맞춤기술찾기

이전대상기술

초음파를 이용한 CdS 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015191109
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초음파를 이용한 CdS 박막의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 태양전지의 CdS 박막을 제조함에 있어서, Cd와 S를 포함하는 수용액에 기판을 넣은 후 초음파(ultrasonic)를 처리하여 초음파화학 합성(sonochemical synthesis) 방법에 의해 기판상에 CdS 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 CdS 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 상기의 제조방법에 따라 CdS 박막을 제조하는 경우, 낮은 온도에서도 균일한 표면을 갖으며 효율이 좋은 CdS 박막을 제조할 수 있다. 이에 따라 높은 온도에서 제조된 CdS 박막의 표면 불균일의 단점 및 낮은 효율을 극복할 수 있다. 따라서 차세대 태양전지인 CIGS 태양전지의 제조시 상기 CdS 박막을 이용한 태양전지의 사용이 기대된다.
Int. CL C23C 22/05 (2014.01) C01G 11/02 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1828(2013.01) H01L 31/1828(2013.01) H01L 31/1828(2013.01)
출원번호/일자 1020090117348 (2009.11.30)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0060687 (2011.06.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.30)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임명근 대한민국 대구광역시 서구
2 성시준 대한민국 대구광역시 수성구
3 김대환 대한민국 대구광역시 수성구
4 강진규 대한민국 대구광역시 중구
5 이동하 대한민국 대구광역시 수성구
6 한윤수 대한민국 대구광역시 수성구
7 이수재 대한민국 대구광역시 달서구
8 안시현 대한민국 경상북도 경산시 경산로**길 *

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이문섭 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0739584-87
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.03.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0034090-55
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0454990-54
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0797632-88
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0797659-10
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0144564-14
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.04.12 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2012-0291344-44
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0291346-35
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0256809-54
14 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2012.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0256810-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 CdS 박막을 제조함에 있어서, Cd와 S를 포함하는 수용액에 기판을 넣은 후 초음파(ultrasonic)를 처리하여 초음파화학 합성(sonochemical synthesis) 방법에 의해 기판상에 CdS 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 CdS 박막의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 하기의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CdS 박막의 제조방법: a) 기판의 표면을 세정하고 압축 공기로 건조하는 전처리공정 단계; b) Cd 및 S를 각각 포함하는 수용액 및 Na4OH 수용액을 제조하는 단계; c) 상기 수용액들을 혼합하는 단계; d) 기판을 상기 혼합수용액에 넣고 초음파(ultrasonic)를 처리하는 단계; e) 상기 초음파(ultrasonic) 처리에 의해 CdS 박막이 형성되는 단계; 및 f) 상기 CdS 박막의 표면을 세정하고 N2로 건조하는 후처리공정 단계
3 3
제 2항에 있어서, 상기 C)단계의 혼합수용액은 0
4 4
제 2항에 있어서, 상기 d)단계의 초음파(ultrasonic)의 처리는 100 내지 750 watt, 10 KHz 내지 10 MHz의 출력으로 240 내지 3600 초 동안 처리하는 것을 특징으로 하는 CdS 박막의 제조방법
5 5
제 2항에 있어서, 상기 e)단계의 CdS 박막의 형성은 초음파(ultrasonic) 처리에 의해 발생되는 기포를 합성 에너지원으로 하는 초음파화학 합성(sonochemical synthesis)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 CdS 박막의 제조방법
6 6
제 2항에 있어서, 상기 e)단계의 CdS 박막의 형성은 상온에서 수행하는 것을 특징으로 하는 CdS 박막의 제조방법
7 7
제 1항 내지 제 6항에 따른 제조방법으로 제조된 CdS 박막
8 8
제 7항의 CdS 박막을 포함하는 CIGS 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 대구경북과학기술원 교과부일반사업 신재생에너지 지능형로봇융합기술개발