| 1 |
1
발광다이오드 칩; 및
상기 발광다이오드 칩 상에 형성되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출되는 광을 서로 다른 영역의 파장으로 변환시키는 다수의 단위 파장변환물질층들을 포함하되,
상기 다수의 단위 파장변환물질층들은 자색 변환물질층, 남색 변환물질층, 청색 변환물질층, 녹색 변환물질층, 황색 변환물질층, 주황색 변환물질층 및 적색 변환물질층에서 선택되는 4개 내지 7개의 단위 파장변환물질층들이며, 일정한 두께와 면적을 가지고 수평방향으로 인접하여 배열되거나, 수직방향으로 적층 배열되고,
상기 다수의 단위 파장변환물질층들의 두께 및 면적 중 적어도 어느 하나를 변화시켜 광량을 조절하는 발광다이오드
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,
상기 발광다이오드 칩은 청색광 또는 UV를 방출하며,
상기 단위 파장변환물질층은 상기 발광다이오드 칩에서 방출되는 청색광 또는 UV를 청색영역, 녹색영역, 황색영역 및 적색영역의 파장으로 변환시키는 발광다이오드
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,
상기 다수의 단위 파장변환물질층들은 서로 다른 면적을 갖는 발광다이오드
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,
상기 다수의 단위 파장변환물질층들은 서로 다른 두께를 갖는 발광다이오드
|
| 8 |
8
발광다이오드 칩이 제공되는 단계; 및
상기 발광다이오드 칩 상에 형성되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출되는 광을 서로 다른 영역의 파장으로 변환시키는 다수의 단위 파장변환물질층들을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 다수의 단위 파장변환물질층들은 자색 변환물질층, 남색 변환물질층, 청색 변환물질층, 녹색 변환물질층, 황색 변환물질층, 주황색 변환물질층 및 적색 변환물질층에서 선택되는 4개 내지 7개의 단위 파장변환물질층들이며, 일정한 두께와 면적을 가지고 수평방향으로 인접하여 배열되거나, 수직방향으로 적층 배열되고,
상기 다수의 단위 파장변환물질층들의 두께 및 면적 중 적어도 어느 하나를 변화시켜 광량을 조절하는 발광다이오드 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,
상기 단위 파장변환물질층의 형성방법은 상기 발광다이오드 칩 상에 광경화물질이 함유된 파장변환물질을 도포하는 단계;
상기 발광 다이오드 칩에 전계를 인가하여 광원을 방출시키는 단계; 및
상기 광원에 의해 상기 파장변환물질을 경화시키는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
|
| 10 |
10
서로 다른 스펙트럼을 갖는 다수개의 발광다이오드들; 및
상기 발광다이오드들 각각과 전기적으로 접속되어, 상기 발광다이오드들 각각의 광량을 조절하는 제어 컨트롤러를 포함하되,
상기 발광다이오드는 발광다이오드 칩, 및 상기 발광다이오드 칩 상에 형성되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출되는 광을 서로 다른 영역의 파장으로 변환시키는 다수의 단위 파장변환물질층들을 구비하며,
상기 다수의 단위 파장변환물질층들은 자색 변환물질층, 남색 변환물질층, 청색 변환물질층, 녹색 변환물질층, 황색 변환물질층, 주황색 변환물질층 및 적색 변환물질층에서 선택되는 4개 내지 7개의 단위 파장변환물질층들이며, 일정한 두께와 면적을 가지고 수평방향으로 인접하여 배열되거나, 수직방향으로 적층 배열되고,
상기 다수의 단위 파장변환물질층들의 두께 및 면적 중 적어도 어느 하나를 변화시켜 광량을 조절하는 감성 조명용 기구
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,
상기 발광다이오드는 표준광원 A(2856K), 표준광원 B(4874K), 표준광원 C(6774K), 표준광원 D50(5003K), 표준광원 D55(5503K), 표준광원 D65(6504K), 표준광원 D75(7504K) 또는 표준광원 D105(10500K) 유사 스펙트럼을 방출하되,
상기 유사 스펙트럼은 상기 각 표준광원 스펙트럼과 유사 스펙트럼의 각 파장별 강도 차이의 총합이 표준광원 스펙트럼의 각 파장별 강도의 총합 대비 20% 이내의 값을 가지는 감성 조명용 기구
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
