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빛을 투과하는 게이트 전극을 가지는 MOS 구조를포함하는 이미지 센서

  • 기술번호 : KST2015185771
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서, 포토 다이오드를 포함하고, 빛을 투과하는 전도성 층 및 유전체 층이, 상기 포토 다이오드의 디퓨젼 영역에 인접하여 상기 포토 다이오드의 서브스트레이트 위에 올려진 구조를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 이미지 센서는, 종래 기술에 의한 CMOS 이미지 센서에서 감지할 수 있는 빛보다 더 약한 세기의 빛을 감지하고, 동시에 동일한 이미지 센서에 의하여 종래 기술에 의한 CMOS 이미지 센서에서 구분할 수 있는 빛보다 더 센 세기를 가지는 빛을 구분하는 측정값을 출력하므로 측정할 수 있는 빛의 세기의 영역이 커져서 결과적으로 동적 영역 특성이 개선된 효과를 달성한다. 포토 다이오드, 이미지 센서, 동적 영역
Int. CL H01L 27/146 (2006.01.01) H01L 29/94 (2006.01.01)
CPC H01L 27/14609(2013.01) H01L 27/14609(2013.01) H01L 27/14609(2013.01)
출원번호/일자 1020060059171 (2006.06.29)
출원인 경상대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0776320-0000 (2007.11.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.29)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경상대학교산학협력단 대한민국 경상남도 진주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정인영 대한민국 경기 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경상대학교산학협력단 대한민국 경상남도 진주시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0466523-73
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0153594-22
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0377834-36
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.06.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0458248-13
5 의견서
Written Opinion
2007.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0458249-69
6 등록결정서
Decision to grant
2007.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0563302-79
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.13 수리 (Accepted) 4-1-2012-5079647-31
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5097137-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5189369-94
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5189075-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.13 수리 (Accepted) 4-1-2017-5148295-43
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5208281-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5055369-44
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2019-5140738-61
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.02.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5029557-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2020-5103872-83
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
포토 다이오드를 포함하고, 빛을 투과하는 전도성 층 및 유전체 층이, 상기 포토 다이오드의 디퓨젼 영역에 인접하여 상기 포토 다이오드의 서브스트레이트 위에 올려진 구조를 포함하고, 상기 전도성 층에 인가되는 게이트 전압이 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 포토 다이오드는 pn 접합 다이오드인 것을 특징으로 하는 이미지 센서
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 포토 다이오드는 핀드 다이오드인 것을 특징으로 하는 이미지 센서
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 빛을 투과하는 전도성 층은, 투명 또는 반투명한 전도성 물질인 것을 특징으로 하는 이미지 센서
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 빛을 투과하는 전도성 층 및 유전체 층은 상기 포토 다이오드의 서브스트레이트와 MOS 캐패시터 구조를 이루고, 이러한 MOS 캐패시터 구조가 복수 개인 것을 특징으로 하는 이미지 센서
6 6
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 이미지 센서를 포함하는 3T 이미지 센서 셀
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 빛을 투과하는 전도성 층 및 유전체 층은 상기 포토 다이오드의 서브스트레이트와 MOS 캐패시터 구조를 이루고, 이러한 MOS 캐패시터의 개수, 위치 또는 면적을 가변하여 전체 캐패시턴스를 조절하는 것을 특징으로 하는 3T 이미지 센서 셀
8 8
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 이미지 센서를 포함하는 4T 이미지 센서 셀
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 빛을 투과하는 전도성 층 및 유전체 층은 상기 포토 다이오드의 서브스트레이트와 MOS 캐패시터 구조를 이루고, 이러한 MOS 캐패시터의 개수, 위치 또는 면적을 가변하여 전체 캐패시턴스를 조절하는 것을 특징으로 하는 4T 이미지 센서 셀
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.