맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

커패시터 어레이

  • 기술번호 : KST2015187995
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기생 커패시턴스의 영향이 최소화되는 커패시터 어레이를 제공한다.커패시터 어레이는 복수의 단위 커패시터들로 구성된 매트릭스 구조를 갖고, 커패시터 어레이를 구성하는 단위 커패시터는 평행판 커패시터를 이루는 하부 전극판과 상부 전극판 및 커패시터의 주변을 둘러싼 차폐 구조를 포함한다. 단위 커패시터들은 제1 방향의 상부 전극판 연결선에 의해 연결되어 복수의 커패시터 열들을 이루고, 커패시터 열들은 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 배치되며, 커패시터 열들 사이에는 단위 커패시터들 각각의 하부 전극판과 연결된 하부 전극판 리드 라인들이 배치된다.커패시터 어레이, 기생 커패시턴스, 대칭 구조, MIM, 차폐 구조
Int. CL H01L 27/04 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020050124894 (2005.12.17)
출원인 삼성전자주식회사, 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0794521-0000 (2008.01.08)
공개번호/일자 10-2007-0064445 (2007.06.21) 문서열기
공고번호/일자 (20080116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.17)
심사청구항수 27

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신은석 대한민국 서울 용산구
2 최희철 대한민국 경기 수원시 영통구
3 이승훈 대한민국 서울 마포구
4 이경훈 대한민국 서울 마포구
5 조영재 대한민국 서울 마포구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0739015-82
2 보정요구서
Request for Amendment		 2005.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0126801-34
3 안내문(직권수리)
Notification(Ex officio Acceptance)		 2005.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0127732-50
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0667130-94
5 의견서
Written Opinion		 2006.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0841434-59
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.11.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0841408-72
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0258248-24
8 의견서
Written Opinion		 2007.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0452992-24
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0453005-75
10 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0638865-98
11 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2008.01.08 수리 (Accepted) 2-1-2008-0006779-35
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판의 상방에 형성된 하부 전극판;상기 하부 전극판과 함께 평행판 커패시터를 이루는 상부 전극판;상기 하부 전극판과 동일층에 형성되고, 상기 하부 전극판을 둘러싼 제1 하위 차폐 구조; 및상기 상부 전극판과 동일층에 형성되고, 상기 상부 전극판을 둘러싼 제2 하위 차폐 구조를 포함하는 커패시터
2 2
제1항에 있어서,상기 상부 전극판은 제1 상부 전극판 및 상기 제1 상부 전극판의 위에 형성된 제2 상부 전극판을 포함하고, 상기 제2 하위 차폐 구조는 상기 제2 상부 전극판과 동일층에 형성된 것을 특징으로 하는 커패시터
3 3
제1항에 있어서,상기 상부 전극판의 상방에 형성된 제3 하위 차폐 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터
4 4
제3항에 있어서,상기 제3 하위 차폐 구조는 사각 링 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 커패시터
5 5
제1항에 있어서,상기 하부 전극판의 하방에 형성된 제4 하위 차폐 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터
6 6
제5항에 있어서,상기 제4 하위 차폐 구조는 사각 링 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 커패시터
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 하위 차폐 구조는 C 형 라인 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 커패시터
8 8
제1항에 있어서,상기 제2 하위 차폐 구조는 마주보는 두 개의 말굽 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 커패시터
9 9
제1항에 있어서,상기 제1 하위 차폐 구조와 상기 제2 하위 차폐 구조는 비아(VIA) 컨택에 의해 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 커패시터
10 10
반도체 기판의 상방에 형성된 사각 형상의 하부 전극판;상기 하부 전극판보다 좁은 면적의 사각 형상을 가지며, 상기 하부 전극판과 함께 평행판 커패시터를 이루는 제1 상부 전극판;상기 상부 전극판보다 좁은 면적의 사각 형상을 가지며, 상기 상부 전극판 위에 형성된 제2 상부 전극판;상기 하부 전극판과 동일층에 형성되고, 상기 하부 전극판과 떨어져서 상기 하부 전극판을 둘러싼 C 형 라인 구조를 갖는 제1 하위 차폐 구조; 및상기 제2 상부 전극판과 동일층에 형성되고, 상기 제2 상부 전극판과 떨어져서 상기 제2 상부 전극판을 둘러싼 마주보는 두 개의 말굽 구조를 갖는 제2 하위 차폐 구조를 포함하고,상기 제1 하위 차폐 구조와 상기 제2 하위 차폐 구조는 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 커패시터
11 11
청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
12 12
청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
13 13
청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
14 14
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
15 15
청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
16 16
복수의 단위 커패시터들로 구성된 매트릭스 구조의 커패시터 어레이에 있어서,상기 단위 커패시터들 각각은:하부 전극판;상기 하부 전극판과 함께 평행판 커패시터를 이루는 상부 전극판;상기 하부 전극판 및 상기 상부 전극판의 주변을 둘러싼 차폐 구조를 포함하고,상기 단위 커패시터들은 제1 방향의 상부 전극판 연결선에 의해 연결되어 복수의 커패시터 열들을 이루고,상기 커패시터 열들은 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 배치되며,커패시터 열들 사이에는 상기 단위 커패시터들 각각의 하부 전극판과 연결된 하부 전극판 리드 라인들이 배치되는 것을 특징으로 하는 커패시터 어레이
17 17
제16항에 있어서,상기 차폐 구조는 상기 하부 전극판과 동일층에 형성되고, 상기 하부 전극판을 둘러싼 제1 하위 차폐 구조; 및상기 상부 전극판과 동일층에 형성되고, 상기 상부 전극판을 둘러싼 제2 하위 차폐 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 어레이
18 18
제17항에 있어서,상기 상부 전극판은 제1 상부 전극판 및 상기 제1 상부 전극판의 위에 형성된 제2 상부 전극판을 포함하고, 상기 제2 하위 차폐 구조 및 상기 상부 전극판 연결선은 상기 제2 상부 전극판과 동일층에 형성된 것을 특징으로 하는 커패시터 어레이
19 19
제17항에 있어서,상기 상부 전극판의 상방에 형성된 사각 링 구조를 갖는 제3 하위 차폐 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 어레이
20 20
제17항에 있어서,상기 하부 전극판의 하방에 형성된 사각 링 구조를 갖는 제4 하위 차폐 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 어레이
21 21
청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
22 22
청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
23 23
제16항에 있어서,상기 리드 라인들 각각은 더미 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 어레이
24 24
제16항에 있어서,상기 커패시터 열들 사이에는 더미 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 어레이
25 25
제16항에 있어서,상기 리드 라인들은 상기 커패시터 열들 사이에 평행한 2개 열로 배열되는 것을 특징으로 하는 커패시터 어레이
26 26
제25항에 있어서,상기 커패시터 열들은 서로 동일한 개수의 단위 커패시터들로 구성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 어레이
27 27
청구항 27은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07560796 US 미국 FAMILY
2 US20070138587 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 TW200729456 TW 대만 DOCDBFAMILY
2 US2007138587 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US7560796 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.