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태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190276
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 추가적인 공정설비 없이 태양전지의 효율을 개선하는 태양전지의 제조 방법을 위하여, CIGS를 포함하는 태양전지패널을 형성하는 단계, 상기 태양전지패널을 유지보관 하는 단계 및 상기 유지보관 하는 단계 이후에, 상기 태양전지패널을 모듈화하는 단계를 포함하는, 태양전지의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020130051005 (2013.05.07)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0132432 (2014.11.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전찬욱 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0400407-92
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0548983-75
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0859842-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0859843-51
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0137949-38
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CIGS를 포함하는 태양전지패널을 형성하는 단계;상기 태양전지패널을 유지보관 하는 단계; 및상기 태양전지패널을 유지보관 하는 단계 이후에, 상기 태양전지패널을 모듈화하는 단계;를 포함하는, 태양전지의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 태양전지패널을 유지보관 하는 단계는 상기 태양전지패널을 상온의 암실에서 유지보관 하는 단계를 포함하는, 태양전지의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 암실은 형광등 또는 백열등의 실내조명이 수반된 암실을 포함하는, 태양전지의 제조방법
4 4
제2항에 있어서,상기 상온은 계절적 요인에 따른 실내온도의 변화범위를 반영하는 온도를 포함하는, 태양전지의 제조방법
5 5
제2항에 있어서,상기 태양전지패널을 유지보관 하는 단계는 상기 태양전지패널을 1일 내지 30일 동안 유지보관하는 단계를 포함하는, 태양전지의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 태양전지패널을 유지보관 하는 단계는 50℃ 이상의 온도에서 3분 이상 가해지는 열처리를 수반하지 않고 상기 태양전지패널을 암실에서 유지보관 하는 단계를 포함하는, 태양전지의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,CIGS를 포함하는 태양전지패널을 형성하는 단계는,기판 상에 배면전극을 형성하는 단계;상기 배면전극 상에 CIGS를 포함하는 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 투명전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 태양전지의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 배면전극은 몰리브덴을 포함하고, 상기 광흡수층은 CuInGaSe2 을 포함하고, 상기 투명전극은 ZnO를 포함하는, 태양전지의 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 태양전지패널을 유지보관 하는 단계는 상기 버퍼층 상에 투명전극을 형성하는 단계 이후에 수행되는, 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.