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기판 상에 아조벤젠기 함유 화합물을 코팅한 후 노광하여 표면요철구조를 형성시키는 단계; 상기 형성된 표면요철구조 상에 금속 산화물 나노 구조체 에칭 마스크를 형성하면서 아조벤젠기 함유 화합물을 제거시키는 단계; 상기 금속 산화물 나노 구조체 에칭 마스크를 이용하여 기판을 선택적으로 식각하는 단계; 및 상기 금속 산화물 나노 구조체 에칭 마스크를 제거시키는 단계 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 아조벤젠기 함유 화합물은 분자량 수천 ∼ 수십만 범위의 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 노광은 λ/2 파동면(wave plate) 광학재료를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 λ/2 파동면(wave plate) 광학재료는 p편광 및 선형 편광면을 0 ∼ 90 °범위 내에서 회전시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 노광은 아조벤젠기 함유 화합물이 도포된 기판을 회전시키면서 반복적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 아조벤젠기 함유 화합물의 제거는 상온 ∼ 425 ℃에서 열처리로 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물은 화학적 졸-겔(sol-gel) 공정이 적용가능한 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 금속은 티타늄, 아연, 니오븀, 주석, 니켈 및 텅스텐 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 구조체 에칭 마스크의 형성은 금속 산화물 유도체 용액으로 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 금속 산화물 유도체는 금속 산화물의 알콕사이드, 니트레이트, 클로라이드 및 아세테이트 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 금속 산화물 유도체는 용매와 1 : 10 ∼ 200의 부피비로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 금속 산화물 유도체 용액은 염산을 2 ∼ 10 부피% 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체 에칭 마스크 형성이 반복적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 에칭 마스크를 이용한 기판의 선택적인 식각은 아르곤 기체, 메탄 기체, 수소 기체 및 사플루오로화 메탄 기체 중에서 선택된 기체 혼합물을 반응기체로 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 에칭 마스크를 이용한 기판의 선택적인 식각은 아르곤 기체, 메탄 기체, 수소 기체 및 사플루오로화 메탄 기체 중에서 선택된 기체 혼합물을 반응기체로 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 패터닝 방법
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