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n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 게재되며, 상기 n형 클래드층과 p형 클래드층에 인가된 전류에 의해 활성층에서 빛이 방출되는 구조를 갖는 발광소자의 활성층 제조 방법에 있어서,상기 활성층은,상기 n형 클래드층 상부에 양자 장벽층을 형성하는 단계;상기 양자 장벽층 상부에 도트 형태의 양자 우물층을 형성하는 단계; 및 상기 양자 우물층 상부에 양자 장벽층을 형성하는 단계를 포함하는 활성층 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 양자 장벽층들은 (AlxGa1-x)yIn1-yP (0≤x≤1, 0≤y≤1)층으로 제조되는 것을 특징으로 하는 활성층 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 양자 우물층은 GaxIn1-xP (0≤x≤1)층으로 형성되며, 상기 Ga의 조성을 변화시켜 도트 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 활성층 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 Ga의 조성은 0
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제1항에 있어서,상기 양자 우물층의 압축 왜곡률은 0
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도전성 기판;상기 도전성 기판 상에 형성되는 n형 클래드층;상기 n형 클래드층 상부에 형성되는 활성층; 및상기 활성층 상에 형성되는 p형 클래드층을 포함하고, 상기 활성층은 양자 장벽층 및 양자 우물층으로 구성되는 양자 우물 구조를 가지며, 상기 양자 우물층은 상기 양자 장벽층 상에 도트 형태로 성장된 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제6항에 있어서,상기 활성층은 언도프된 (AlxGa1-x)yIn1-yP (0≤x≤1, 0≤y≤1)의 양자 장벽층 및 GaxIn1-xP (0≤x≤1)의 양자 우물층으로 구성되는 단일 또는 다중 양자 우물 구조인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제7항에 있어서,상기 양자 우물층의 Ga 조성은 0
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제6항에 있어서,상기 양자 우물층의 압축 왜곡률은 0
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10
제6항에 있어서,상기 도전성 기판은 GaAs 기판인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제6항에 있어서,상기 n형 클래드층 및 p형 클래드층은 AlGaInP계 화합물 반도체로 형성되며, 상기 활성층에 비해 밴드갭이 큰 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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