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1
하기 화학식 1, 화학식 2, 화학식 3으로부터 선택되는 화학센서 및 광미세가공 고분자 화합물
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2
제 1항에 있어서, R1과 R2는 n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, n-데실, n-도데실, 2-에틸헥실, n-헥실옥시, n-헵틸옥시, n-옥틸옥시, n-데실옥시, 2-에틸헥실옥시기로부터 선택되는 화학센서 및 광미세가공 고분자 화합물
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3
제 1항에 있어서, 화학식 1, 화학식 2, 화학식 3의 고분자 화합물의 수평균 분자량이 3,000 내지 100,000인 화학센서용 및 광미세가공용 고분자
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4
제 1항에 있어서, x는 몰분율로 0
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5
벤질기로 보호된 4- 또는 5-브로모- 2-(6-브로모벤족사졸-2-일)페놀(11)과 2,5-디알킬-, 또는 2,5-디알콕시-벤젠-1,4-디보론산(12)을 커플링하여 중합체(13)를 제조하고, 제조된 중합체로부터 벤질기의 제거반응에 의하여 제 1항에 따른 화학식 1의 화학센서용 및 광미세가공용 고분자 화합물을 제조하는 방법
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6
아세틸기로 보호된 4- 또는 5-브로모- 2-(6-브로모벤족사졸-2-일)페놀(15)과 2,5-디알킬-, 또는 2,5-디알콕시-벤젠-1,4-디보론산(12)을 커플링하여 제 1항에 따른 화학식 2의 화학센서용 및 광미세가공용 고분자 화합물을 제조하는 방법
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7
아세틸기로 보호된 2,5-비스(6-브로모벤족사졸-2-일)벤젠-1,4-다이올(7)과 2,5-디알킬-, 또는 2,5-디알콕시-벤젠-1,4-디보론산(12)을 커플링하여 제 1항에 따른 화학식 3의 화학센서용 및 광미세가공용 고분자 화합물을 제조하는 방법
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8
제 1항에 따르는 화학센서용 및 광미세가공용 고분자 화합물을 포함하는 화학센서용 및 광미세가공용 수지 조성물
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9
제 8항에 있어서, 상기 화학센서용 및 광미세가공용 고분자 화합물 100 중량부에 대하여 광산발생제 1 내지 20 중량부를 함유하는 화학센서용 및 광미세가공용 수지 조성물
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