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투광성 기판을 구비하는 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015200823
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광다이오드를 제공한다. 상기 발광다이오드는 적어도 적색영역의 광에 대해 투광성을 보이는 기판, 상기 기판 상에 배치된 제1형 반도체층, 상기 제1형 반도체층 상에 배치되되 다중 양자점 구조를 가지는 활성층 및 상기 활성층 상에 배치된 제2형 반도체층을 포함한다. 발광다이오드, 다중 양자점 구조, S-K 성장 모드
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/32 (2010.01.01) H01L 33/14 (2010.01.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020090075674 (2009.08.17)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1058649-0000 (2011.08.16)
공개번호/일자 10-2011-0018066 (2011.02.23) 문서열기
공고번호/일자 (20110822) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오화섭 대한민국 광주광역시 광산구
2 주지희 대한민국 광주광역시 서구
3 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
4 진정근 대한민국 서울특별시 동대문구
5 김상묵 대한민국 광주광역시 서구
6 정 탁 대한민국 광주광역시 광산구
7 백종협 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0500192-55
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0121024-64
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0324946-48
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0324926-35
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0443004-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 적색영역의 광에 대해 투광성을 보이는 GaP 기판 또는 AlP 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1형 반도체층; 상기 제1형 반도체층 상에 배치되되 다중 양자점 구조를 가지는 활성층; 및 상기 활성층 상에 배치된 제2형 반도체층을 포함하는 발광다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 활성층은 장벽층 및 양자점층을 구비하되, 상기 장벽층 및 상기 양자점층이 교번적으로 적층된 구조를 가지는 발광다이오드
3 3
제2항에 있어서, 상기 양자점층은 상기 기판과의 격자상수 차이가 1% 내지 3%인 물질을 사용하는 발광다이오드
4 4
제2항에 있어서, 상기 양자점층은 GayIn1-yP층(0003c#Y003c#1)인 발광다이오드
5 5
제2항에 있어서, 상기 장벽층은 상기 기판과 격자정합을 이루는 물질을 사용하는 발광다이오드
6 6
제2항에 있어서, 상기 장벽층은 AlxGa1-xP층(0≤X≤1)인 발광다이오드
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1형 반도체층은 AlxGa1-xP층(0≤X≤1)인 발광다이오드
9 9
제1항에 있어서, 상기 제2형 반도체층은 AlxGa1-xP층(0≤X≤1)인 발광다이오드
10 10
제1항에 있어서, 상기 제2형 반도체층 상에 배치된 전류 스프레딩층을 더 포함하는 발광다이오드
11 11
제10항에 있어서, 상기 전류 스프레딩층은 ITO층, ZnO층 또는 MgO층인 발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.