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발광소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015190342
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 지지부의 역할을 하는 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 상부에 불순물이 첨가되지 않은 GaN(갈륨나이트라이드)과 N타입 GaN(갈륨나이트라이드)을 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 N타입 GaN(갈륨나이트라이드) 상부에 SiO2(이산화규소) 패턴을 형성하는 단계; 상기 SiO2(이산화규소) 패턴을 형성된 상기 N타입 GaN(갈륨나이트라이드) 상부에 N타입 GaN(갈륨나이트라이드)을 재성장시키는 단계; 상기 N타입 GaN(갈륨나이트라이드) 상부의 SiO2(이산화규소) 패턴을 에칭하는 단계; 및 상기 SiO2(이산화규소)가 에칭된 상기 N타입 GaN(갈륨나이트라이드)의 상부에 활성층과 P타입 레이어를 성장시키는 단계를 포함하는 발광소자 제조방법을 제공한다.따라서, 요철 형태에 의하여 형성된 추가 발광영역에서는 결함이 전달되지 않음으로 인하여 발광소자의 신뢰성을 확보할 수 있으며, 요철 형태로 인하여 발광면적이 증대되어 발광 효율이 향상되고, 요철 형태의 반도체막을 형성함으로써 발광 시 내부에 갇혀있는 광자를 외부로 끌어내는데 유리하다.
Int. CL H01L 33/22 (2010.01) H01L 33/00 (2010.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 33/20 (2010.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020130165728 (2013.12.27)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0076966 (2015.07.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신대근 대한민국 대구 수성구
2 장자순 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-1197924-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.10.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.11.17 수리 (Accepted) 9-1-2014-0092074-87
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0819249-60
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0087373-97
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0087372-41
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0436736-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지지부의 역할을 하는 기판을 준비하는 단계;상기 기판의 상부에 불순물이 첨가되지 않은 GaN(갈륨나이트라이드)과 N타입 GaN(갈륨나이트라이드)을 순차적으로 성장시키는 단계;상기 N타입 GaN(갈륨나이트라이드) 상부에 SiO2(이산화규소) 패턴을 형성하는 단계;상기 SiO2(이산화규소) 패턴을 형성된 상기 N타입 GaN(갈륨나이트라이드) 상부에 N타입 GaN(갈륨나이트라이드)을 재성장시키는 단계;상기 N타입 GaN(갈륨나이트라이드) 상부의 SiO2(이산화규소) 패턴을 에칭하는 단계; 및상기 SiO2(이산화규소)가 에칭된 상기 N타입 GaN(갈륨나이트라이드)의 상부에 활성층과 P타입 레이어를 순차적으로 성장시키는 단계를 포함하는 발광소자 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 기판은,사파이어 기판, 탄화규소 기판, 실리콘 기판 또는 이종 기판 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법
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청구항 1에 있어서,N타입 GaN(갈륨나이트라이드)은 갈륨나이트라이드(GaN)에 n형 도펀트로서 규소(Si), 게르마늄(Ge), 셀레늄(Se), 텔루르(Te)가 첨가되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법
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청구항 1에 있어서,P타입 레이어는 갈륨나이트라이드(GaN)에 p형 도펀트로서 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba)이 첨가되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 활성층은, InGaN/GaN MQW 또는 AlGaN/GaN MQW로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 N타입 GaN(갈륨나이트라이드) 상부에 SiO2(이산화규소) 패턴의 형성은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 이용하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 영남대학교 산학협력단 기술혁신사업(산업원천기술개발사업) LED-IT융합산업화연구센터 지원사업