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제12항에 있어서,상기 유기층이, 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공 수송 영역을 포함하고, 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함한 전자 수송 영역을 포함한, 유기 발광 소자
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제14항에 있어서, 상기 발광층에 하기 화학식 100으로 표시되는 도펀트가 더 포함되고, 상기 안트라센계 화합물은 호스트인 유기 발광 소자:003c#화학식 100003e#상기 화학식 100 중,X는 i) 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 파이레닐렌기, 안트라세닐렌기, 크라이세닐렌기, 플루오레닐렌기 및 벤조플루오레닐렌기; 및ii) 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기, C6-C30아릴기 및 C1-C30헤테로아릴기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 나프탈레닐기, 페난트레닐기, 파이레닐렌기, 안트라세닐렌기, 크라이세닐렌기, 플루오레닐렌기 및 벤조플루오레닐렌기 중에서 선택되고;Ar101 및 Ar102는 서로 독립적으로, i) C6-C30아릴기; 및ii) 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기, C6-C30아릴기, C1-C30헤테로아릴기 및 -Si(Q1)(Q2)(Q3) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C6-C30아릴기 중에서 선택되고; Q1 내지 Q3는 서로 독립적으로, C1-C30알킬기 및 C6-C30아릴기 중에서 선택되고;n은 1 내지 4의 정수이다
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