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산화아연 단결정 나노 로드를 구비한 태양전지 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190128
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연 단결정 나노 로드를 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 태양전지는 기판; 상기 기판상에 형성된 반사방지막을 구비하는 반도체 전극; 상기 반도체전극과 대향하는 위치에 형성되는 상대 전극;을 포함하고 상기 반사방지막은 산화아연을 포함하는 금속산화물층이고, 상기 산화아연은 산화아연 단결정 나노 로드를 포함한다. 본 발명에 의하여 성장된 산화아연 단결정 나노 로드의 경우에는 가시광 영역에서도 낮은 반사율을 나타내는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020120015554 (2012.02.15)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1305548-0000 (2013.09.02)
공개번호/일자 10-2013-0094136 (2013.08.23) 문서열기
공고번호/일자 (20130906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.15)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태진 대한민국 대구광역시 수성구
2 박노국 대한민국 대구광역시 수성구
3 김용술 대한민국 경상북도 경주시 백율로**

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종선 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로*길 **, 광성빌딩 **층 (역삼동)(케이엘피특허법률사무소)
2 이형석 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로*길 **, 광성빌딩 **층 (역삼동)(케이엘피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0123221-97
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0175207-91
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0404319-65
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0404322-03
5 등록결정서
Decision to grant
2013.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0581940-07
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
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번호 청구항
1 1
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2 2
기판을 제공하는 단계;반도체 전극 및 상기 반도체 전극과 대향하는 상대 전극을 준비하는 단계; 를 포함하고,상기 반도체 전극을 준비하는 단계는활성탄에 아연을 포함하는 염화합물을 함침하여 제조한 아연 전구체를 열증착법에 의하여 상기 기판상에 아연층을 형성하는 단계;상기 아연층을 산화하여 산화아연 나노입자로 형성되는 산화아연층을 형성하는 단계; 및상기 산화아연층의 산화아연 나노입자를 산화아연 단결정 나노 로드로 성장시키는 단계; 를 포함하고,상기 아연층을 열증착법으로 형성하는 경우,상기 아연 전구체의 제조시에 상기 활성탄의 중량%를 기준으로 10 내지 30wt%의 아연을 포함하는 염화합물을 함침하여 아연 전구체를 제조하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 산화아연 단결정 나노 로드를 성장시키는 단계에 있어서, 800~900℃로의 온도 범위에서 산화아연 단결정 나노 로드의 결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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6 6
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7 7
제 2항에 있어서,상기 아연을 포함하는 염화합물은 징크아세테이트(zinc acetate) 또는 징크 니트레이트(zinc nitrate) 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 영남대학교 그린에너지 선도산업 인재양성센터 광역경제권 선도산업 인재양성센터 R&D 공동연구과제 구형 실리콘 태양전지를 위한 반사방지막으로 산화아연 단결정 로드의 적용