1 |
1
외부로부터 공급된 입력신호를 제1광신호로 변조하여 출력하는 제1광신호발생소자;상기 제1광신호를 검출하고, 상기 검출된 제1광신호를 광전변환하여 검출신호를 출력하는 광신호검출소자;상기 입력신호를 상기 제1광신호발생소자로 제공하고, 상기 입력신호의 위상을 상기 검출신호의 위상과 180°의 차이가 나도록 변환하고, 상기 입력신호의 크기를 상기 검출신호의 크기에 대응하여 변환하며, 상기 위상 및 크기가 변환된 입력신호와 상기 검출신호를 결합하여 상기 검출신호에 포함된 왜곡신호를 출력하는 왜곡신호생성회로;상기 왜곡신호를 제2광신호로 변조하여 출력하는 제2광신호발생소자; 및상기 제1광신호와 상기 제2광신호를 결합하여 출력하는 광결합소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 피드 포워드 방식의 왜곡신호 제거장치
|
2 |
2
제 1항에 있어서,상기 제1광신호발생소자는, 입력단과 출력단이 각각 상기 제1광신호발생소자와 상기 광결합소자에 광결합되는 광도파로의 입력단과 상기 광신호검출소자 사이에 배치되며, 상기 광도파로의 입력단과 상기 광신호검출소자로 상기 제1광신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 피드 포워드 방식의 왜곡신호 제거장치
|
3 |
3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제1광신호발생소자와 상기 광신호검출소자는 티오캔(TO-can) 내에 실장되는 것을 특징으로 하는 피드 포워드 방식의 왜곡신호 제거장치
|
4 |
4
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제1광신호발생소자는 서브 마운트 기판 위에 다이본딩된 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 피드 포워드 방식의 왜곡신호 제거장치
|
5 |
5
제 1항에 있어서,상기 왜곡신호생성회로는,상기 입력신호를 분기하는 신호분기소자;상기 광신호검출소자로부터 입력된 검출신호를 증폭하여 출력하는 제1증폭소자;상기 분기된 입력신호의 위상을 상기 광신호검출소자에 의해 검출된 검출신호의 위상과 180°의 차이가 나도록 변환하고, 상기 분기된 입력신호의 크기를 상기 제1증폭소자의 출력신호의 크기로 변환하여 출력하는 제1신호조정부; 및상기 제1신호조정부의 출력신호와 상기 제1증폭소자의 출력신호를 결합하여 상기 왜곡신호를 출력하는 신호결합소자;를 포함하며,상기 신호분기소자와 상기 제1신호조정부를 전기적으로 결합시키는 제1전송선로의 길이는 상기 제1광신호발생소자, 상기 광신호검출소자 및 상기 제1증폭소자의 시간지연특성에 의해 발생하는 상기 제1증폭소자의 출력신호와 상기 제1신호조정부의 출력신호의 시간지연의 차이에 해당하는 위상차가 상기 제1신호조정부의 위상변환범위에 속하도록 결정되는 것을 특징으로 하는 피드 포워드 방식의 왜곡신호 제거장치
|
6 |
6
제 5항에 있어서,상기 왜곡신호생성회로는 상기 신호결합소자의 출력신호의 위상을 상기 제1광신호발생소자의 출력신호의 위상과 180°의 차이가 나도록 변환하고, 상기 신호결합소자의 출력신호의 크기를 상기 제1광신호발생소자의 입력신호의 크기에 대응하여 변환하여 출력하는 제2신호조정부를 더 포함하며,입력단과 출력단이 각각 상기 제1광신호발생소자 및 상기 광결합소자와 광결합되는 제1광도파로, 유전체 기판 위에 형성되며 입력단과 출력단이 각각 상기 제2광신호결합소자 및 상기 광결합소자와 광결합되는 제2광도파로 및 상기 제2신호조정부와 상기 제2광신호발생소자를 전기적으로 결합시키는 제2전송선로의 각각의 길이는 상기 제1광도파로에 의한 신호지연시간과 상기 제2광도파로와 상기 제2전송선로에 의한 신호지연시간의 차이에 해당하는 위상차가 상기 제2신호조정부의 위상변환범위에 속하도록 결정되는 것을 특징으로 하는 피드 포워드 방식의 왜곡신호 제거장치
|
7 |
7
제 6항에 있어서,상기 왜곡신호생성회로는 상기 제2신호조정부로부터 출력되는 신호를 증폭하여 상기 신호결합소자로 출력하는 제2증폭소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 피드 포워드 방식의 왜곡신호 제거장치
|
8 |
8
제 1항 또는 제 5항에 있어서,상기 광결합소자는 광인쇄회로기판 위에 배치되며, 상기 광인쇄회로기판에는 입력단은 상기 제1광신호발생소자와 광결합되고 출력단은 상기 광결합소자와 광결합되는 제1광도파로 및 입력단은 상기 제2광신호발생소자와 광결합되고 출력단은 상기 광결합소자와 광결합되는 제2광도파로가 형성되는 것을 특징으로 하는 피드 포워드 방식의 왜곡신호 제거장치
|
9 |
9
제 1항 또는 제 5항에 있어서,상기 광결합소자는 실리콘 기판 상에 형성되며, 상기 실리콘 기판에는 입력단은 상기 제1광신호발생소자와 광결합되고 출력단은 상기 광결합소자와 광결합되는 제1광도파로 및 입력단은 상기 제2광신호발생소자와 광결합되고 출력단은 상기 광결합소자와 광결합되는 제2광도파로가 형성되는 것을 특징으로 하는 피드 포워드 방식의 왜곡신호 제거장치
|
10 |
10
제 9항에 있어서,상기 왜곡신호생성회로는 상기 제1광신호발생소자, 상기 제2광신호발생소자 및 상기 광신호검출소자와 전기적인 접속을 제공하는 신호라인이 인쇄된 반도체 기판 상에 장착되며, 상기 실리콘 기판과 상기 반도체 기판은 다이본딩되는 것을 특징으로 하는 피드 포워드 방식의 왜곡신호 제거장치
|
11 |
11
제 1항 또는 제 5항에 있어서,상기 제1광신호발생소자, 상기 제2광신호발생소자 및 상기 광신호검출소자는 유전체 기판에 배치되고, 상기 유전체 기판에 형성된 복수의 V-홈 각각에는 입력단은 상기 제1광신호발생소자와 광결합되고 출력단은 상기 광결합소자와 광결합되는 제1광섬유 및 입력단은 상기 제2광신호발생소자와 광결합되고 출력단은 상기 광결합소자와 광결합되는 제2광섬유가 본딩되어 배치되는 것을 특징으로 하는 피드 포워드 방식의 왜곡신호 제거장치
|
12 |
12
제 1항 또는 제 5항에 있어서,상기 제1광신호발생소자, 상기 제2광신호발생소자 및 상기 광신호검출소자는 유전체 기판에 배치되고, 상기 왜곡신호생성회로는 상기 제1광신호발생소자, 상기 제2광신호발생소자 및 상기 광신호검출소자와 전기적인 접속을 제공하는 신호라인이 인쇄된 반도체 기판 상에 장착되며, 상기 유전체 기판과 상기 반도체 기판은 다이본딩되는 것을 특징으로 하는 피드 포워드 방식의 왜곡신호 제거장치
|
13 |
13
제 1항 또는 제 5항에 있어서,상기 왜곡신호 생성회로는 고주파 모놀리식 집적회로로 제작되는 것을 특징으로 하는 피드 포워드 방식의 왜곡신호 제거장치
|
14 |
14
입력신호를 제1광신호로 변조하여 출력하는 제1광신호발생소자;상기 제1광신호를 검출하고, 상기 검출된 제1광신호를 광전변환하여 검출신호를 출력하는 광신호검출소자;외부로부터 공급된 상기 입력신호를 상기 제1광신호발생소자로 제공하고, 상기 입력신호의 위상을 상기 광신호검출소자에 의해 검출된 검출신호의 위상과 180°의 차이가 나도록 변환하고, 상기 입력신호의 크기를 상기 검출신호의 크기에 대응하여 변환하며, 상기 위상 및 크기가 변환된 입력신호와 상기 검출신호를 결합하여 상기 검출신호에 포함된 왜곡신호를 출력하는 왜곡신호생성회로;상기 왜곡신호를 제2광신호로 변조하여 출력하는 제2광신호발생소자; 및상기 제1광신호와 상기 제2광신호를 결합하여 출력하는 광결합소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광신호 전송장치
|
15 |
15
제 14항에 있어서,상기 왜곡신호생성회로는,상기 입력신호를 분기하는 신호분기소자;상기 광신호검출소자로부터 입력된 검출신호를 증폭하여 출력하는 제1증폭소자;상기 분기된 입력신호의 위상을 상기 광신호검출소자에 의해 검출된 검출신호의 위상과 180°의 차이가 나도록 변환하고, 상기 분기된 입력신호의 크기를 상기 제1증폭소자의 출력신호의 크기로 변환하여 출력하는 제1신호조정부; 및상기 제1신호조정부의 출력신호와 상기 제1증폭소자의 출력신호를 결합하여 상기 왜곡신호를 출력하는 신호결합소자;를 포함하며,상기 신호분기소자와 상기 제1신호조정부를 전기적으로 결합시키는 제1전송선로의 길이는 상기 제1광신호발생소자, 상기 광신호검출소자 및 상기 제1증폭소자의 시간지연특성에 의해 발생하는 상기 제1증폭소자의 출력신호와 상기 제1신호조정부의 출력신호의 시간지연의 차이에 해당하는 위상차가 상기 제1신호조정부의 위상변환범위에 속하도록 결정되는 것을 특징으로 하는 광신호 전송장치
|
16 |
16
제 15항에 있어서,상기 왜곡신호생성회로는 상기 신호결합소자의 출력신호의 위상을 상기 제1광신호발생소자의 출력신호의 위상과 180°의 차이가 나도록 변환하고, 상기 신호결합소자의 출력신호의 크기를 상기 제1광신호발생소자의 입력신호의 크기에 대응하여 변환하여 출력하는 제2신호조정부를 더 포함하며,입력단은 상기 제1광신호발생소자와 광결합되고 출력단은 상기 광결합소자와 광결합되는 제1광도파로, 입력단은 상기 제2광신호발생소자와 광결합되고 출력단은 상기 광결합소자와 광결합되는 제2광도파로 및 상기 제2신호조정부와 상기 제2광신호발생소자를 전기적으로 결합시키는 제2전송선로의 각각의 길이는 상기 제1광도파로에 의한 신호지연시간과 상기 제2광도파로와 상기 제2전송선로에 의한 신호지연시간의 차이에 해당하는 위상차가 상기 제2신호조정부의 위상변환범위에 속하도록 결정되는 것을 특징으로 하는 광신호 전송장치
|
17 |
17
제 16항에 있어서,상기 왜곡신호생성회로는 상기 제2신호조정부로부터 출력되는 신호를 증폭하여 상기 신호결합소자로 출력하는 제2증폭소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광신호 전송장치
|
18 |
18
제 14항 또는 제 15항에 있어서,상기 광결합소자는 광인쇄회로기판 위에 배치되며, 상기 광인쇄회로기판에는 입력단은 상기 제1광신호발생소자와 광결합되고 출력단은 상기 광결합소자와 광결합되는 제1광도파로 및 입력단은 상기 제2광신호발생소자와 광결합되고 출력단은 상기 광결합소자와 광결합되는 제2광도파로가 형성되는 것을 특징으로 하는 광신호 전송장치
|
19 |
19
제 14항 또는 제 15항에 있어서,상기 광결합소자는 실리콘 기판 상에 형성되며, 상기 실리콘 기판에는 입력단은 상기 제1광신호발생소자와 광결합되고 출력단은 상기 광결합소자와 광결합되는 제1광도파로 및 입력단은 상기 제2광신호발생소자와 광결합되고 출력단은 상기 광결합소자와 광결합되는 제2광도파로가 형성되는 것을 특징으로 하는 광신호 전송장치
|
20 |
20
제 14항 또는 제 15항에 있어서,상기 제1광신호발생소자, 상기 제2광신호발생소자 및 상기 광신호검출소자는 유전체 기판에 배치되고, 상기 왜곡신호생성회로는 상기 제1광신호발생소자, 상기 제2광신호발생소자 및 상기 광신호검출소자와 전기적인 접속을 제공하는 신호라인이 인쇄된 반도체 기판 상에 장착되며, 상기 유전체 기판과 상기 반도체 기판은 다이본딩되는 것을 특징으로 하는 광신호 전송장치
|
21 |
21
제 14항 또는 제 15항에 있어서,상기 왜곡신호 생성회로는 고주파 모놀리식 집적회로로 제작되는 것을 특징으로 하는 광신호 전송장치
|