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(A11)각각의 성분원소를 이용하여 고상합성법(Solid-State Reaction)을 이용하거나, 리튬(Li)-망간(Mn) 금속산화물을 고상으로 먼저 제조한 이후, 이온교환법에 따라 망간(Mn)의 일부를 소정의 금속(M) 성분으로 치환하는 이온교환법을 이용하여, 고상이며, 층상구조를 갖는 다성분계 금속산화물의 중간체 화합물인 리튬(Li)-망간(Mn)-소정금속(M)의 복합산화물(LiMn1-xMxO2, x는 0
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제1항에 있어서,상기 (A12)단계에서 이용되는 소정의 산화제는 S2O82- 이온을 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 다성분계 금속산화물 나노선 제조방법
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제2항에 있어서,상기 S2O82- 이온을 함유하는 화합물은 (NH4)2S2O8 또는 A2S2O8(A = 알칼리금속)인 것을 특징으로 하는 다성분계 금속산화물 나노선 제조방법
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제1항 내지 제3항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 리튬(Li)-망간(Mn)-소정금속(M)의 복합산화물 내에 포함된 소정 금속(M)이 크롬(Cr)인 경우, 상기 (A12)단계의 반응은 실온에서 2 내지 3일 동안 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 다성분계 금속산화물 나노선 제조방법
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제1항 내지 제3항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 리튬(Li)-망간(Mn)-소정금속(M)의 복합산화물 내에 포함된 소정 금속(M)이 크롬(Cr)인 경우, 상기 (A12)단계의 반응은 15 내지 30시간 동안 50 내지 70 ℃의 온도에서 수열반응이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 다성분계 금속산화물 나노선 제조방법
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제1항 내지 제3항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 리튬(Li)-망간(Mn)-소정금속(M)의 복합산화물 내에 포함된 소정 금속(M)이 크롬(Cr)인 경우, 상기 (A12)단계의 반응은 70 내지 90 ℃의 온도에서 리플럭스(reflux) 조건하에서 실온에서 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 다성분계 금속산화물 나노선 제조방법
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제1항 내지 제3항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 리튬(Li)-망간(Mn)-소정금속(M)의 복합산화물 내에 포함된 소정 금속(M)이 크롬(Cr)인 경우, 상기 (A12)단계의 반응은 100 내지 180 ℃의 온도에서 수열반응이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 다성분계 금속산화물 나노선 제조방법
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제1항 내지 제3항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 리튬(Li)-망간(Mn)-소정금속(M)의 복합산화물 내에 포함된 소정 금속(M)이 크롬(Cr)인 경우, 상기 (A12)단계의 반응은 180 내지 220 ℃의 온도에서 수열반응이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 다성분계 금속산화물 나노선 제조방법
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(A21)단일상의 니켈(Ni) 망간(Mn) 복합산화물을 제조한 후, 탄산리튬(LiCO3)과 혼합한 후 열처리 과정을 진행하여, 고상이며, 층상구조를 갖는 다성분계 금속산화물의 중간체 화합물인 리튬(Li)-망간(Mn)-니켈(Ni)의 복합산화물(LiMn1-yNiyO2, y가 0
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제9항에 있어서,상기 (A22)단계에서 이용되는 산화제는 S2O82- 이온을 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 다성분계 금속산화물 나노선 제조방법
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11
제10항에 있어서,상기 S2O82- 이온을 함유하는 화합물은, (NH4)2S2O8 또는 A2S2O8(A = 알칼리금속)인 것을 특징으로 하는 다성분계 금속산화물 나노선 제조방법
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제9항 내지 제11항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 (A22)단계의 반응이 60 내지 70 ℃의 온도에서 수열반응이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 다성분계 금속산화물 나노선 제조방법
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