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기판 상에 산화막을 형성하는 단계;
상기 산화막 상에 3C-SiC(Cubic Silicon Carbide) 박막을 형성하고 패터닝하여 공진부를 형성하는 단계; 및
상기 공진부 하측의 산화막의 일 영역을 식각하는 단계;를 포함하는 공진기 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 기판의 일 영역을 식각하여 에어갭을 마련하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공진기 제조 방법
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3
제1항에 있어서,
상기 3C-SiC 박막을 형성하는 단계는,
화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)을 이용하며, 헥사메틸다이사이레인(HMDS; Hexamethyldisilane)을 전구체로 이용하는 것을 특징으로 하는 공진기 제조 방법
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4
제1항에 있어서,
상기 3C-SiC 박막을 식각하는 단계는,
상기 3C-SiC 박막 상에 기설정된 패턴의 금속막을 형성하는 단계; 및
상기 기설정된 패턴의 금속막을 이용하여 상기 3C-SiC 박막을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 공진기 제조 방법
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5
제4항에 있어서,
상기 금속막을 형성하는 단계는 스퍼터링법을 이용하며,
상기 3C-SiC 박막을 식각하는 단계는 반응성 이온 식각(RIE:Reactive Ion Etching)을 이용하는 것을 특징으로 하는 공진기 제조 방법
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6
제5항에 있어서,
상기 금속막은,
니켈(Ni) 또는 알루미늄(Al)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 공진기 제조 방법
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7
제5항에 있어서,
상기 반응성 이온 식각에 이용되는 혼합가스는,
트리 폴로로 메탄(CHF3), 아르곤(Ar) 및 산소(O2) 중 적어도 두 개의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 공진기 제조 방법
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제7항에 있어서,
상기 반응성 이온 식각은,
상기 산소 주입량, 고주파 전력, 챔프 압력 및 전극 간격 중 적어도 하나를 조절하는 것을 특징으로 하는 공진기 제조 방법
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9
제1항에 있어서,
상기 기판을 식각하는 단계는,
테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH;Tetramethylammoniumhydroxide)을 이용하여 상기 기판을 기설정된 시간 동안 식각하는 것을 특징으로 하는 공진기 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 공진부는,
일단이 고정된 캔틸레버 형태인 것을 특징으로 하는 공진기 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 공진부는,
양단이 고정된 브리지 형태인 것을 특징으로 하는 공진기 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 3C-SiC 박막은,
다결정 3C-SiC 박막인 것을 특징으로 하는 공진기 제조방법
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기판;
상기 기판 상에 일 영역에 형성된 산화막;
상기 산화막과 접하는 지지 영역 및 상기 기판으로부터 일정 거리 이격된 공진 영역으로 구분되며, 3C-SiC로 이루어진 공진부; 및,
상기 공진부 하측에 형성된 에어갭;을 포함하는 공진기
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제13항에 있어서,
상기 공진부는,
일단이 고정된 캔틸레버 형태인 것을 특징으로 하는 공진기
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15
제13항에 있어서,
상기 공진부는,
양단이 고정된 브리지 형태인 것을 특징으로 하는 공진기
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제13항에 있어서,
상기 3C-SiC는,
다결정 3C-SiC인 것을 특징으로 하는 공진기
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