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기판;상기 기판 상에 형성되는 후면전극;상기 후면전극 상에 형성되는 p형 박막형 화합물 반도체층;상기 p형 박막형 화합물 반도체층 상에 형성되는 n형 다공성 화합물 반도체층; 및상기 n형 다공성 화합물 반도체층 상에 형성되는 전면전극을 포함하고,상기 p형 박막형 화합물 반도체층은 Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4, CuInS2, CuGaS2, CuInSe2, CuGaSe2, AgInS2, AgGaS2, AgInSe2, AgGaSe2, CdTe 및 PbSe 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 가스센서
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제1항에 있어서,상기 n형 다공성 화합물 반도체층은 복수개의 금속 산화물 나노로드인 가스센서
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제1항에 있어서,상기 n형 다공성 화합물 반도체층은 ZnO, SnO2, VO2, TiO2 및 In2O3 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 가스센서
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제1항에 있어서,상기 p형 박막형 화합물 반도체층은 Cu2ZnSnS4를 포함하고, 상기 n형 다공성 화합물 반도체층은 ZnO를 포함하는 가스센서
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제1항에 있어서,상기 후면전극은 Mo를 포함하고, 상기 전면전극은 Ag를 포함하는 가스센서
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후면전극이 형성된 기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 p형 박막형 화합물 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 박막형 화합물 반도체층 상에 n형 다공성 화합물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 n형 다공성 화합물 반도체층 상에 전면전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 p형 박막형 화합물 반도체층은 Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4, CuInS2, CuGaS2, CuInSe2, CuGaSe2, AgInS2, AgGaS2, AgInSe2, AgGaSe2, CdTe 및 PbSe 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 가스센서의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 p형 박막형 화합물 반도체층을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 p형 화합물 반도체용 전구체 박막을 스퍼터링하여 증착하는 단계; 및상기 전구체 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 가스센서의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 n형 다공성 화합물 반도체층을 형성하는 단계는,CBD(chemical bath deposition)법을 이용하여 상기 p형 박막형 화합물 반도체층 상에 n형 금속 산화물 나노로드를 성장시키는 단계인 가스센서의 제조방법
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