맞춤기술찾기

이전대상기술

고분자 분산형 액정 실리콘 표시소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015190556
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시 예에 따른 액정 실리콘 표시 소자는 하부 실리콘 기판, 상부 투광성 기판 및 상기 하부 실리콘 기판과 상기 상부 투광성 기판 사이에 배치되는 액정 구조물을 포함한다. 상기 하부 실리콘 기판은 표시소자를 작동시키는 구동 회로를 포함하는 회로층, 상기 회로층 상에 배치되고 외부로부터 입사하는 광을 반사하는 반사층 및 상기 반사층 상에 위치하여 상기 반사층의 손상을 방지하는 보호막층을 포함한다. 상기 액정 구조물은 상기 하부 실리콘 기판과 접하는 고분자층 및 상기 고분자층 상에 배치되는 고분자 분산형 액정(PDLC) 층을 포함한다.
Int. CL G02F 1/1334 (2006.01)
CPC G02F 1/13342(2013.01) G02F 1/13342(2013.01) G02F 1/13342(2013.01) G02F 1/13342(2013.01) G02F 1/13342(2013.01)
출원번호/일자 1020090131585 (2009.12.28)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1132289-0000 (2012.03.26)
공개번호/일자 10-2011-0075205 (2011.07.06) 문서열기
공고번호/일자 (20120405) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.28)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 양기정 대한민국 대구광역시 북구
2 김정호 대한민국 서울특별시 송파구
3 이광준 대한민국 대구광역시 수성구
4 최병대 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0805817-13
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0100261-29
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0063007-67
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0002603-94
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0278597-39
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0568191-39
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0568190-94
12 등록결정서
Decision to grant
2012.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0038873-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
액정 실리콘 표시소자에 있어서,하부 실리콘 기판;상기 하부 실리콘 기판과 대향하며 이격하도록 배치되는 상부 투광성 기판; 및상기 하부 실리콘 기판과 상기 상부 투광성 기판 사이에 배치되는 액정 구조물을 포함하되,상기 하부 실리콘 기판은표시소자를 동작시키는 구동 회로를 포함하는 회로층;상기 회로층 상에 배치되고 외부로부터 입사하는 광을 반사하는 반사층; 및상기 반사층 상에 위치하여 상기 반사층의 손상을 방지하는 보호막층을 포함하고,상기 액정 구조물은상기 하부 실리콘 기판과 접하는 고분자층; 및상기 고분자층 상에 배치되는 고분자 분산형 액정(PDLC)층을 포함하되,상기 하부 실리콘 기판 및 상기 상부 투광성 기판과 상기 액정 구조물 사이에 별도의 배향막은 구비하지 않는액정 실리콘 표시소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 고분자층은 상기 PDLC층과 상기 하부 실리콘 기판과의 계면에 액정이 존재하는 것을 방지하는 역할을 하는 액정 실리콘 표시소자
3 3
제1 항에 있어서,상기 보호막층은 상기 반사층 상에 1Å 내지 100Å의 두께를 가지도록 배치되는 산화물막 또는 질화물막인 액정 실리콘 표시소자
4 4
제1 항에 있어서,상기 상부 투광성 기판은 상기 상부 투광성 기판 상에 패터닝되는 투명 전극층을 포함하는액정 실리콘 표시소자
5 5
제4 항에 있어서,상기 상부 투광성 기판은 유리 또는 유연성 고분자 재질로 이루어지는 액정 실리콘 표시소자
6 6
액정 실리콘 표시소자의 제조 방법에 있어서,(a) 표시소자를 구동시키는 회로층을 포함하는 하부 실리콘 기판을 준비하는 단계;(b) 투명 전극층을 포함하는 상부 투광성 기판을 준비하는 단계;(c) 갭 조절 물질을 사용하여 상기 하부 실리콘 기판 및 상기 상부 투광성 기판이 소정의 간격으로 이격하도록 배치하는 단계;(d) 상기 이격된 간격에 의하여 상기 하부 실리콘 기판 및 상기 상부 투광성 기판 사이에 형성된 공간으로 액정과 고분자를 포함하는 고분자 액정 분산 조성물을 주입하는 단계; 및(e) 상기 고분자 액정 분산 조성물을 경화시켜 고분자층 및 고분자 분산형 액정(PDLC) 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 하부 실리콘 기판 및 상기 상부 투광성 기판과 상기 액정 구조물 사이에는 별도의 배향막을 형성하지 않는액정 실리콘 표시소자의 제조 방법
7 7
제6 항에 있어서, 상기 고분자 액정 분산 조성물의 고분자는 2이상의 작용기를 가지는 다관능성 희석제, 가교제 및 광개시제를 포함하는 액정 실리콘 표시소자의 제조 방법
8 8
액정 실리콘 표시소자의 제조 방법에 있어서,(a) 표시소자를 구동시키는 회로층을 포함하는 하부 실리콘 기판을 준비하는 단계;(b) 투명 전극층을 포함하는 상부 투광성 기판을 준비하는 단계;(c) 상기 상부 투광성 기판 상에 액정과 고분자를 포함하는 고분자 액정 분산 조성물을 도포하는 단계;(d) 상기 고분자 액정 분산 조성물을 경화시켜 상기 상부 투광성 기판 상에 고분자층 및 고분사 분산형 액정(PDLC) 층을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 상부 투광성 기판 상의 상기 고분자층과 상기 하부 실리콘 기판 기판을 접합하는 단계를 포함하되,상기 하부 실리콘 기판 및 상기 상부 투광성 기판과 상기 액정 구조물 사이에는 별도의 배향막을 형성하지 않는액정 실리콘 표시소자의 제조 방법
9 9
액정 실리콘 표시소자의 제조 방법에 있어서,(a) 표시소자를 구동시키는 회로층을 포함하는 하부 실리콘 기판을 준비하는 단계;(b) 투명 전극층을 포함하는 상부 투광성 기판을 준비하는 단계;(c) 고분자 분산형 액정층을 형성하기 위한 예비 기판을 준비하는 단계;(c) 갭 조절 물질을 사용하여 상기 상부 투광성 기판을 상기 예비 기판과 소정의 간격으로 이격하도록 배치하는 단계;(d) 상기 이격된 간격에 의하여 상기 상부 투광성 기판 및 상기 예비 기판 사이에 형성된 공간으로 액정과 고분자를 포함하는 고분자 액정 분산 조성물을 주입하는 단계; 및(e) 상기 고분자 액정 분산 조성물을 경화시켜 상기 상부 투광성 기판 및 상기 예비 기판 사이에 고분자층 및 고분자 분산형 액정(PDLC) 층을 가지는 중간 구조물을 형성하는 단계;(f) 상기 중간 구조물로부터 상기 예비 기판을 제거하고, 상기 예비 기판이 제거된 위치에 상기 하부 실리콘 기판을 접착하는 단계를 포함하는 액정 실리콘 표시소자의 제조 방법
10 10
액정 실리콘 표시소자의 제조 방법에 있어서,(a) 표시소자를 구동시키는 회로층을 포함하는 하부 실리콘 기판을 준비하는 단계;(b) 투명 전극층을 포함하는 상부 투광성 기판을 준비하는 단계;(c) 고분자 분산형 액정층을 형성하기 위한 예비 기판을 준비하는 단계;(d) 상기 예비 기판 상에 액정과 고분자를 포함하는 고분자 액정 분산 조성물을 도포하는 단계;(d) 상기 고분자 액정 분산 조성물을 경화시켜 상기 예비 기판 상에 고분자층 및 고분자 분산형 액정(PDLC) 층을 형성하는 단계; (f) 상기 예비 기판과 상기 상부 투광성 기판을 접합시켜 중간 구조물을 형성하는 단계;(g) 상기 중간 구조물로부터 상기 예비 기판을 제거하고, 상기 예비 기판이 제거된 위치에 상기 하부 실리콘 기판을 접착하는 단계를 포함하는 액정 실리콘 표시소자의 제조 방법
11 11
제6 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 액정 분산 조성물을 경화시키는 공정은,저전력의 자외선 램프 가열에 통하여, 상기 고분자 액정 분산 조성물로부터 상기 고분자층을 형성하는 단계; 및고전력의 자외선 램프 가열을 통하여, 상기 고분자 액정 분산 조성물로부터 상기 PLDC층을 형성하는 단계를 포함하는액정 실리콘 표시소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.