8)로 구성되는 것을 특징으로 하는 저전압 믹서 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 단은
게이트 단자로 '+LO'신호 또는 '-LO'신호를 각각 입력받아 서로 다른 위상에서 스위칭되며, 상기 커런트 미러단 중 트랜지스터(M1,M2)의 게이트 단자와는 드레인 단자(또는 소오스 단자)가 연결되고, 다른 트랜지스터(M5,M6)의 게이트 단자와는 소오스 단자(또는 드레인 단자)가 각각 연결되는 스위칭 트랜지스터(M3,M4)로 구성되는 것을 특징으로 하는 저전압 믹서 회로
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청구항 1, 청구항 3, 청구항 4 중 어느 하나로 구성된 2개의 저전압 믹서 회로가 차동형 구조로 구성되고,
이때, 상기 커런트 미러단을 갖는 트랜지스터 M1, M2는 2개의 저전압 믹서 회로의 공통의 커런트 미러 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 저전압 믹서 회로
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