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기판;상기 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 증착하여 형성된 발광구조물;상기 발광구조물의 내측면이 노출되도록 상기 발광구조물의 일부를 선택적으로 식각한 영역을 제외하고 잔류하는 상기 제2 도전형 반도체층 상부에 형성된 반사전극층; 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 표면이 노출된 영역 상에 형성된 제2 전극; 및상기 발광구조물의 식각으로 노출된 내측면 영역에 형성된 자기구조물을 포함하고,상기 자기구조물은 상기 발광구조물의 식각된 영역의 측면에 형성된 패시베이션층과 상기 패시베이션층들 사이에 형성된 자성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 자기구조물은 상기 자기구조물의 자성층이 상기 발광구조물의 활성층 측면에 이격하여 배치하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 자기구조물은 상기 발광구조물의 식각 형태에 따라 식각된 영역에 단일 또는 다수 개로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 패시베이션층은 SiO2, SiN, HfO2, Al2O3, 금속산화물, 금속질화물, 금속불화물 및 금속황화물 중 적어도 어느 하나의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 자성층은 Co, Fe, Ni, Gd, Dy 또는 이들의 합금물질 중 적어도 어느 하나의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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6
기판 상에 순차적으로 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 증착하여 발광구조물을 형성하는 단계;상기 발광구조물의 내측면이 노출되도록 상기 발광구조물의 일부를 선택적으로 식각하는 단계;상기 발광구조물에서 식각되지 않고 잔류하는 상기 제2 도전형 반도체층 상부에 반사전극층을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층 일부 표면이 노출된 영역 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 발광구조물의 식각으로 노출된 내측면 영역에 자기구조물을 형성하는 단계를 포함하고,상기 자기구조물을 형성하는 단계는, 상기 발광구조물의 식각된 영역의 측면에 패시베이션층을 형성하는 단계 및 상기 패시베이션층들 사이에 자성층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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7
제6항에 있어서,상기 자기구조물을 형성하는 단계는,상기 자기구조물의 자성층이 상기 발광구조물의 활성층 측면에 이격하여 형성함을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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8
제6항에 있어서,상기 발광다이오드의 제조방법은,상기 발광구조물을 형성하는 단계 이후에,상기 제1 도전형 반도체층의 일부 표면이 노출되도록 상기 발광구조물을 메사식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 발광다이오드의 제조방법은,상기 자기구조물을 형성하는 단계 이후에,상기 반사전극층 상에 형성된 상기 자기구조물을 식각공정을 통해 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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10
제6항에 있어서,상기 자기구조물을 형성하는 단계는,상기 발광구조물의 식각 형태에 따라 식각된 영역에 단일 또는 다수 개로 이루어진 자기구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 발광구조물의 일부를 선택적 식각하는 단계는,물리적 식각 또는 화학적 식각을 이용한 건식 식각방법인 반응성 이온식각(Reactive ion etching, RIE) 또는 고주파 유도 결합 플라즈마(Inductively coupled plasma, ICP)으로 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 패시베이션층과 상기 자성층을 형성하는 단계는,열증착기, 이빔 증착기, 스피터링 또는 레이저 증착기에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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