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하기 화학식 1로 표시되는 단량체로 이루어진 유기 반도체 화합물
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제 1항에 있어서,상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 유기 반도체 화합물
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제 2항에 있어서,상기 화학식 2에서,R1 은 C1~C10알킬이고,R5 및 R6는 각각 독립적으로 C1~C30알킬인 유기 반도체 화합물
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제 3항에 있어서,R1 은 C5-C10알킬이고,R5 및 R6은 각각 독립적으로 C5-C10알킬인 유기 반도체 화합물
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제 1항에 있어서,상기 화학식 1은 하기 화합물에서 선택되는 것인 유기 반도체 화합물
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하기 화학식 16으로 표시되는 화합물과 화학식 17로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 18로 표시되는 화합물을 제조하는 단계;화학식 18로 표시되는 화합물과 n-브로모숙신이미드를 반응시켜 화학식 19로 표시되는 화합물을 제조하는 단계;화학식 19로 표시되는 화합물과 화학식 20으로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계;를 포함하는 화학식 1로 표시되는 유기 반도체 화합물의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 화학식 1은 화학식 20 화합물 1몰에 대하여, 화학식 19 화합물을 2 ~ 2
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8
제 6항에 있어서,Z는 S이며, R1 은 C1~C30알킬이고,R3 및 R4는 각각 독립적으로 , , , 또는 에서 선택되며, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 S, O 또는 Se이고, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C1~C50알킬, C1~C50알콕시, C1~C50알킬알콕시카보닐, C6~C50아릴, C3~C30헤테로아릴, C6~C50아르C1~C50알킬이며, R5 및 R6의 알킬, 알콕시, 알킬알콕시카보닐, 아릴, 헤테로아릴, 아르알킬은 C1~C30알킬, C2~C30알케닐, C2~C30알키닐, C1~C30알콕시, 아미노기, 하이드록시기, 할로겐기, 사이아노기, 나이트로기, 트리플루오로메틸기 및 실릴기로 선택되는 하나 이상의 치환기로 더 치환된 것인 유기 반도체 화합물의 제조방법
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9
제 8항에 있어서,Z는 S이며, R1 은 C1~C30알킬이고,R3 및 R4는 각각 독립적으로 또는 이고,Z1 은 S 또는 Se이며,R5 는 C1~C50알킬인 유기 반도체 화합물의 제조방법
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10
제 9항에 있어서,Z는 S이며, R1 은 C5~C10알킬이고,R3 및 R4는 각각 독립적으로 또는 이고,Z1 은 S 또는 Se이며,R5 는 C5~C10알킬인 유기 반도체 화합물의 제조방법
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하기 화학식 21로 표시되는 단량체로 이루어진 유기 반도체 화합물
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제 11항에 있어서,Z는 S이고, R1 은 C1~C30알킬이고, R7 은 C1~C50알킬인 유기 반도체 화합물
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13
제 12항에 있어서,Z는 S이고, R1 은 C5~C10알킬이고, R7 은 C5~C10알킬인 유기 반도체 화합물
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14
하기 화학식 16의 화합물과 화학식 22의 화합물을 반응시켜 화학식 21의 화합물을 제조하는 단계;를 포함하는 화학식 21로 표시되는 유기 반도체 화합물의 제조방법
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15
제 14항에 있어서,Z는 S이고, R1 은 C1~C30알킬이고, R7 은 C1~C50알킬인 유기 반도체 화합물의 제조방법
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16
제 14항에 있어서,Z는 S이고, R1 은 C5~C10알킬이고, R7 은 C5~C10알킬인 유기 반도체 화합물의 제조방법
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제 14항에 있어서,상기 화학식 21은 화학식 16 화합물 1몰에 대하여, 화학식 22 화합물을 2 ~ 2
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제 1항 내지 제 5항 및 제 11항 내지 제 13항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 유기 반도체 화합물을 함유하는 유기 태양전지
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제 18항에 있어서,상기 유기 태양전지는 구조가 기판, 투명전극, 정공수송층, 활성층, 전자수송층, 금속전극이 순차적으로 적층된 구조인 유기 태양전지
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