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실리콘 화합물 박막의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015180270
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 화합물을 이용한 원자층 증착공정을 수행하여 실리콘 화합물 박막을 형성하는 방법으로서, HSi(isopropyl)3 를 소스로 이용하여 실리콘 화합물 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 의하면, 낮은 온도에서도 높은 증착률을 가지고, 불필요한 입자 발생이 없는 우수한 물리적 특성과 균일성을 가지는 실리콘 화합물 박막을 얻을 수 있다.
Int. CL C23C 16/50 (2006.01) C23C 16/30 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/04 (2006.01)
CPC C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01)
출원번호/일자 1020110019943 (2011.03.07)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1302592-0000 (2013.08.20)
공개번호/일자 10-2012-0101865 (2012.09.17) 문서열기
공고번호/일자 (20130830) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.07)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강상우 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤주영 대한민국 서울특별시 양천구
3 하홍식 대한민국 충남 천안시 동남구
4 염호영 대한민국 경기도 용인시 처인구
5 최정현 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0162427-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0088776-66
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0073883-65
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0278530-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0278529-78
7 등록결정서
Decision to grant
2013.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0540976-34
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
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번호 청구항
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10mTorr ~10 Torr 범위 내의 내부압력을 가지는 반응기 내의 기판에 HSi(isopropyl)3 소스를 3초~10초간 공급하여 화학적으로 흡착시키는 단계;상기 반응기 내에 퍼지 가스를 0
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제7항에 있어서,상기 HSi(isopropyl)3 는 하기 화학식 1의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘 화합물 박막의 형성방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.