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나노와이어의 성장방법

  • 기술번호 : KST2015178622
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노와이어의 성장방법에 관한 것으로, 원하는 크기의 나노와이어를 균일하고 고결정질의 나노와이어를 성장시킬 수 있는 나노와이어으 제조방법에 관한 것으로서, 반도체기판 상에 용적방울을 형성하는 단계와; 상기 용적방울을 제외한 상기 반도체기판 상에 산화층을 형성하는 단계와; 상기 반도체기판 상에 용적방울을 에칭액을 이용하여 선택적으로 에칭하여 나노패턴 홀을 형성하는 단계와; 상기 나노패턴 홀의 바닥면인 상기 반도체기판으로부터 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하여 이루어진다.
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020110019167 (2011.03.03)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0100338 (2012.09.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철로 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 라용호 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
3 박지현 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
4 송기영 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이승현 대한민국 전라북도 전주시 덕진구 기린대로 ***, 삼전빌딩 *층 이승현국제특허법률사무소 (덕진동*가)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0155646-36
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0265749-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0087335-12
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0097685-83
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0321525-95
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0417464-71
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0523107-06
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0580246-14
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0580252-88
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0831579-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 반도체기판 상에 용적방울을 형성하는 단계와;b) 상기 용적방울을 제외한 상기 반도체기판 상에 산화층을 형성하는 단계와;c) 상기 반도체기판 상에 용적방울을 에칭액을 이용하여 선택적으로 에칭하여 나노패턴 홀을 형성하는 단계와;d) 상기 나노패턴 홀의 바닥면인 상기 반도체기판으로부터 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노와이어의 성장방법
2 2
제1항에 있어서,상기 a)단계의 상기 반도체기판은 Si 또는 사파이어로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 성장방법
3 3
상기 a)단계는 상기 반도체기판 상에 촉매층을 형성한 후 어닐링하여 용적방울을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 성장방법
4 4
제2항에 있어서,상기 촉매층은 Au, Ni, Cu, Al, Ag, Pt, Fe, Cr 중 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 성장방법
5 5
제1항에 있어서,상기 b)단계는 상기 용적방울이 형성된 반도체기판을 산소분위기 하에서 열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 성장방법
6 6
제1항에 있어서,상기 d)단계는 상기 나노패턴 홀의 바닥면인 상기 반도체기판으로부터 나노와이어를 MOCVD법을 이용하여 캐리어가스와 원료 가스를 공급하여 성장시키는 단계인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 성장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.