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나노와이어를 이용한 발전 장치

기술번호 : KST2015188301
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 나노와이어를 이용한 발전 장치에 관한 것으로서 N형 반도체인 나노와이어와 P형 반도체로 이루어진 수광부를 포함하고, 나노와이어는 기계적 에너지를 전기적 에너지로 변환시키는 압전효과를 갖는 물질로 이루어져 있고, 수광부에 가해지는 압력이 나노와이어에 전해지도록 수광부에 나노와이어를 접촉시키면서, 수광부와 나노와이어가 접촉한 경우 PN접합을 형성하는 것을 특징으로 하며, 나노와이어와 수광부가 접촉시 PN 접합구조가 형성된 후, 태양광 에너지를 흡수함으로써, 전류를 발생시킴과 동시에 수광부에 전달된 진동 또는 압력이 압전효과를 갖는 나노와이어에 전달됨으로써 전류를 발생시킬 수 있다.
Int. CL	H02N 2/18 (2006.01) H01L 41/02 (2006.01) H02N 2/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020110056420 (2011.06.10)
출원인	동국대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1221501-0000 (2013.01.07)
공개번호/일자	10-2012-0137097 (2012.12.20) 문서열기
공고번호/일자	(20130115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.06.10)
심사청구항수	15

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	동국대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 중구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	전희창	대한민국	서울특별시 중구
2	조학동	대한민국	경기도 부천시 원미구
3	강태원	대한민국	서울특별시 성동구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인충현	대한민국	서울특별시 서초구 동산로 *, 층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	동국대학교 산학협력단		서울특별시 중구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.06.10	수리 (Accepted)	1-1-2011-0439178-53
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.06	수리 (Accepted)	4-1-2011-5243351-46
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2012.04.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2012.05.18	수리 (Accepted)	9-1-2012-0037742-75
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.06.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0341921-32
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.08.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-0647094-29
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.08.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0647095-75
8	등록결정서 Decision to grant	2012.12.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0800091-30
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.01.10	수리 (Accepted)	4-1-2014-0002002-62
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.16	수리 (Accepted)	4-1-2019-5163486-33

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 N형 반도체인 나노와이어; 및빛을 흡수하고 P형 반도체로 이루어진 수광부를 포함하고,상기 나노와이어는 기계적 에너지를 전기적 에너지로 변환시키는 압전효과를 갖는 물질로 이루어져 있고,상기 수광부에 가해지는 압력이 상기 나노와이어에 전해지도록 상기 수광부에 상기 나노와이어를 접촉시키면서, 상기 수광부와 상기 나노와이어가 접촉한 경우 PN접합을 형성하여 상기 수광부가 흡수한 빛 에너지 및 상기 압력에 따른 기계적 에너지를 전기적 에너지로 변환시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 발전 장치
2	2 제 1 항에 있어서,상기 수광부는 얇고 투명한 전도성 있는 물질로 구성되며, 상기 수광부는 전극으로서 사용되는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 발전 장치
3	3 제 1 항에 있어서,상기 수광부는 그라핀 또는 갈륨 나이트라이드(GaN)로 형성되고, 상기 나노와이어와 다른 전기적 타입을 갖고 있는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 발전 장치
4	4 제 1 항에 있어서,상기 나노와이어는 아연 산화물, 갈륨 질화물, 또는 바륨티타늄 산화물 중 어느 하나로 이루어진 나노와이어를 이용한 발전 장치
5	5 제 1 항에 있어서,상기 나노와이어를 지지하는 기판부를 더 포함하고,상기 기판부가 전기적으로 부도체인 경우, 상기 기판부와 상기 나노와이어 사이에 메탈 전극이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 발전 장치
6	6 제 1 항에 있어서,상기 나노와이어를 지지하는 기판부를 더 포함하고,상기 기판부가 전기적으로 도체인 경우, 상기 기판부를 전극으로 사용하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 발전 장치
7	7 P형 반도체인 나노와이어; 및빛을 흡수하고 N형 반도체로 이루어진 수광부를 포함하고,상기 나노와이어는 기계적 에너지를 전기적 에너지로 변환시키는 압전효과를 갖는 물질로 이루어져 있고,상기 수광부에 가해지는 압력이 상기 나노와이어에 전해지도록 상기 수광부에 상기 나노와이어를 접촉시키면서, 상기 수광부와 상기 나노와이어가 접촉한 경우 PN접합을 형성하여 상기 수광부가 흡수한 빛 에너지 및 상기 압력에 따른 기계적 에너지를 전기적 에너지로 변환시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 발전 장치
8	8 P형 반도체인 나노와이어;N형 반도체로 이루어진 기판부; 및빛이 투과할 수 있는 투명한 전도성 있는 물질로 구성되어, 전극으로서 사용되는 수광부를 포함하고,상기 기판부의 아래에는 금속전극이 있고, 상기 기판부의 위에 상기 나노와이어가 있으며, 상기 나노와이어 위에 상기 수광부가 있는 나노와이어를 이용한 발전 장치
9	9 N형 반도체인 나노와이어;P형 반도체로 이루어진 기판부; 및빛이 투과할 수 있는 투명한 전도성 있는 물질로 구성되어, 전극으로서 사용되는 수광부를 포함하고,상기 기판부의 아래에는 금속전극이 있고, 상기 기판부의 위에 상기 나노와이어가 있으며, 상기 나노와이어 위에 상기 수광부가 있는 나노와이어를 이용한 발전 장치
10	10 그라핀으로 이루어진 제 1 전극;그라핀으로 이루어진 제 2 전극;그라핀으로 이루어진 제 3 전극;상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 있고, N형 반도체로 이루어진 제 1 나노와이어; 및상기 제 2 전극과 상기 제 3 전극 사이에 있고, P형 반도체로 이루어진 제 2 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 발전 장치
11	11 제 10 항에 있어서,상기 제 1 전극, 상기 제 2 전극, 또는 상기 제 3 전극은 얇고 투명한 전도성이 있는 전극인 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 발전 장치
12	12 제 10 항에 있어서,상기 제 1 나노와이어와 상기 제 2 나노와이어는 PN 접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 발전 장치
13	13 제 10 항에 있어서,상기 제 1 나노와이어와 상기 제 2 나노와이어는 압전효과를 갖는 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 발전 장치
14	14 제 13 항에 있어서,상기 제 1 전극에 압력이 가해지면, 상기 제 1 나노와이어가 압력을 전달받게 되고, 상기 제 3 전극에 압력이 가해지면, 상기 제 2 나노와이어가 압력을 전달받게 되어 전기에너지를 발생시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 발전 장치
15	15 제 10 항에 있어서,상기 제 1 전극, 제 2 전극, 및 제 3 전극에 외에 그라핀으로 이루어진 적어도 하나 이상의 전극을 더 추가하되, 상기 추가된 전극과 전극 사이는 나노와이어가 포함되고, 상기 포함된 나노와이어의 전기적 타입인 N형 반도체와 P형 반도체가 번갈아 위치하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 발전 장치

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2012169826	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY
2	WO2012169826	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2012169826	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY
2	WO2012169826	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

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데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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특허 등록번호	10-1221501-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20110610 출원 번호 : 1020110056420 공고 연월일 : 20130115 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121229 청구범위의 항수 : 15 유별 : H02N 2/00 발명의 명칭 : 나노와이어를 이용한 발전 장치 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	315,000 원	2013년 01월 08일	납입
제 4 년분	금 액	259,000 원	2016년 01월 06일	납입
제 5 년분	금 액	259,000 원	2017년 01월 02일	납입
제 6 년분	금 액	259,000 원	2018년 01월 03일	납입
제 7 년분	금 액	335,000 원	2019년 01월 02일	납입
제 8 년분	금 액	335,000 원	2020년 01월 06일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.06.10	수리 (Accepted)	1-1-2011-0439178-53
2	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.06	수리 (Accepted)	4-1-2011-5243351-46
3	선행기술조사의뢰서	2012.04.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2012.05.18	수리 (Accepted)	9-1-2012-0037742-75
5	의견제출통지서	2012.06.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0341921-32
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.08.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-0647094-29
7	[명세서등 보정]보정서	2012.08.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0647095-75
8	등록결정서	2012.12.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0800091-30
9	출원인정보변경(경정)신고서	2014.01.10	수리 (Accepted)	4-1-2014-0002002-62
10	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.16	수리 (Accepted)	4-1-2019-5163486-33


과제고유번호	1345172822
세부과제번호	2008-0060607
연구과제명	강유전반도체와 강자성반도체를 이용한 다기능 Multinary-bit에 관한 연구
성과구분	등록
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2012
연구기간	200806~201302
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345197174
세부과제번호	2009-00454
연구과제명	IMT와 CNSI 기관 유치를 통한 나노-정보 기술 연구
성과구분	등록
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	200907~201506
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345156493
세부과제번호	2008-0060607
연구과제명	강유전반도체와 강자성반도체를 이용한 다기능 Multinary-bit에 관한 연구
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	동국대학교 산학협력단
성과제출연도	2011
연구기간	200806~201302
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345159096
세부과제번호	2009-00454
연구과제명	IMT와 CNSI 기관 유치를 통한 나노-정보 기술 연구
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	동국대학교
성과제출연도	2011
연구기간	200907~201506
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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