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안트라센계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015186100
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 안트라센계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자가 개시된다.
Int. CL C07F 7/08 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0052(2013.01) H01L 51/0052(2013.01) H01L 51/0052(2013.01) H01L 51/0052(2013.01) H01L 51/0052(2013.01) H01L 51/0052(2013.01) H01L 51/0052(2013.01) H01L 51/0052(2013.01) H01L 51/0052(2013.01)
출원번호/일자 1020130099886 (2013.08.22)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 경상대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2100371-0000 (2020.04.07)
공개번호/일자 10-2015-0022270 (2015.03.04) 문서열기
공고번호/일자 (20200416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.07.05)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 경상대학교산학협력단 대한민국 경상남도 진주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김미경 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 추창웅 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 김세훈 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 조환희 대한민국 경기도 용인시 기흥구
5 김동현 대한민국 경기도 용인시 기흥구
6 김윤희 대한민국 경남 진주시 진주대로
7 권순기 대한민국 경남 진주시 진주대로
8 이윤지 대한민국 경남 진주시 진주대로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 경상대학교산학협력단 경상남도 진주시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0764928-04
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5189075-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5189369-94
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.13 수리 (Accepted) 4-1-2017-5148295-43
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5208281-01
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0664015-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5055369-44
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0041555-07
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0434760-99
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2019-5140738-61
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.08.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0836194-27
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0836193-82
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0913683-28
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-0047997-02
18 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.01.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0047998-47
19 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0056242-18
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.02.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5029557-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2020-5103872-83
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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하기 화합물 1 내지 28 중 어느 하나인, 안트라센계 화합물:003c#화합물 1003e# 003c#화합물 2003e# 003c#화합물 3003e# 003c#화합물 4003e# 003c#화합물 5003e# 003c#화합물 6003e# 003c#화합물 7003e# 003c#화합물 8003e# 003c#화합물 9003e# 003c#화합물 10003e# 003c#화합물 11003e# 003c#화합물 12003e#003c#화합물 13003e# 003c#화합물 14003e# 003c#화합물 15003e# 003c#화합물 16003e# 003c#화합물 17003e# 003c#화합물 18003e# 003c#화합물 19003e# 003c#화합물 20003e# 003c#화합물 21003e# 003c#화합물 22003e# 003c#화합물 23003e# 003c#화합물 24003e# 003c#화합물 25003e# 003c#화합물 26003e# 003c#화합물 27003e# 003c#화합물 28003e#
12 12
제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층을 포함하고, 상기 유기층이 제11항의 안트라센계 화합물 중 1종 이상을 포함하는 유기 발광 소자
13 13
제12항에 있어서,상기 유기층이, 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공 수송 영역을 포함하고, 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함한 전자 수송 영역을 포함한, 유기 발광 소자
14 14
제12항에 있어서, 상기 안트라센계 화합물이 상기 발광층에 존재하는, 유기 발광 소자
15 15
제14항에 있어서, 상기 발광층에 하기 화학식 100으로 표시되는 도펀트가 더 포함되고, 상기 안트라센계 화합물은 호스트인 유기 발광 소자:003c#화학식 100003e#상기 화학식 100 중,X는 i) 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 파이레닐렌기, 안트라세닐렌기, 크라이세닐렌기, 플루오레닐렌기 및 벤조플루오레닐렌기; 및ii) 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기, C6-C30아릴기 및 C1-C30헤테로아릴기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 파이레닐렌기, 안트라세닐렌기, 크라이세닐렌기, 플루오레닐렌기 및 벤조플루오레닐렌기 중에서 선택되고;Ar101 및 Ar102는 서로 독립적으로, i) C6-C30아릴기; 및ii) 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기, C6-C30아릴기, C1-C30헤테로아릴기 및 -Si(Q1)(Q2)(Q3) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C6-C30아릴기 중에서 선택되고; Q1 내지 Q3는 서로 독립적으로, C1-C30알킬기 및 C6-C30아릴기 중에서 선택되고;n은 1 내지 4의 정수이다
16 16
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17 17
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2 US20150053945 US 미국 FAMILY

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