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이온유도 이차전자방출계수를 위한 전류변화현상을측정하기 위한 γ-집속이온빔장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015201284
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 물질의 실험적인 이온유도 이차전자방출계수를 측정하기 위한 γ-집속이온빔장치로서, 보다 상세하게는 측정하고자 하는 물질에 이온 입자를 직접 주입시켜서 이온이 갖는 에너지에 의한 물질 표면에서의 이차전자방출로부터 발생되는 전류변화현상을 측정하는 경우에, 이온을 강력하게 집속시켜 주는 이온빔 집속부에 의하여 형성된 이온빔과 측정물질 표면에 밀착되어 설치된 도체 패드부와의 강력한 전기장에 의하여 측정물질 표면에 축적된 전하를 효율적으로 제거하여 전하축적현상에 의한 이온빔과 전류현상에 대한 왜곡됨이 없이 전류변화량에 대한 측정이 가능하며, 이를 이용하여 물질의 실험적인 이온유도 이차전자방출의 계수, 물질의 일함수 및 물질의 식각률에 대한 측정이 가능하다.γ-집속이온빔, 이차전자방출계수, 도체 패드부, 전하축적현상, 편향기
Int. CL H01J 37/30 (2000.01)
CPC H01J 37/3005(2013.01) H01J 37/3005(2013.01) H01J 37/3005(2013.01) H01J 37/3005(2013.01) H01J 37/3005(2013.01)
출원번호/일자 1020050040965 (2005.05.17)
출원인 광운대학교 산학협력단, 최은하
등록번호/일자 10-0795963-0000 (2008.01.11)
공개번호/일자 10-2006-0118685 (2006.11.24) 문서열기
공고번호/일자 (20080121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.05.17)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구
2 최은하 대한민국 서울시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최은하 대한민국 서울시 노원구
2 박원배 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 이혜정 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이두한 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** *층, *층 (역삼동,옥신타워)(성화국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0256002-48
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0036035-38
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2006-5094659-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0548313-39
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0841213-76
7 의견서
Written Opinion
2006.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0932195-43
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0932184-41
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2007.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0070732-68
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2007.03.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0008764-79
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0201481-32
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0436073-15
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0509027-15
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0509238-42
15 등록결정서
Decision to grant
2007.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0617438-79
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2008-5008915-03
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5129864-11
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2011-5009922-84
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2011-5173743-65
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5067673-62
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074994-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.05.09 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056854-41
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
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번호 청구항
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도체와 도체막, 절연체와 절연체막, 산화물과 산화막 또는 반도체 등 측정물질의 실험적인 이온유도 이차전자방출계수를 측정하기 위한 γ-집속이온빔장치에 있어서,열전자를 방출하기 위한 텅스텐 필라멘트와 상기 텅스텐 필라멘트로부터 방출된 열전자를 통과시켜 진동하게 하는 에노드와 이온빔의 소스로서 주입되는 불활성 기체의 양을 조절하는 MFC(Mass Flow Controller)와 상기 에노드에 의하여 진동하는 전자들과 주입된 불활성 기체들과 충돌하여 생성되는 양이온이 가속되는 이온가속부로 이루어져서 이온빔을 발생하기 위한 이온빔 발생부와, 상기 발생된 이온빔을 평행하게 정렬하기 위한 정렬 개구부로 형성되는 이온 정렬부와, 전기장을 이용하여 상기 이온 정렬부에서 평행하게 정렬된 이온빔을 집속하는 3전극형 집속 정전렌즈와 상기 집속된 이온빔을 주기적으로 편향시키는 4전극형 편향기와 상기 측정물질로부터 전류를 측정하기 위하여 일정 범위의 전압이 인가되는 컬렉터로 이루어지는 이온 집속부를 포함하는 이온빔 집속부와; 상기 집속된 이온빔과 상기 측정물질 표면의 강력한 전기장을 형성하여 표면에 잔류하는 전하 축적현상을 억제시켜서 측정물질이 식각되는 동안에 전류현상의 왜곡없이 정확한 전류량을 측정하기 위하여 상기 측정물질 표면에 밀착되어 설치되며 제1전류계를 통하여 접지되는 도체 구리 패드부와, 상기 측정물질이 위치되며 구리로 이루어진 측정스테이지와, 상기 측정스테이지 상부에 위치하며 상기 이온빔 주입시 도달된 전류량을 측정하기 위하여 상기 측정물질 하부 표면에 밀착되어 설치되며 제2전류계를 통하여 접지되는 ITO 전극과, 상기 ITO 전극이 도포된 유리와, 상기 측정스테이지 하부에 위치하여 상기 이온빔의 초점을 맞추기 위하여 상기 측정스테이지를 X축 및 Y축으로 구동시키는 구동스테이지 및 상기 측정스테이지와 상기 구동스테이지 사이에 개재되어 상호 절연하기 위한 세라믹판을 포함하는 진공용기와; 상기 진공용기와 연결되어 진공용기 내부에 일정한 진공을 유지하기 위한 저진공용 펌프와 고진공용 펌프; 및 상기 측정물질의 온도를 제어하기 위한 가열수단인 할로겐 히터 및 액화질소를 이용하는 냉각수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 γ-집속이온빔장치
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전도성 물질 위에 일정범위의 직경의 개구부를 가진 도체 패드부를 덮은 후 개구부 내의 전도성 물질 위에 측정물질을 위치시키는 단계와;상기 측정물질에 입사되는 이온빔을 형성하는 단계와;상기 이온빔을 측정하고자 하는 측정물질 표면에 입사시키는 단계와;상기 측정물질이 모두 식각되기 전에 표면에 입사하는 이온빔에 의하여 제 1 전류을 측정하는 단계와;상기 측정물질이 식각된 후, 이온빔이 전도성 물질의 표면에 입사될 때 나타나는 제 2 전류를 측정하는 단계와;상기 제 1 전류에서 상기 제 2 전류로 변화하는 시간을 측정하여 물질의 식각률을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각률 측정방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.