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패턴된 경사진 기판을 이용한 양자점 어레이 형성방법

  • 기술번호 : KST2015200381
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패턴된 경사진 기판을 사용하여 격자상수의 불일치가 큰 물질들을 이용하여 자발적인 양자점을 형성하고 정렬시키는 방법에 관한 것으로서, 일정한 결정축을 가지며 그 표면이 상기 결정축에 대해 경사진 기판을 마련하는 단계, 상기 경사진 기판의 방향과 수직방향의 SiO2 패턴을 마련하는 단계, 상기 기판의 재료와 동일한 재료의 완충층을 화학기상증착법에 의해 상기 패턴된 기판상에 형성하는 단계, 상기 기판과의 격자상수의 불일치가 큰 물질층을 성장시키는 단계를 구비하되, 상기 완충층의 화학기상증착시 소스 분압과 상기 완충층의 두께와 상기 물질층의 두께를 조절하여 계단선 방향의 양자점들의 간격을 조정하고, 한줄 또는 두줄의 정렬화된 양자점 어레이를 형성하는 방법을 포함한다. 본 발명에 따르면, 격자상수가 큰 물질들을 성장기술만으로 자유롭게 양자점을 형성하고 정렬화시킬 수 있으므로 지금까지 구현하지 못했던 신개념의 광전소자를 제조할 수 있는 기반 소재를 제공할 수 있다.양자점, 경사진 기판, 패턴된 기판, 화학기상증착법
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/16 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020060039228 (2006.05.01)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0765468-0000 (2007.10.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071009) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.01)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김회종 대한민국 광주 광산구
2 김효진 대한민국 광주 북구
3 김선훈 대한민국 광주 서구
4 기현철 대한민국 광주 북구
5 김태언 대한민국 전남 나주시 세지
6 정동열 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0306522-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.02.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0008051-03
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0099413-21
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0307509-38
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0372255-49
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0379807-50
8 의견서
Written Opinion		 2007.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0379808-06
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0465464-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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일정한 결정축을 가지며 그 표면이 상기 결정축에 대해 경사진 기판을 마련하는 단계;상기 경사진 기판의 방향과 수직방향의 SiO2 패턴을 마련하는 단계;상기 기판의 재료와 동일한 재료의 완충층을 화학기상증착법에 의해 상기 패턴된 기판상에 형성하는 단계;상기 기판과의 격자상수의 불일치가 큰 물질층을 성장시키는 단계를 구비하되,상기 완충층이 150 내지 250 nm의 두께를 가지도록 하여 경사진 계단폭을 이용하고 상기 완충층의 화학기상증착시 소스 분압과 상기 물질층의 두께를 조절하여, 계단선 방형의 양자점들의 간격을 조정하고, 한줄 또는 두줄의 정렬화된 양자점 어레이를 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴된 경사진 기판을 이용한 양자점 어레이 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 경사진 기판은 갈륨비소(GaAs) 기판, 인듐인(InP) 기판, 인듐갈륨인(InGaP) 기판 중에서 선택되는 하나의 경사진 기판인 것을 특징으로 하는 패턴된 경사진 기판을 이용한 양자점 어레이 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 물질층은 인듐비소(InAs)층 또는 인듐갈륨비소(InGaAs)층 중에서 선택되는 하나의 물질층인 것을 특징으로 하는 패턴된 경사진 기판을 이용한 양자점 어레이 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 화학증착시 소스는 수소화비소(AsH3) 또는 수소화인(PH3) 중에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 패턴된 경사진 기판을 이용한 양자점 어레이 형성방법
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제 4항에 있어서, 상기 수소화비소(AsH3) 또는 수소화인(PH3)의 분압은 1
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패밀리정보가 없습니다
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