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비동기식 이퓨즈 ＯＴＰ 메모리 셀 및 비동기식 이퓨즈 ＯＴＰ 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2015204920
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 OTP 메모리 셀 및 OTP 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 비트라인과 워드라인에 기생하는 커패시턴스를 줄여 동작전류를 감소시킴으로써 저전력의 장치를 구현하기 위해 이퓨즈(e-fuse) 셀에 큰 채널 폭을 갖는 프로그램 모드용 트랜지스터와 작은 채널 폭을 갖는 독출 모드용 트랜지스터를 구비한 비동기식 이퓨즈 OTP 메모리 셀 및 비동기식 이퓨즈 OTP 메모리 장치에 관한 것이다 본 발명에 따른 비동기식 이퓨즈 OTP 메모리 장치에 의하면, 독출모드에서 워드라인과 비트라인의 기생 커패시턴스를 줄여 독출 모드의 동작전류를 감소시킬수 있는 효과가 있다. 또한 비동기식 인터페이스 방식과 분리된 I/O 방식을 사용함으로써 저면적의 메모리 장치를 구현할 수 있다는 장점이 있다. OTP 메모리 장치, 비동기식, OTP 셀, 이퓨즈(e-fuse)
Int. CL G11C 17/00 (2006.01) G11C 17/16 (2006.01)
CPC G11C 17/16(2013.01) G11C 17/16(2013.01) G11C 17/16(2013.01) G11C 17/16(2013.01) G11C 17/16(2013.01)
출원번호/일자 1020090105567 (2009.11.03)
출원인 창원대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1104643-0000 (2012.01.04)
공개번호/일자 10-2011-0048833 (2011.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20120112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.03)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영희 대한민국 경남 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0676232-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0075108-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0065650-22
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0249938-90
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0249939-35
7 보정요구서
Request for Amendment		 2011.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0030286-43
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0333971-91
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0333969-09
10 보정요구서
Request for Amendment		 2011.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0042212-12
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0373154-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2011-5171493-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2011-5180260-89
14 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0601373-19
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252038-71
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5259858-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.10.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5131005-95
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5044733-20
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5082716-34
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
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번호 청구항
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이퓨즈(e-fuse) OTP 메모리 장치에 있어서, 적어도 둘 이상의 소스 라인, 적어도 둘 이상의 비트라인, 적어도 둘 이상의 프로그램 워드라인, 적어도 둘 이상의 독출 워드라인에 각각 연결되는 적어도 둘 이상의 비동기식 이퓨즈 OTP 메모리 셀들이 배치되는 이퓨즈 OTP 메모리 셀 어레이(210); 상기 이퓨즈 OTP 메모리 장치의 프로그램 모드 또는 독출 모드 등의 동작을 지시하는 모드제어신호들을 발생시키는 제어부(220); 상기 모드제어신호에 응답하여 로직전압(VDD) 또는 인터페이스 전압(VIO)을 상기 이퓨즈 OTP 메모리 셀 어레이에 공급하는 전원 스위치 회로(230); 로우 어드레스신호를 디코딩하는 로우 디코더(240); 상기 모드제어신호 및 디코딩된 로우 어드레스 신호에 응답하여 상기 적어도 둘 이상의 프로그램 워드라인 및 적어도 둘 이상의 독출 워드라인을 구동하는 워드라인 구동회로(250); 칼럼 어드레스신호를 디코딩하는 칼럼 디코더(260); 상기 모드제어신호 및 데이터 입력신호에 응답하여 해당 소스라인을 구동하는 소스라인 구동회로(270); 및 상기 모드 제어 신호에 응답하여 비트라인을 감지 증폭하는 비트라인 감지증폭회로(280)를 구비하되, 상기 이퓨즈 OTP 메모리 셀은, 제1단자가 접지전압에 연결되고 프로그램 워드라인(WWL)이 그 게이트에 연결되는 제1엔모스 트랜지스터; 제1단자가 비트라인에 연결되고 제2단자가 상기 제1엔모스 트랜지스터의 제2단자에 연결되고 독출 워드라인(RWL)이 그 게이트에 연결되는 제2엔모스 트랜지스터; 및 제1단자가 소스라인에 연결되고 제2단자가 상기 제1엔모스 트랜지스터의 제2단자 및 상기 제2엔모스 트랜지스터의 제2단자에 공통으로 연결되는 이퓨즈 소자;를 구비하는 것을 특징으로 하는 비동기식 이퓨즈 OTP 메모리 장치
5 5
제 4항에 있어서, 상기 워드라인 구동회로(250)는, 로우 어드레스 신호를 입력하는 제1 낸드게이트(21); 워드라인 인에이블 프로그램 신호(WLEN_PGM) 및 반전된 워드라인 인에이블 프로그램 신호(WLENb_PGM)에 응답하여 상기 제1 낸드게이트의 출력을 전달하는 제1 전송 게이트(22); 로직전압(VDD)이 그 소스에 연결되고 상기 워드라인 인에이블 프로그램 신호(WLEN_PGM)가 그 게이트에 연결되고 상기 제1 전송 게이트의 출력이 그 드레인에 연결되는 제1 피모스 트랜지스터(23); 상기 제1 전송 게이트의 출력을 입력하는 제2 인버터(24); 접지전압(VSS)이 그 소스에 연결되고 상기 제1 전송 게이트의 출력이 그 게이트에 연결되는 제3 엔모스 트랜지스터(25); 접지전압(VSS)이 그 소스에 연결되고 상기 제2 인버터의 출력이 그 게이트에 연결되는 제4 엔모스 트랜지스터(26); 인터페이스 전압(VIO)이 그 소스에 연결되고 상기 제4 엔모스 트랜지스터(26)의 드레인이 그 게이트에 연결되고 상기 제3 엔모스 트랜지스터(25)의 드레인이 그 드레인에 연결되는 제2 피모스 트랜지스터(27); 상기 인터페이스 전압(VIO)이 그 소스에 연결되고 상기 제3 엔모스 트랜지스터(25)의 드레인이 그 게이트에 연결되고 상기 제4 엔모스 트랜지스터(26)의 드레인이 그 드레인에 연결되는 제3 피모스 트랜지스터(28); 상기 인터페이스 전압(VIO)에 의해 구동되고 상기 제3 엔모스 트랜지스터(25)의 드레인이 그 입력 단자에 연결되고 상기 반전된 프로그램 워드라인(WWLb)이 그 출력 단자에 연결되는 제3 인버터(29); 및 상기 제1 낸드게이트(21)의 출력과 반전된 워드라인 인에이블 독출 신호(WLENb_RD)를 입력받고 독출 워드라인(RWL)이 그 출력단자에 연결되는 제1 노아게이트(30)를 구비하는 것을 특징으로 하는 비동기식 이퓨즈 OTP 메모리 장치
6 6
제 4항에 있어서, 상기 소스라인 구동회로(270)는, 상기 칼럼디코더에 의해 디코딩된 칼럼 어드레스 신호(WY) 및 데이터입력신호(WD)를 입력받는 제2 낸드게이트(50); 상기 제어부에 의해 생성된 내부 프로그램 신호(IPGM)를 입력받는 제4인버터(51); 상기 제4인버터의 출력을 입력받는 제5인버터(52); 상기 내부 프로그램 신호(IPGM) 및 반전된 내부 프로그램 신호(IPGMb)에 응답하여 상기 제2 낸드게이트의 출력을 전달하는 제2전송게이트(53); 제1 단자에 로직전압(VDD)이 연결되고 제2단자에 상기 제2전송게이트의 출력이 연결되며 상기 내부 프로그램 신호(IPGM)가 그 게이트에 인가되는 제4 피모스 트랜지스터(54); 상기 제2전송게이트의 출력을 입력하는 제6 인버터(59); 접지전압(VSS)이 그 소스에 연결되고 상기 제2전송게이트의 출력이 그 게이트에 연결되는 제5 엔모스 트랜지스터(55); 접지전압(VSS)이 그 소스에 연결되고 상기 제6인버터의 출력이 그 게이트에 연결되는 제6 엔모스 트랜지스터(56); 상기 인터페이스 전압(VIO)이 그 소스에 연결되고 상기 제6 엔모스 트랜지스터의 드레인이 그 게이트에 연결되고 상기 제5 엔모스 트랜지스터의 드레인이 그 드레인에 연결되는 제5 피모스 트랜지스터(57); 상기 인터페이스 전압(VIO)이 그 소스에 연결되고 상기 제5 엔모스 트랜지스터의 드레인이 그 게이트에 연결되고 상기 제6 엔모스 트랜지스터의 드레인이 그 드레인에 연결되는 제6 피모스 트랜지스터(58); 및 상기 인터페이스 전압(VIO)에 의해 구동되고 상기 제5 엔모스 트랜지스터의 드레인이 그 입력 단자에 연결되는 제7인버터(60); 및 상기 제7인버터의 출력을 반전시키는 제8인버터(61)를 구비하는 것을 특징으로 하는 비동기식 이퓨즈 OTP 메모리 장치
7 7
제 4항에 있어서, 상기 비트라인 감지증폭회로는, 프리차아지신호(PRECHARGE)를 입력하는 제9인버터(71); 상기 로직전압(VDD)이 그 소스에 연결되고 상기 제9인버터의 출력이 그 게이트에 연결되고 상기 비트라인(BL)이 그 드레인에 연결되는 제7 피모스 트랜지스터(72); 상기 로직전압(VDD)이 그 소스에 연결되고 비트(BL)이 그 드레인에 연결되며 반전된 비트라인 로드신호(BL_LOADb)가 그 게이트에 연결되는 제8 피모스 트랜지스터(73); 반전된 센싱 인에이블 신호(SAENb)를 입력하는 제10인버터(74); 상기 로직전압(VDD)이 그 소스에 연결되고 상기 비트라인(BL)이 그 게이트에 연결되는 제9 피모스 트랜지스터(75); 상기 제9 피모스 트랜지스터의 드레인이 그 소스에 연결되고 반전된 센싱 인에이블 신호(SAENb)가 그 게이트에 연결되는 제10 피모스 트랜지스터(76); 상기 제10 피모스 트랜지스터(76)의 드레인이 그 드레인에 연결되고 상기 제10 인버터의 출력이 그 게이트에 연결되는 제7 엔모스 트랜지스터(77); 상기 제7 엔모스 트랜지스터의 소스가 그 드레인에 연결되고 접지전압(VSS)이 그 소스에 연결되며 상기 비트라인(BL)이 그 게이트에 연결되는 제8 엔모스 트랜지스터(78); 및 상기 제7 엔모스 트랜지스터의 드레인을 래치하여 비트라인 감지 증폭 회로의 출력포트로 출력하는 래치(79)를 구비하는 것을 특징으로 하는 비동기식 이퓨즈 OTP 메모리 장치
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