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반사패턴층을 구비하는 발광다이오드 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200454
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반사패턴층을 구비하는 발광다이오드 및 이의 제조방법이 제공된다. 상기 발광다이오드는 기판, 상기 기판 상에 위치하며, 굴절율이 서로 다른 제1 반사층 및 제2 반사층이 적층되어 배치된 다수개의 반사패턴들, 및 상기 반사패턴들 사이에 위치하는 다수개의 홀들을 구비하는 반사패턴층, 상기 반사패턴층 상에 위치하는 제1 클래드층, 상기 제1 클래드층 상에 위치하는 활성층 및 상기 활성층 상에 위치하는 제2 클래드층을 포함한다. 또한, 상기 발광다이오드 제조방법은 기판 상에 굴절율이 서로 다른 제1 반사층 및 제2 반사층을 적층하여 반사구조체를 형성하는 단계, 상기 반사구조체를 패터닝하여 다수개의 반사패턴 및 다수개의 홀들을 구비하는 반사패턴층을 형성하는 단계 및 상기 반사패턴층 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 차례로 형성하는 단계를 포함한다. 반사패턴층, 발광다이오드, 브래그 반사,
Int. CL H01L 33/10 (2010.01.01) H01L 33/60 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01)
CPC H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020090046837 (2009.05.28)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1010790-0000 (2011.01.18)
공개번호/일자 10-2010-0128447 (2010.12.08) 문서열기
공고번호/일자 (20110125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전성란 대한민국 광주광역시 광산구
2 이상헌 대한민국 광주광역시 광산구
3 김재범 대한민국 광주광역시 광산구
4 김종섭 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0322004-60
2 등록결정서
Decision to grant		 2011.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0019281-65
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 위치하며, 굴절율이 서로 다른 제1 반사층 및 제2 반사층이 적층되어 배치된 다수개의 반사패턴들, 및 상기 반사패턴들 사이에 위치하는 다수개의 홀들을 구비하는 반사패턴층; 상기 반사패턴층 상에 위치하는 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층 상에 위치하는 활성층; 및 상기 활성층 상에 위치하는 제2 클래드층을 포함하는 발광다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 반사층은 AlXGa(1-X)N(0003c#X003c#1)층으로 구성되고, 상기 제2 반사층은 GaN 또는 AlYGa(1-Y)N(0003c#Y003c#1, X003c#Y)층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
3 3
제1항에 있어서, 상기 반사층들은 각각 기준 발광파장에 대해 1/4n의 두께로 구비되는 발광다이오드: 상기 n은 상기 반사층의 굴절율을 나타낸다
4 4
제1항에 있어서, 상기 홀의 너비는 발광 파장의 반파장의 정수배가 되도록 구비되는 발광다이오드
5 5
기판 상에 굴절율이 서로 다른 제1 반사층 및 제2 반사층을 적층하여 반사구조체를 형성하는 단계; 상기 반사구조체를 패터닝하여 다수개의 반사패턴 및 다수개의 홀들을 구비하는 반사패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 반사패턴층 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 차례로 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
6 6
기판 상에 굴절율이 서로 다른 제1 반사층 및 제2 반사층을 적층하여 반사구조체를 형성하는 단계; 상기 반사구조체 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 차례로 형성하는 단계; 및 상기 제2 클래드층, 활성층, 제1 클래드층 및 반사구조체를 패터닝하여 다수개의 홀을 구비하는 반사패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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