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탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체, 상기의 제조방법, 및 상기를 포함하는 광촉매

  • 기술번호 : KST2015187953
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 금속 산화물-함유 다공성 구조체에 탄소를 도핑함으로써 흡광도 및 광촉매 활성을 향상시킬 수 있는 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체, 상기 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법, 및 상기 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체를 포함하는 광촉매에 관한 것이다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) B01J 37/02 (2006.01) B01J 21/06 (2006.01)
CPC B01J 21/063(2013.01) B01J 21/063(2013.01) B01J 21/063(2013.01)
출원번호/일자 1020130113218 (2013.09.24)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1524016-0000 (2015.05.22)
공개번호/일자 10-2015-0033338 (2015.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20150529) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.24)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문준혁 대한민국 서울 양천구
2 이선복 대한민국 대전 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0863421-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0041791-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0817271-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0021935-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0021937-13
7 등록결정서
Decision to grant
2015.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0334379-34
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체; 상기 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체 표면에 형성된 제 2 금속 산화물-함유 나노입자; 및, 상기 제 2 금속 산화물-함유 나노입자 표면에 도핑된 탄소를 포함하는, 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체로서,상기 제 2 금속 산화물-함유 나노입자 표면에 도핑된 탄소는, 상기 제 2 금속 산화물-함유 나노입자가 형성된 상기 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체에 탄소 전구체 레졸이 포함된 용액을 회전코팅한 후 불활성 기체 분위기에서 탄화시키는 것에 의해 형성되며,상기 탄소 전구체 레졸은 페놀-포름알데히드, 하이드로퀴논-포름알데히드, 플로로글루시놀-포름알데히드, 페놀, 플로로글루시놀, 레조르시놀-포름알데히드, 탄소수 1 내지 20을 가지는 지방족 탄화수소계 또는 방향족 탄화수소계 알데히드류, 수크로스, 글루코오스, 자일로오스, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 단량체를 산 촉매 또는 염기성 촉매를 사용하여 축합중합반응시켜 제조되는 것을 포함하거나; 또는, 디비닐벤젠, 아크릴로니트릴, 염화비닐, 비닐아세테이트, 스티렌, 메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 우레아, 멜라민, CH2=CRR' (여기에서, R 및 R'은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20을 가지는 알킬기 또는 아릴기를 나타냄), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 단량체를 중합개시제를 사용하여 부가중합반응시켜 제조되는 것을 포함하는 것인,탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 기공은 단순입방정계, 체심입방정계, 면심입방정계, 또는 역전오팔 구조 형태로 배열된 것인, 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속 산화물 및 제 2 금속 산화물은 각각 독립적으로 Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체
4 4
기재 상에 고분자 콜로이드 입자를 함유하는 희생층을 형성하고;상기 희생층에 제 1 금속 산화물의 전구체를 주입하고;상기 희생층을 제거함으로써 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체를 형성하고;상기 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체 표면에 제 2 금속 산화물-함유 나노입자를 형성하고; 및,상기 제 2 금속 산화물-함유 나노입자 표면에 탄소를 도핑하는 것을 포함하는, 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법으로서,상기 제 2 금속 산화물-함유 나노입자 표면에 탄소를 도핑하는 것은, 상기 제 2 금속 산화물-함유 나노입자가 형성된 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체에 탄소 전구체 레졸이 포함된 용액을 회전코팅하고;불활성 기체 분위기에서 탄화시키는 것을 포함하며,상기 탄소 전구체 레졸은 페놀-포름알데히드, 하이드로퀴논-포름알데히드, 플로로글루시놀-포름알데히드, 페놀, 플로로글루시놀, 레조르시놀-포름알데히드, 탄소수 1 내지 20을 가지는 지방족 탄화수소계 또는 방향족 탄화수소계 알데히드류, 수크로스, 글루코오스, 자일로오스, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 단량체를 산 촉매 또는 염기성 촉매를 사용하여 축합중합반응시켜 제조되는 것을 포함하거나; 또는, 디비닐벤젠, 아크릴로니트릴, 염화비닐, 비닐아세테이트, 스티렌, 메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 우레아, 멜라민, CH2=CRR' (여기에서, R 및 R'은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20을 가지는 알킬기 또는 아릴기를 나타냄), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 단량체를 중합개시제를 사용하여 부가중합반응시켜 제조되는 것을 포함하는 것인,탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제 1 금속 산화물의 전구체는 솔-젤(sol-gel) 반응을 일으킬 수 있는 전구체를 포함하는 것인, 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 희생층은 400℃ 내지 800℃의 온도범위에서 가열 소성하여 제거되는 것을 포함하는 것인, 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
7 7
제 4 항에 있어서,상기 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체 표면에 제 2 금속 산화물-함유 나노입자를 형성하는 것은, 상기 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체를 제 2 금속 산화물의 전구체-함유 용액에 담지하고 열처리하는 것을 포함하는 것인, 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 열처리는 400℃ 내지 600℃의 온도범위에서 수행하는 것인, 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
9 9
삭제
10 10
제 4 항에 있어서,상기 탄소 전구체 레졸의 질량 백분율에 따라 상기 제 2 금속 산화물-함유 나노입자 표면의 탄소-도핑 정도를 조절할 수 있는 것인, 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
11 11
삭제
12 12
제 4 항에 있어서,상기 불활성 기체 분위기에서 탄화시키는 것은, 700℃ 이상의 온도범위에서 수행하는 것인, 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
13 13
제 4 항에 있어서,상기 고분자 콜로이드 입자의 크기는 200 ㎚ 초과 내지 2 ㎛ 이하인 것인, 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
14 14
제 4 항에 있어서,상기 고분자 콜로이드 입자는 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/디비닐벤젠(PS/DVB), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트)(PBMA), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
15 15
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 상기 탄소가 도핑된 금속 산화물-함유 다공성 구조체를 포함하는, 광촉매
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1 교육과학기술부 서강대학교산학협력단 원천기술개발사업 제한공간내 자기조립을 이용한 계층형 광전변환소재 구조제어 및 광전특성 분
2 교육과학기술부 서강대학교산학협력단 일반연구자지원사업 광밴드갭에 의해 광흡수효율이 극대화된 고효율 광촉매 연구