맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015180453
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 탄소 나노튜브를 이용한 3극관 구조의 전계 방출 소자의 제작에 있어서, 반도체 공정을 이용해 기판에서 탄소 나노튜브를 성장키고, 탄소 나노튜브가 성장된 기판에 절연물질 특히 SOG(Spin on glass)를 도포하여 건조시키며,절연물질이 도포된 탄소 나노튜브를 연마기로 균일한 높이를 갖도록 절단하여 탄소 나노튜브의 높이를 제어하는 방법에 의한 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의해 탄소 나노튜브와 기판과의 절연을 가능하게 함으로써 누설전류를 방지하며, 연마공정시 탄소 나노튜브의 손상을 막고, 탄소 나노튜브와 기판과의 밀착성을 유지하고, 전계 방출 측정시 안정성을 향상시킨다. 또한 탄소 나노튜브의 성장시 길이의 제어를 용이하게 하여 균일한 전계 방출 특성을 구현하고 공정의 편의성을 달성한다. 탄소, 나노, 튜브, 전계, 방출, 소자, 절연, 물질, SOG, 도포, 연마기
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1020020031445 (2002.06.04)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0490480-0000 (2005.05.11)
공개번호/일자 10-2003-0094490 (2003.12.12) 문서열기
공고번호/일자 (20050517) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.06.04)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김도진 대한민국 대전광역시유성구
2 최규석 대한민국 대전광역시중구
3 조유석 대한민국 충청남도공주시유구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 그린폴리머 충청남도 천안시 서북구 직산읍 군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2002-0176200-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.12.18 수리 (Accepted) 9-1-2003-0064139-75
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0119171-22
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0227254-22
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0281943-27
7 의견서
Written Opinion		 2004.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0337289-11
8 등록결정서
Decision to grant		 2004.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0542542-79
9 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2005.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2005-0245483-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.23 수리 (Accepted) 4-1-2008-5063922-46
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2009-5014069-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2009-5050645-34
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소 나노튜브를 이용한 3극관 구조의 전계 방출 소자의 제조방법에 있어서, 반도체 공정을 이용하여 기판상에 트랜치 구조가 배열된 구조체 형성 단계(S1); 상기 트랜치 구조내에 탄소 나노튜브를 성장시키는 단계(S2); 절연물질을 탄소 나노튜브가 성장된 기판상에 도포하는 단계(S3); 도포된 절연 물질을 건조시키는 단계(S4); 및 연마기를 이용해 상기 기판의 박막이 노출되도록 상기 절연물질을 평삭하는 단계(S5)를 구비하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 S3단계는 절연물질을 탄소 나노튜브가 성장된 기판에 회전 도포하는 단계(S3-1)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 S3단계는 절연물질을 탄소 나노튜브가 성장된 기판에 주사 도포하는 단계(S3-2)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 S4단계는 상온에서 300℃까지 가열하여 건조시키는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서 상기 S5단계는 식각 용액을 이용하여 표면 식각을 하는 단계(S5-1)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 식각용액은 불산 용액인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 제조방법
7 7
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연물질은 SOG인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 제조방법
8 7
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연물질은 SOG인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.