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n(2이상의 임의의 자연수) 비트를 각각의 성상점에 매핑하는 방법에 있어서, (a) 2n개의 성상점이 서로 인접한 정삼각형들의 꼭지점으로 배치되는 성상도를 생성하는 단계; 및 (b) 미리 정해진 최적 비트열 매핑 또는 부최적 비트열 매핑 중 어느 하나를 이용하여 상기 성상점으로 상기 n비트를 매핑하는 단계를 포함하는 매핑 방법
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제1 항에 있어서,상기 성상도는 규칙적인 삼각형태 또는 불규칙적인 삼각형태의 성상도 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 매핑 방법
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제2 항에 있어서상기 규칙적인 삼각형태의 성상도는 가로축과 평행한 각 직선상에 위치한 성상점의 개수가 동일하도록 각각의 성상점이 배치되는 성상도인 것을 특징으로 하는 매핑 방법
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제3 항에 있어서(a) 상기 불규칙적인 삼각형태의 성상도를 생성은,(b) 임의의 위치에 제 1 성상점을 생성하여 저장하는 단계; (c) 하나 이상의 후보 지점 중 원점과의 거리가 최소인 지점에 제2 성상점을 배치하는 단계;(d) 미리 정해진 수의 성상점을 모두 배치하였는지 여부를 판단하는 단계;(e) 상기 미리 정해진 수의 성상점을 모두 배치한 경우, 배치된 성상점들에 대한 심벌 당 에너지 평균값을 산출하고, 상기 배치된 성상점들을 포함하는 성상도를 저장하는 단계;(f) 상기 저장된 심벌 당 에너지 평균값이 최소인 성상도를 상기 불규칙적인 삼각형태의 성상도로서 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매핑 방법
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제4 항에 있어서상기 미리 정해진 수의 성상점을 모두 배치되지 않은 경우, (c) 단계를 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 매핑 방법
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제4 항에 있어서상기 (e) 단계 이후에,상기 저장된 제1 성상점과 다른 위치에 새로운 성상점이 지정될 수 있는지 여부를 판단하는 단계를 더 포함하되,상기 저장된 제1 성상점과 다른 위치에 새로운 성상점이 지정될 수 있는 경우, 상기 (a) 단계 내지 상기 (f) 단계를 반복하는 것을 특징으로 하는 매핑 방법
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제6 항에 있어서,상기 제 1 성상점은 제1 사분면에 위치하며, 상기 성상도에 존재하는 모든 성상점들 중 원점과의 거리가 최소인 지점에 위치하는 것을 특징으로 하는 매핑 방법
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제4 항에 있어서,상기 후보 지점은 상기 제 1 성상점이 배치된 후 상기 제1 성상점에 상응하여 배치될 성상점들에 상응하는 위치인 것을 특징으로 하는 매핑 방법
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제 4항에 있어서,상기 심벌당 에너지의 평균값은 하기의 수학식을 통해 산출되되,는 심벌당 에너지의 평균값, 는 성상점의 개수, 는 원점과 성상점 사이의 거리인 것을 특징으로 하는 매핑 방법
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제2항에 있어서,상기 최적 비트열 매핑은 임의의 성상점에 인접한 하나 이상의 인접 성상점들간에 상이한 비트수의 평균값이 최소가 되도록 상기 n비트를 매핑하는 것을 특징으로 하는 매핑 방법
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제10 항에 있어서,상기 평균값은 하기 수학식을 이용하여 산출되되, M은 전체 성상점의 개수, 는 성상점 Si의 그레이부호 페널티인 것을 특징으로 하는 매핑 방법
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제2 항에 있어서, 상기 부최적 비트열 매핑은 사각형태의 성상도에서 각각의 성상점에 매핑된 그레이부호를 상기 규칙적인 삼각형태의 성상도에 상응하는 각 성상점으로 매핑하는 것을 특징으로 하는 매핑 방법
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제12 항에 있어서,상기 성상도가 불규적인 삼각형태의 성상도인 경우, 상기 부최적 비트열 매핑을 이용하여 상기 n비트의 비트열을 매핑하는 방법은,상기 불규칙적인 삼각형태의 성상도의 제1a 성상점과 상기 규칙적인 삼각형태의 성상도의 제1b 성상점이 일치되도록 상기 규칙적인 삼각형태의 성상도를 평행 이동시키는 단계; (b) 상기 규칙적인 삼각형태의 성상도의 각각의 성상점과 동일한 위치의 상기 불규칙적인 삼각형태의 성상도의 성상점에 상기 규칙적인 삼각형태의 성상도의 각각의 성상점에 매핑된 비트열을 매핑하는 단계; 및 (c) 상기 규칙적인 삼각형태의 성상도의 각각의 성상점과 동일한 위치에 있지 않은 상기 불규칙적인 삼각형태의 성상도의 각 성상점들은 하나 이상의 인접한 성상점간에 상이한 비트수의 평균값이 최소가 되도록 상기 n비트의 비트열을 매핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매핑 방법
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제13 항에 있어서,상기 제1a 성상점 및 상기 제1b 성상점은 각각의 성상도에서 원점에서의 거리가 최소인 위치에 있는 성상점인 것을 특징으로 하는 매핑 방법
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n(2이상의 임의의 자연수) 비트를 각각의 성상점에 매핑하는 장치에 있어서, (a) 2n개의 성상점이 서로 인접한 정삼각형들의 꼭지점으로 배치되는 성상도를 생성하는 성상도 생성부; 및 (b) 최적 비트열 매핑이나 부최적 비트열 매핑을 통한 상기 성상점으로 각각의 비트열을 매핑하는 비트열 매핑부를 포함하는 것을 특징으로 하는 매핑 장치
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제15 항에 있어서,상기 성상도 생성부는 미리 정해진 방법에 의해 규칙적인 삼각형태의 성상도 또는 불규칙적인 삼각형태의 성상도 중 어느 하나를 생성하는 것을 특징으로 하는 매핑 장치
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제16 항에 있어서,상기 규칙적인 삼각형태의 성상도를 생성하는 경우, 상기 성상도 생성부는 성상점을 가로축과 평행한 각 직선상에 위치한 성상점의 수가 모두 동일하게 배치하는 것을 특징으로 하는 매핑 장치
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제16 항에 있어서,상기 불규칙적인 삼각형태의 성상도를 생성하는 경우, 상기 성상도 생성부는 임의의 위치에 제1 성상점을 생성하여 저장하며, 하나 이상의 후보 지점 중 원점과의 거리가 최소인 지점순으로 제2 성상점을 배치하는 것을 특징으로 하는 매핑 장치
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제18 항에 있어서,상기 성상도 생성부는 미리 정해진 수의 성상점을 모두 배치하였는지 여부를 판단하여 모두 배치한 경우, 배치된 성상점들에 대한 심벌 당 에너지 평균값을 산출하고, 상기 배치된 성상점들을 포함하는 성상도를 저장하며, 상기 저장된 심벌 당 에너지 평균값이 최소인 성상도를 상기 불규칙적인 삼각형태의 성상도로서 선택하는 것을 특징으로 하는 매핑 장치
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제19 항에 있어서상기 제 1 성상점은 제1 사분면에 위치하며, 상기 성상도에 존재하는 성상점들 중 원점과의 거리가 최소인 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 매핑 장치
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제19 항에 있어서,상기 심벌당 에너지의 평균값은 하기의 수학식을 통해 산출되되,는 심벌당 에너지의 평균값, 는 성상점의 개수, 는 원점과 성상점 사이의 거리인 것을 특징으로 하는 매핑 장치
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제16 항에 있어서,상기 최적 비트열 매핑은 임의의 성상점에 인접한 하나 이상의 인접 성상점들 간에 상이한 비트수의 평균값이 최소가 되도록 상기 n비트의 비트열을 매핑하는 것을 특징으로 하는 매핑 장치
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제22 항에 있어서,상기 평균값은 하기 수학식을 이용하여 산출되되, M은 전체 성상점의 개수이고, 는 성상점 Si의 그레이부호 페널티인 것을 특징으로 하는 매핑 장치
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제16 항에 있어서, 상기 부최적 비트열 매핑은 상기 규칙적인 삼각형태의 성상도에서 각각의 성상점에 매핑된 그레이부호를 상기 성상점이 삼각형으로 배치된 성상도의 상응하는 각 성상점으로 매핑하는 것을 특징으로 하는 매핑 장치
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제16 항에 있어서,상기 성상도가 불규적인 삼각형태의 성상도인 경우, 상기 비트열 매핑부는 상기 불규칙적인 삼각형태의 성상도의 제1a 성상점과 상기 규칙적인 삼각형태의 성상도의 제1b 성상점이 일치되도록 상기 규칙적인 삼각형태의 성상도를 평행 이동시키고, 상기 규칙적인 삼각형태의 성상도의 각각의 성상점과 동일한 위치의 상기 불규칙적인 삼각형태의 성상도의 성상점에 상기 규칙적인 삼각형태의 성상도의 각각의 성상점에 매핑된 비트열을 매핑하며, 상기 규칙적인 삼각형태의 성상도의 각각의 성상점과 동일한 위치에 있지 않은 상기 불규칙적인 삼각형태의 성상도의 각 성상점들은 하나 이상의 인접한 성상점간에 상이한 비트수의 평균값이 최소가 되도록 상기 n비트의 비트열을 매핑하는 것을 특징으로 하는 매핑 장치
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제25 항에 있어서,상기 제1a 성상점 및 상기 제1b 성상점은 각각의 성상도에서 원점에서의 거리가 최소인 위치에 있는 성상점인 것을 특징으로 하는 매핑 장치
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