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세포의 고정화를 위한 기판의 표면 처리 방법

  • 기술번호 : KST2015180501
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 세포의 고정화를 위한 기판의 표면 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 표면이 음이온을 갖도록 처리하는 단계; 상기 기판 표면에 다수의 양이온을 갖는 제1 고분자 전해질을 처리하고 이를 세척하는 단계; 상기 기판 표면에 다수의 음이온을 갖는 제2 고분자 전해질을 처리하고 이를 세척하는 단계; 및 상기 단계를 반복 처리하는 다층 박막 증착(Layer-by-layer deposition, LBL) 방법을 이용한 기판의 표면 처리 단계를 포함하는, 세포의 고정화를 위한 기판의 표면 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 표면 처리 방법은 종래의 세포 고정시의 중간의 복잡한 과정을 간소화하고 세포의 비 특이적인 흡착 및 결합의 발생 가능성을 줄여 경제적 비용 및 시간 절약의 효과와 높은 수율의 획득 더불어 손쉽고, 빠르게 기판의 표면에 세포를 고정화할 수 있는 이점을 가지므로, 생물 생태학에 관한 연구, 세포와 표면간의 상호 작용 및 세포를 기반으로 하는 고속 스크리닝 시스템에서의 활용에 유용하게 사용될 수 있다.세포 고정화, 고분자 전해질, 폴리에틸렌글리콜, 마이크로 구조물
Int. CL C12N 11/00 (2006.01) H01L 21/306 (2006.01) C12M 1/00 (2006.01) G01N 33/48 (2006.01)
CPC C12M 23/20(2013.01) C12M 23/20(2013.01) C12M 23/20(2013.01) C12M 23/20(2013.01) C12M 23/20(2013.01) C12M 23/20(2013.01)
출원번호/일자 1020070014472 (2007.02.12)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0891946-0000 (2009.03.30)
공개번호/일자 10-2008-0075379 (2008.08.18) 문서열기
공고번호/일자 (20090408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창수 대한민국 대전시 유성구
2 심현우 대한민국 대전시 유성구
3 이지혜 대한민국 대전시 유성구
4 강경석 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동희 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, *층 (송파동, 옥명빌딩)(플랜국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0128430-21
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.07.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.08.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0047876-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0097623-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.23 수리 (Accepted) 4-1-2008-5063922-46
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0299728-21
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.05.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0374164-74
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0374128-30
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0488765-35
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0806544-87
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0806580-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2009-5014069-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2009-5050645-34
14 등록결정서
Decision to grant
2009.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0132588-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ⅰ) 기판 표면이 음이온을 갖도록 처리하는 단계;ⅱ) 상기 기판 표면에 다수의 양이온을 갖는 제1 고분자 전해질을 처리하고 이를 세척하는 단계; ⅲ) 상기 기판 표면에 다수의 음이온을 갖는 제2 고분자 전해질을 처리하고 이를 세척하는 단계; 및상기 ⅱ) 단계와 ⅲ) 단계를 반복 처리하는 다층 박막 증착(Layer-by-layer deposition, LBL) 방법을 이용한 기판의 표면 처리 단계를 포함하며, 추가적으로 하기 화학식 3으로 기재되는 폴리에틸렌글리콜 디메타아크릴레이트(Polyethylene glycol dimethacrylate, PEG-DMA)와 D1173 광 개시제(photo initiator)의 3차원 마이크로 구조물의 형성을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 세포의 고정화를 위한 기판의 표면 처리 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 3차원 마이크로 구조물을 만들기 위한 고분자는 평균 분자량이 300 ~ 30,000의 범위인 것을 특징으로 하는 세포의 고정화를 위한 기판의 표면 처리 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 PEG-DMA의 마이크로 구조물은 PDMS 몰드를 사진 식각(Photolithography)을 통해 패턴이 형성된 실리콘 마스터(Silicone master) 위에서 PDMS 전중합체(prepolymer)와 경화제를 혼합한 열적 경화로 실리콘 마스터로부터 분리되어 제작되는 것을 특징으로 하는 세포의 고정화를 위한 기판의 표면 처리 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 기판의 표면 처리 방법은 유리 기판 클리닝 단계; 유리 기판의 플라즈마 처리 단계; 고분자 전해질의 다층 박막 증착 단계; 다층 박막의 표면 완성 단계; PDMS 몰드의 클리닝 단계; PDMS 몰드의 플라즈마 처리 단계; PEG-DMA의 주입 단계; 자외선 조사의 고분자 경화 단계; 및 마이크로 구조물의 제작 완성 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세포의 고정화를 위한 기판의 표면 처리 방법
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