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기판상에 제1고분자막과 제2고분자막이 결합된 블럭공중합체 박막을 형성하는 단계;상기 블럭공중합체 박막에서 상기 제1고분자막 또는 상기 제2고분자막 중 어느 하나를 선택적으로 제거하는 단계; 및잔류하는 상기 제1고분자막 또는 제2고분자막을 식각장벽으로 상기 기판을 일부 식각하는 단계;를 포함하며,상기 블럭공중합체 박막을 형성하는 단계는, 상온 내지 300℃ 범위의 온도에서 실시되는 양자점 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 블럭공중합체 박막을 형성하는 단계는, 상기 제1고분자막 내에 상기 제2고분자막이 구형태로 매트릭스 배열을 갖도록 형성하는 양자점 형성방법
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제2항에 있어서, 상기 제2고분자막을 선택적으로 제거하는 경우에 잔류하는 상기 제1고분자막을 식각장벽으로 식각되어 상기 기판에 형성된 홈이 양자점으로 작용하는 양자점 형성방법
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제2항에 있어서, 상기 제1고분자막을 선택적으로 제거하는 경우에, 잔류하는 상기 제2고분자막을 식각장벽으로 식각되어 상기 기판 표면으로부터 돌출된 돌출부가 양자점으로 작용하는 양자점 형성방법
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제4항에 있어서, 상기 제1고분자막을 선택적으로 제거하는 단계 이전에,플라즈마 처리를 실시하여 상기 제2고분자막이 상기 제1고분자막보다 큰 경도를 갖도록 경화시키는 단계를 더 포함하는 양자점 형성방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1고분자막 및 상기 제2고분자막은 폴리스틸렌(PS), 폴리카본에스테르(PC), 폴리메틸메타크릴레이드(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리이미드(PI), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에스테르(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부타디엔(PB), 폴리에틸렌프로필렌(PEP), 폴리4비닐피리딘(P4VP), 폴리비닐피리딘(PVP), 폴리이소플렌(PI) 및 폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PCEMA)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 양자점 형성방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 블럭공중합체 박막은 폴리스틸렌-블럭-폴리메틸메타크릴레이드(PS-b-PMMA), 폴리메틸스틸렌-블럭-폴리하이드록시스틸렌(PMS-b-PHOST), 폴리스틸렌-블럭-폴리에틸렌프로필렌(PS-b-PEP), 폴리스틸렌-블럭-폴리이소플렌(PS-b-PI), 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔(PS-b-PBD), 폴리스틸렌-블럭-폴리4비닐피리딘(PS-b-P4VP), 폴리스틸렌-블럭-폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PS-b-PCEMA) 및 폴리스틸렌-블럭-폴리에테르설폰(PS-b-PFS)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 양자점 형성방법
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제2항에 있어서, 상기 제1고분자막은 폴리스틸렌(PS)를 포함하고, 상기 제2고분자막은 폴리부타디엔(PB)을 포함하며, 상기 블럭공중합체 박막은 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔(PS-b-PBD)을 포함하는 양자점 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 기판을 일부 식각하는 단계 후, 잔류하는 상기 제1고분자막 또는 제2고분자막을 습식식각법, 건식식각법, 산소 플라즈마 처리법 및 자외선방사법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 방법을 사용하여 실시하는 양자점 형성방법
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