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갈륨 도핑량 증대에 의하여 출력인자가 향상된 산화아연의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015189132
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다결정 갈륨 도핑 산화아연에서의 갈륨 도핑량의 증대에 의하여 출력인자를 향상시킨 발명에 관한 것이다. 높은 캐리어 농도에도 불구하고, Zn0.985Ga0.015O의 제벡계수는 Zn0.990Ga0.010O의 그것보다 높았는데, 이는 상태밀도(DOS) 유효질량의 영향에 기인한다. 갈륨 치환에 따른 압축응력의 점진적 증가가 전도대(Conduction Band) DOS의 기저부에서 일어난다. 갈륨의 산화아연 기지내에서의 고용한계의 증가는 낮은 소성온도가 화학적 압축(chemical compression)을 가속시키기 때문이다. 단일상의 n타입 Zn0.985Ga0.015O는 12.5 μWcm-1K-2의 출력인자를 나타내었다.
Int. CL C04B 41/85 (2006.01) C04B 35/453 (2006.01) C04B 35/64 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120060654 (2012.06.05)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1322795-0000 (2013.10.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.05)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최순목 대한민국 서울 서초구
2 서원선 대한민국 서울시 영등포구
3 정광희 대한민국 서울 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최환욱 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)(특허법인 수)
2 강민수 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (역삼동, 우일빌딩)(광개토국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0450943-13
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0658012-35
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0904112-16
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0904111-60
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0706153-24
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
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번호 청구항
1 1
Zn, Ga 또는 이를 포함하는 화합물을 출발물질로 하여 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계;상기 제조된 혼합물을 이용하여 성형체를 제조하고 1차 소결하여 1차 소결체를 제조하는 단계;상기 1차 소결체를 분쇄하여 성형한 후, 2차 소결하여 2차 소결체를 제조하는 단계;를 포함하되, 상기 1차 소결에 의하여 Ga가 도핑된 ZnO가 합성되며, 상기 1차 소결은 900 ~ 1100℃의 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 갈륨 도핑량 증대에 의하여 출력인자가 향상된 산화아연의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 2차 소결체는 50 ~ 100MPa의 압력범위 및 1000 ~ 1200℃의 소결온도 범위에서 10분 이하를 유지시간으로 하여 스파크 플라즈마 소결방법에 의하여 소결되어 제조되는 것을 특징으로 하는 갈륨 도핑량 증대에 의하여 출력인자가 향상된 산화아연의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 1차 소결체는 Zn1-xGaxO를 일반식으로 하는 화합물로서, x는 0 초과 0
4 4
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1 US20150158737 US 미국 FAMILY
2 WO2013183819 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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2 WO2013183819 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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