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헤테로고리 화합물 및 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기태양전지

  • 기술번호 : KST2015190581
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 서로 대향하는 제1 전극 및 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며, 다음의 화학식의 헤테로고리 화합물을 포함하는 광활성층을 포함하는 유기태양전지를 제공한다.[화학식]상기 화학식에서, R1은 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 헤테로알킬기, 시아노기, 니트로기, 아실기, 치환 아미노기, 비치환 아미노기, 치환 아릴기 또는 비치환 아릴기 중에서 선택되고, R2는 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 헤테로알킬기, 시아노기, 니트로기, 아실기, 치환 아미노기, 비치환 아미노기, 치환 아릴기 또는 비치환 아릴기 중에서 선택되고, R3는 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 헤테로알킬기, 시아노기, 니트로기, 아실기, 치환 아미노기, 비치환 아미노기, 치환 아릴기 또는 비치환 아릴기 중에서 선택되고, R4는 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 헤테로알킬기, 시아노기, 니트로기, 아실기, 치환 아미노기, 비치환 아미노기, 치환 아릴기 또는 비치환 아릴기 중에서 선택되며, X는 S 혹은 O 중에서 선택되고, Y는 S 혹은 O 중에서 선택되며, n은 1에서 30사이의 정수임.
Int. CL C07D 409/14 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC C07D 409/14(2013.01) C07D 409/14(2013.01) C07D 409/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100105836 (2010.10.28)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1251447-0000 (2013.04.01)
공개번호/일자 10-2012-0044527 (2012.05.08) 문서열기
공고번호/일자 (20130405) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재홍 대한민국 대구광역시 수성구
2 양유석 대한민국 대구광역시 동구
3 정선주 대한민국 경상북도 구미시
4 한윤수 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김은구 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)
2 송해모 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현풍면
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0699874-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0064425-39
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0561876-79
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0964025-92
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0964039-20
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0210234-80
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식으로 표시되는 헤테로고리 화합물
2 2
서로 대향하는 제1 전극 및 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며, 하기 화학식의 화합물을 포함하는 광활성층을 포함하는 유기태양전지
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제2항에 있어서, 상기 광활성층과 상기 제2 전극에 비하여 높은 일함수를 가진 상기 제1 전극 사이에 정공수송층을 더 포함하는 유기태양전지
6 6
삭제
7 7
제2항에 있어서, 상기 광활성층과 상기 제1 전극에 비하여 낮은 일함수를 가진 상기 제2 전극 사이에 전자수송층을 더 포함하는 유기태양전지
8 8
제7항에 있어서, 상기 전자수송층은 금속산화물, ZnO계 나노입자, Doped-ZnO계 나노입자, SnO2 나노입자, ITO 나노입자, TiO2 나노입자, TiOx(1＜x＜2), Cs2CO3, 티타늄(디이소프록사이드)비스(2,4-펜타디오네이트)로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기태양전지
9 9
제2항에 있어서, 상기 광활성층은 억셉터 물질을 포함하며,상기 억셉터 물질은 풀러렌 유도체, 페릴렌 유도체, ZnO, TiO2, CdS, CdSe 또는 ZnSe 로 이루어진 군중에서 선택되는 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기태양전지
10 10
제2항에 있어서, 상기 광활성층은 도너 물질을 포함하며,상기 도너 물질은 프탈로 시아닌계 안료, 인디고, 티오인디고계 안료, 멜로시아닌 화합물, 시아닌 화합물, 페닐렌비닐렌계 고분자 유도체, thiophene계 고분자 유도체로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기태양전지
11 11
제2항에 있어서, 상기 광활성층은 도너 물질 30 내지 80 중량%, 억셉터 물질 10 내지 65 중량% 및 헤테로고리화합물 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.