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실리콘 웨이퍼를 세정하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 금속 촉매 물질을 증착하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 증착된 금속 촉매 물질의 표면에 희석 물질에 의해 희석된 모노실란가스(SiH4)를 증착시켜 실리콘 나노선을 성장시키는 단계;를 구비하고,상기 실리콘 나노선을 성장시키는 단계는, 실리콘 웨이퍼를 전기화학기상증착기내에 위치시킨 후, 상기 전기화학기상증착기내로 희석물질에 의해 희석된 모노실란가스를 주입시켜 실리콘 나노선을 성장시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
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실리콘 웨이퍼를 세정하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 금속 촉매 물질의 나노 파티클(nano-particle)을 형성하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 형성된 금속 촉매 물질의 나노 파티클의 표면에 희석 물질에 의해 희석된 모노실란가스(SiH4)를 증착시켜 실리콘 나노선을 성장시키는 단계;상기 실리콘 나노선을 성장시키는 단계는, 실리콘 웨이퍼를 전기화학기상증착기내에 위치시킨 후, 상기 전기화학기상증착기내로 희석물질에 의해 희석된 모노실란가스를 주입시켜 실리콘 나노선을 성장시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
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실리콘 웨이퍼를 세정하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 금속 촉매 물질을 증착하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 증착된 금속 촉매 물질의 표면에 액화 테트라클로로실란가스(SiCl4)에 수소가스(H2)를 전달자 가스(Carrier Gas)로 사용하여 반응시켜 생성된 실리콘 입자를 증착시켜 실리콘 나노선을 성장시키는 단계;를 구비하는 실리콘 나노선 제조 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 (111) 및 (100) 중 어느 하나의 결정 방향을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 희석 물질은 아르곤(Ar)인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 희석 물질은 수소 또는 질소 가스인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 촉매 물질은 Au, Cu, Ni, Mn 중 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
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제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기화학기상증착기의 온도 및 실리콘 나노선을 성장시키는 시간은 요구되는 실리콘 나노선의 두께, 길이 및 적층 결함의 주기성에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 실리콘 나노선을 성장시키는 단계는, 실리콘 웨이퍼를 전기화학기상증착기내에 배치시킨 후, 상기 전기화학기상증착기내로 액화 테트라클로로실란(SiCl4)에 수소(H2) 가스를 전달자 가스(Carrier Gas)로 사용하여 반응시켜 생성된 실리콘 입자를 주입하여 실리콘 나노선을 성장시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 전기화학기상증착기의 온도, 실리콘 나노선을 성장시키는 시간 및 전달자 가스로 사용하는 수소가스(H2)의 양은 요구되는 실리콘 나노선의 두께, 길이 및 적층 결함의 주기성에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 성장된 실리콘 나노선은 외부에 적층 결함(Stacking Fault)이 생성된 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
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