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다성분계 금속 산화물을 포함하는 전극물질이 전착된 슈퍼커패시터용 전극 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015187604
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요약 본 발명은 다성분계 금속 산화물을 포함하는 전극물질이 전착된 커패시터용 전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 여러 구현예에 따르면, 다성분계 금속산화물을 전극물질로 사용함으로서 종래 고가의 단일 성분으로 구성된 금속산화물 슈퍼커패시터를 대체할 수 있는 전극의 개발이 가능하고, 종래 도전제와 바인더를 사용하여 전극을 제조하는 방법에서 벗어나 전극을 그대로 사용할 수 있기 때문에 공정의 단계를 개선함과 동시에 공정비용을 감소시키는 효과를 달성할 수 있을 뿐만 아니라, 본 발명의 제조방법을 이용하여 니켈, 코발트, 망간으로 이루어진 삼성분계 금속산화물 이외에도 슈퍼커패시터 후보물질인 다른 금속산화물을 전착시킬 수 있으므로 리튬이온 이차전지의 전극개발에도 유용하게 이용될 수 있다.
Int. CL H01G 11/22 (2013.01)
CPC H01G 11/22(2013.01)
출원번호/일자 1020130154754 (2013.12.12)
출원인 에쓰대시오일 주식회사, 아주대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1573780-0000 (2015.11.26)
공개번호/일자 10-2015-0068737 (2015.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20151211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.12)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에쓰대시오일 주식회사 대한민국 서울 마포구
2 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송찬주 대한민국 울산광역시 남구
2 강흥중 대한민국 울산광역시 남구
3 권범진 대한민국 울산광역시 남구
4 김창구 대한민국 서울특별시 강동구
5 이혜민 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에쓰대시오일 주식회사 서울 마포구
2 아주대학교산학협력단 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-1139117-23
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-5000672-13
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0173906-38
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0082661-99
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0805516-84
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0072533-55
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0180750-12
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0191036-88
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0191017-10
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0506944-66
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2015-0758749-11
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.08.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0758751-03
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0690741-10
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0992062-86
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.10.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0992076-14
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-1028452-13
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.22 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-1028460-78
19 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2015.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0167887-90
20 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2015.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-1080917-40
21 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2015.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0173423-15
22 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0802372-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
하기 화학식 1의 조성을 갖는 다성분계 금속산화물을 포함하는 전극물질:[화학식 1]MaM'bM''c(상기 화학식 1에서, 상기 M은 Ni이고, 상기 M'는 Co이며, 상기 M''은 Mn 또는 Fe이고, 상기 a, b 및 c는 상기 금속의 원자백분율이며, 상기 a, b 및 c는 실수이고, a는 50 ≤ a ≤ 75이며, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 35이고, 상기 c는 5 ≤ c ≤ 25이며, a+b+c=100이다)
3 3
제2항의 다성분계 금속산화물을 포함하는 전극물질이 탄소계 기판 상에 전착된 커패시터용 전극
4 4
제3항에 있어서,상기 탄소계 기판은 그래파이트 또는 니켈포일인 것을 특징으로 하는 커패시터용 전극
5 5
제3항에 있어서,상기 전극은 20-60 A/g 전류에서 비축전용량이 200-600 F/g인 것을 특징으로 하는 커패시터용 전극
6 6
다성분계 금속산화물 전구체 용액에 기준전극과, 상대전극 및 작업전극으로서 탄소계 기판을 침지시키고, 전류를 인가하여 상기 기판 상에 다성분계 금속산화물을 전착하는 단계를 포함하는 커패시터용 전극의 제조방법으로서, 상기 다성분계 금속산화물은 하기 화학식 1의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 커패시터용 전극의 제조방법: [화학식 1] MaM'bM''c (상기 화학식 1에서, 상기 M은 Ni이고, 상기 M'는 Co이며, 상기 M''은 Mn 또는 Fe이고, 상기 a, b 및 c는 상기 금속의 원자백분율이며, 상기 a, b 및 c는 실수이고, a는 50 ≤ a ≤ 75이며, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 35이고, 상기 c는 5 ≤ c ≤ 25이며, a+b+c=100이다)
7 7
제6항에 있어서,상기 전류는 -50mA/cm2 내지 -100 mA/cm2인 것을 특징으로 하는 커패시터용 전극의 제조방법
8 8
제6항에 있어서,상기 다성분계 금속산화물 전구체 용액은 제1 전구체 용액과 제2 전구체 용액을 혼합한 혼합 전구체 용액에 제3 전구체 용액을 첨가하여 제조되고,상기 혼합 전구체 용액 내 제1 전구체 대비 제2 전구체의 몰비가 2:1 내지 3:1이고,상기 다성분계 금속산화물 전구체 용액 내 제1 전구체 대비 제3 전구체의 몰비는 10:1 내지 30:1이며,상기 제1 전구체, 제2 전구체, 제3 전구체는 각각 염화니켈(NiCl2·6H2O),염화코발트(CoCl2·6H2O),망간아세테이트(Mn(CH3COO)2·4H2O)인 것을 특징으로 하는 커패시터용 전극의 제조방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제6항에 있어서,상기 기준전극은 Ag/AgCl, 기준수소전극, 표준수소전극, 칼로멜 중에서 선택되는 1종의 전극인 것을 특징으로 하는 커패시터용 전극의 제조방법
12 12
제6항에 있어서,상기 탄소계 기판은 그래파이트 시트 또는 니켈포일인 것을 특징으로 하는 커패시터용 전극의 제조방법
13 13
제6항에 있어서,상기 탄소계 기판은 (a) 탄소계 기판 표면에 폴리싱 작업을 수행하여 거칠기를 증가시키는 단계;(b) 상기 (a) 단계에서 얻은 탄소계 기판을 10-30 중량% 황산, 20-30 중량% 질산 혹은 염산 중에서 선택되는 1종 이상의 산 수용액에 침지시켜 표면을 에칭하는 단계;(c) 상기 (b) 단계에서 얻은 탄소계 기판을 C1-C6 알코올에 침지시켜 미세결함 및 불순물을 제거하는 단계를 포함하는 전처리 과정을 통해 얻어지는 것을 특징으로 하는 커패시터용 전극의 제조방법
14 14
제6항에 있어서,상기 다성분계 금속산화물 산화물이 전착된 기판은 100-300 ℃의 온도에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터용 전극의 제조방법
15 15
(A) 제2항의 다성분계 금속산화물을 포함하는 전극물질이 탄소계 기판 상에 전착된 커패시터용 전극;(B) 전해질;(C) 집전체; 및 (D) 격리막으로 구성되는 커패시터에 있어서,상기 (B) 전해질은 Na2SO4, KOH, KCl, H2SO4 중에서 선택되는 1종 이상의 수용액인 것을 특징으로 하는 커패시터
16 16
제15항에 있어서,상기 커패시터는 슈퍼커패시터인 것을 특징으로 하는 커패시터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.