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p형 반도체층;상기 p형 반도체층 상에 형성되며 상기 p형 반도체층과 상이한 굴절률을 갖는 투명 전극층; 및상기 투명 전극층 상에 형성되는 p형 반사전극층을 포함하고,상기 투명 전극층은 나노 구조를 갖는 물질 및 나노 기공으로 구성되는발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 나노 구조를 갖는 물질은ITO, ZnO, SnO, MgO, In2O3, Ga2O3, BeO, SiO2, Si3N4, CuO, Cu2O, WO3, TiO2, AgO, Ag2O, NiO의 금속 산화물 그룹, MgF2, CaF2, BeF2, LiF, KF, NaF, AlF2, BaF2, BeF2
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제1항에 있어서,상기 나노 구조는스퍼터링법 (Sputtering), 이빔 증착법 (E-beam evaporation), 열 증착법 (Thermal evaporation), 화학 기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition), 전기 화학 증착법 (Electro Chemical Deposition) 중 어느 하나에 의해 성장되는 나노 물질에 의해 형성되는발광 다이오드
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제3항에 있어서,상기 나노 물질은유기 산성 용액 또는 무기 산성 용액을 이용한 화학적 패터닝을 통해 나노 구조로 형성되는발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 나노 구조는나노 스피어 (nano sphere), 나노 피라미드 (nano pyramid), 나노 헬릭스 (nano helix), 나노 로드 (nano rod), 나노 와이어 (nano wire), 나노 리본 (nano ribbon), 나노 스프링 (nano spring), 나노 콘 (nano cone) 중 어느 하나인발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 p형 반사전극층은발광 파장 영역에서 85% 이상의 반사도를 갖는 물질로 구성되는발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 p형 반사전극층은Ag, Al, In, Ti, Ni, Cu, Cr, Au, Pd, W, Pt 중 하나 이상의 물질로 구성되는발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 p형 반도체층과 상기 투명 전극층 사이에 형성되는 전류 확산층을 더 포함하는발광 다이오드
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제8항에 있어서,상기 발광 다이오드가 자외선 파장 영역의 발광 다이오드인 경우 상기 전류 확산층의 두께는 200 nm 이하인발광 다이오드
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제8항에 있어서,상기 발광 다이오드가 청색 파장 영역의 발광 다이오드인 경우 상기 전류 확산층의 두께는 500 nm 이하인발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 나노 기공의 반지름은 50 um 이하인발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 투명 전극층은단일층으로 형성된 나노 구조 또는 다층으로 형성된 나노 구조로 이루어지는발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 p형 반사전극층은단일층 또는 다층으로 형성되는발광 다이오드
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기판;상기 기판 상에 형성되는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되는 n형 반도체층;상기 n형 반도체층 상에 형성되는 활성층;상기 n형 반도체층 상에 형성되는 n형 전극층;상기 활성층 상에 형성되는 p형 반도체층;상기 p형 반도체층 상에 형성되는 투명 전극층;상기 p형 반도체층 상에 형성되며 상기 p형 반도체층과 상이한 굴절률을 갖는 투명 전극층; 및상기 p형 반사전극층 및 상기 n형 전극층과 연결되는 웨이퍼층을 포함하고,상기 투명 전극층은 나노 구조를 갖는 물질 및 나노 기공으로 구성되는발광 다이오드
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웨이퍼층;상기 웨이퍼층 상에 형성되는 p형 반사전극층;상기 p형 반사전극층 상에 형성되며 p형 반도체층과 상이한 굴절률을 갖는 투명 전극층;상기 투명 전극층 상에 형성되는 p형 반도체층;상기 p형 반도체층 상에 형성되는 활성층;상기 활성층 상에 형성되는 n형 반도체층; 및상기 n형 반도체층 상에 형성되는 n형 전극층을 포함하고,상기 투명 전극층은 나노 구조를 갖는 물질 및 나노 기공으로 구성되는발광 다이오드
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